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随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 相似文献
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双层硅外延片在大功率器件中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用,并介绍了具体工艺方法。 相似文献
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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法,采用该方法,在均匀的重掺As衬底上,用SiCl4源外延,以10614-10^18/cm3浓度计算,获得了≤0.54um的过渡区宽度。 相似文献
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本文介绍单片集成电路中采用高精度、高可靠性和低温度系数镍-铬金属薄膜电阻代替扩散电阻的情况,详细论述镍-铬电阻的制作工艺、操作过程及工艺中的注意事项。实验表明,严格控制工艺条件是保证制取优值镍-铬电阻的关键。 相似文献
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本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。 相似文献
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硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材料,可以充分发挥各自的优点,弥补硅材料的不足。本文介绍了硅衬底上的锗材料外延生长技术进展,讨论了该材料在微电子和光电子等方面的可能应用,重点介绍了它在硅基高速长波长光电探测器研制方面的应用。 相似文献
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随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求.该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P+CMOS硅外延片研究进展.在PE2061硅外延炉上进行了P/P+硅外延生长.外延片特征参数,如外延层厚度、电阻率均匀性,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征.研究表明:150mmP/P+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求, 相似文献
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随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比,硅外延片一般能满足这些要求.该文报道了应用于先进集成电路的150mm P/P+CMOS硅外延片研究进展.在PE2061硅外延炉上进行了P/P+硅外延生长.外延片特征参数,如外延层厚度、电阻率均匀性,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征.研究表明:150mm P/P+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求, 相似文献
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外延侧向附晶生长(ELO)技术是在单晶硅上面的氧化岛的边缘引晶并在氧化层上附晶生长CVD硅来形成SOI层; ELO技术用常规的外延反应炉来生长外延硅;与别的SOI方法相比,这种SOI膜的缺陷密度低而且支承ELO硅的片子不发生曲翘变形;SOI/ELO膜的电学特性,诸如迁移率和寿命,与在同样反应炉中生长的同质外延层的电学特性类似;文中讨论了与ELO和选择外延生长(SEG)相关的问题;我们将介绍缺陷结构、生长速率与图形几何尺寸的关系和附晶生长速率方面的现况,我们还将讨论ELO/SEG膜的电学特性,特别是(用CVD附晶生长形成的)SiO_2/Si界面特性;文中将描述获得在硅膜下有连续氧化层的SOI膜所用的工艺,还将讨论制备这些薄层的潜力和所面临的问题。 相似文献
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