电光调制器的偏压自动控制

电光调制器的不稳定性可以归结为消光比的改变和工作点的漂移，在小功率的应用时，后者比前者大得多，轻则使信号失真，严重则使正弦平方曲线的峰和谷发生翻转，图象黑白颠倒。但这种不稳定性可以用偏压自动控制来解决。     

马赫-曾德尔电光调制器多工作点偏压控制技术

马赫-曾德尔电光调制器(EOM)由于其自身结构因 素的制约,容易受到自身温度变化和外界环境 的干扰,导致其 工作性能不稳定。本文提出并实现了一种基于检测工作点斜率的马赫-曾德尔EOM自动偏 压控制方案。 首先输入一微扰信号,然后通过检测调制信号的工作点斜率判断EOM工作点的漂 移方向和漂移量, 并最终调节偏置电压使EOM稳定工作。本文方案不仅可控制EOM工作在其传输特性曲线的任 一位置,而且避免了光源本身功率不稳定对偏压调节的影响。实验表明,当该电路用于脉冲 调制控制时,电光调制器消光比的上下浮动小于等于0.26dB,大大提 高了EOM的工作稳定性。     

单轴晶体电光调制器的温度特性

利用线性电光效应的耦合波理论,对单轴晶体铌酸锂电光调制器的温度特性进行了研究。通过计算机进行数值计算,详细分析出射光光强随入射光方向、温度的变化关系。发现在某些入射光方向上,出射光光强不随温度的变化而变化,并且在该方向附近,角度在一定范围内是可调的,温度的稳定性可以保持。进一步还发现,当极角θ固定在0°,方位角在0~π/2,温度在243~343 K范围内变化时,调制器的温度稳定性相当好;另外,当固定在π/8,θ在0~0.0032π范围内变化时,调制器的温度稳定性也很好,出射光强对入射光强之比几乎不随温度而变化。这一结果表明,可以通过调节入射光的方向来保证调制器的温度稳定性,而这些方向是可利用线性电光效应的耦合波理论计算得出的。     

马赫曾德尔调制器偏压控制技术研究

介绍了马赫曾德尔调制器的工作原理及传输曲线随温度漂移引起偏置工作点改变的现象。理论推导出基于谐波分析的马赫曾德尔调制器偏压工作点稳定控制方法,同时通过导频信号来度量偏压工作点的漂移量。设计出基于FPAG的马赫曾德尔调制器偏压控制硬件模块,通过记录接入该模块前后PIN光电二极管电压及马赫曾德尔调制器输出光功率的变化情况,最终证实该偏压控制模块可以实现稳定马赫曾德尔调制器工作点的目的。     

微纳米PIN电光调制器的优化

在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所用的时间,从而有效提高电光调制器的调制速度;详细分析了PIN电光调制器结构中内脊高度H、外脊高度h,波导脊宽W以及重掺杂区到波导的距离Ws等参数对其调制特性的影响;最终根据数据的分析,给出了优化后的参数,制作了电光调制器并进行了测试,测试结果验证了文中数据分析的正确性。     

电光调制器自适应偏振控制系统设计与实现

为了保持电光调制器(EOM)输入光偏振方向始终与其内部可传播模式偏振方向一致,使EOM获得良好的调制效果,提出了一种基于比例-积分-微分(PID)算法的EOM自适应偏振控制方法,理论分析并实验验证了该方法的可行性。实验结果表明,基于该方法设计的控制系统不仅能实时监测EOM输出光功率,而且能保持其输出光功率最大;与激光器和EOM输入端直接用保偏光纤连接时相比,PID偏振控制下EOM输出平均功率提高了3.08 dB,PD输出电压标准差由0.121 4降至1.237 510-4,稳定控制状态下偏振态矫正时间在ms量级。     

Ge_xSi_(1-x)电光调制器与探测器的集成

在Ge_xSi_1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上，提出了一种将它们集成起来的结构，通过原理和工艺技术的分析，认为这种光电集成是完全可以实现的。     

