强耦合超导薄膜的临界场

关键词：     

Kondo晶格中超导热力学临界场的研究

本文在两带准粒子模型下研究了Kondo晶格中超导热力学临界场的行为。我们唯象地引入了准粒子之间的有效吸引相互作用,由系统的两个超导序参量所满足的自洽方程出发计算了超导态与正常态热力学函数之差,由此得到了Kondo晶格中超导热力学临界场的表达式,并结合重费米子超导体CeCu_2Si_2、UBe_(13)和UPt_3的有关实验对所得理论结果进行了讨论。     

多层PbBi-SiO膜的超导临界电流特性

用真空热蒸镀法制备了超导多层PbBi-SiO膜。测量了这些样品的超导临界参量。观测到同一样品上的临界电流在不同磁场和温度下有不同的特征。 关键词：     

Pb-Sb合金脱溶过程对超导临界特性的影响

1961年Kunzler等人发现:Nb_3Sn,Nb-Zr等超导体在强磁场中临界电流密度jc仍然很大,可供制备获得强场的超导体磁体使用。 Mendelssohn曾将硬超导体临界磁场的增大,归源于样品内部存在尺寸很小的超导“系”。Kunzler将超导“系”和位错线联系起来,并且认为,他所观察到的高jc值是由于样品内部位错线密度很大。另一方面,却又把硬超导体当作均匀介质处理,他从理论出发,用负界面能效应来解释超导合金的反常磁行为。     

载有电流的超导膜的能隙和临界电流

利用文献所导出的补偿方程和电流方程,计算了一个载有电流的超导膜的能隙,给出了它和电流的依赖关系。所得到的结果适用于所有的温度,但电流数值要比较小。在温度接近T_c的范围内,本文还对超导膜的临界电流问题进行了讨论。文中指出,非局域效应对于比较厚的超导膜的临界电流是重要的,但是对于比较薄的超导膜是不重要的。     

临界电流密度对场冷超导磁悬浮力的影响研究

基于Kim临界态模型,通过考虑超导块材内部屏蔽电流的穿透历史过程,讨论了场冷条件下临界电流密度对高温超导悬浮系统磁悬浮排斥力和吸引力的影响.结果显示:最大超导磁悬浮排斥力和吸引力均随临界电流密度的增加呈指数关系增加,并趋于饱和;场冷条件下的磁悬浮力回滞能量损耗远高于零场冷情况;存在一个磁悬浮力比率κ,κ值对于评价大电流...     

高温超导体零场临界电流的尺寸效应

以临界态概念为基础,采用等效钉扎力方法对烧结的氧化物超导体样品在液氮温度下零磁场临界电流平均密度进行了理论分析。所得结果和实验相符合。在以上同样的假设下,计算了块样的剩余磁化强度。证明了磁化强度测量决定临界电流的实验方法在决定零场临界电流密度时也适用。     

非晶态Zr-Co和Zr-Ni合金的超导临界温度和结构弛豫

测量了非晶态合金Zr_(100-_x)M_x (M=Co,22≤x≤53.4;M=Ni,24.1≤x≤63.8)的超导临界温度T_c和组分的关系,结果显示出很好的规律性。研究了结构弛豫对Zr_(78)Co_(22)和Zr_(75.9)Ni_(24.1)超导性质的影响。在不同温度下作一小时退火的实验结果表明,当退火温度远离结晶化温度Tcr 时,结构弛豫是一极为缓慢的过程;而当临近Tcr时,退火使Tc急剧地下降,发现在250℃下作不同时间的退火时,它们的Tc随退火时间呈对数关系变化。对此,结合Egami和Van Den Beukel等提出的金属玻璃中结构弛豫的动力学作了分析。同时排出:测量超导临界温度等特性也是研究非晶态超导体结构弛豫过程的一种有效手段。     

高温临界超导现象的演示

一、实验原理图1为实验原理图。A为原线圈。其匝数为N_1;B为副线圈,其匝数为N_2;SC为环形超导样品。铁芯G穿过A、SC及B。为增强三者之间的磁通耦合,用铁轭使G形成闭合磁路。     

非平衡超导铅膜中的非均匀能隙态

用两个重叠的铅隧道结进行实验,当注入电流很大时在铅膜中观察到了非均匀能隙态,铅膜中出现非均匀态的功率阈值比铝膜大得多。 关键词：     

磁场中的超导膜

本文将文献[1]的理论推广到较厚的超导膜。首先采用能隙是常数的模型,借助于Schrief-fer方法,导出磁场中超导膜的补偿方程和电流方程。利用所得的方程,研究了均匀外磁场对金属膜超导性质的影响,讨论了超导膜在磁场中的相变,给出了确定超导膜的能隙、磁矩、平衡临界场H_c,以及分别相应于过冷和过热区域边界的临界场H_(c1)和H_(c2)的一般公式。所有这些表达式,在局域极限下,化为Гинзбург-Ландау理论的相应结果;在薄膜情形下,回