实现侦察接收机宽范围自动增益控制的一种方法

现代的侦察接收机都要求接收机在宽频带范围内工作，传统的自动增益控制方法已经难以满足要求。介绍一种采用乘法型D／A转换器，实现宽范围的自动增益控制的方法，这对现代侦察接收机的设计具有一定的参考价值。     

实现侦察接收机宽范围的自动增益控制的一种方法

现代的侦察接收机都要求接收机在宽频带范围内工作，传统的自动增益控制方法已经难以满足要求，本介绍一种采用乘法型D／A转换器，实现宽范围的自动增益控制功能，对于现代侦察接收机的设计具有一定的参考价值。     

一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器

针对传统铌酸锂电光调制器体积大、带宽小等技术问题,提出了一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器高频传输仿真模型,详细介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的高频信号馈入设计、过渡薄膜基板高频阻抗匹配设计,并测试了40 GHz小尺寸薄膜铌酸锂电光调制器的核心指标。测试结果表明：设计的薄膜铌酸锂电光调制器插入损耗、半波电压、3 d B带宽、产品尺寸分别为4.1 d B、3.9 V、40 GHz、30 mm×10 mm×5 mm,比传统铌酸锂电光调制器性能优越。     

一种CMOS脉宽调制器的设计

设计了一种CMOS脉宽调制器。介绍了CMOS基准源的电路结构及工作原理，讨论了设计过程中需要解决的技术问题，给出了计算机模拟结果、实际测结果及试用结果。     

高意科技发布新型宽温度范围绿色激光器

高意科技（PhotopTechnologies）日前宣布推出新的φ5．6mm宽工作温度范围（WTO）绿色二极管GDL—T系列，这些新产品将对现有绿光二极管（GDL）产品家族形成有效补充。通过改善设计，GDL—T系列相比之前类型更加小巧，同时还能保持较宽的工作温度范围和高可靠性。     

一种低损耗硅基MZ电光调制器的驱动电极设计

为了满足高数据带宽的硅光互联应用要求,高速硅光调制器的设计至关重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工艺,提出了一种低损耗高带宽的行波MZ调制器的驱动电极.在详细分析了趋肤效应、行波损耗、邻近效应等物理效应对行波电极信号完整性的影响的基础上,通过在行波电极上增加一定宽度的顶层金属的方法,使MZ调制器的低频损耗降低了13%,高频损耗降低了5%,并使电光调制3 dB带宽提高至28 GHz.     

基于狭缝波导振荡微环的电光调制器

针对传统电光调制器存在调制速度慢、损耗高和封装尺寸大等问题,采用高电光系数的高分子材料,结合狭缝波导理论,提出了一种基于振荡微环的电光调制器,并利用COMSOL Multiphysics和Lumerical FDTD solutions仿真软件对该调制器的关键性能进行仿真分析。分析结果表明:该电光调制器在小封装尺寸条件下,具有优异的光电性能,而且兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)标准制造工艺。     

基于金属包覆波导结构的电光调制器的研究

文章提出了一种基于自由空间耦合技术的电光调制器.入射光直接入射到作为耦合层的上层金属膜表面,通过改变外加电场的场强,控制入射光耦合进导波层的能量,从而改变反射光的强度,实现电光调制.该类调制器具有插入损耗小、响应速度快、稳定性高和成本低廉等诸多优点.与传统的棱镜耦合方式的聚合物电光调制器相比,自由空间耦合技术的引入使此类电光调制器结构更加紧凑、更易于阵列化集成.     

一种结构简单的宽温度范围、高精度CMOS基准源

本文采用130 nm MOS工艺,设计了一种简单的CMOS电压基准源.利用基准电流源结构,产生PTAT电流,再通过电流镜技术将此PTAT电流转移到一个以二极管方式连接、工作于亚阈值区状态的NMOS管,在栅源之间得到对温度不敏感的电压VGS.经过Spectre仿真后,在电源电压为2.2 V至2.5 V电压范围内,本文电路...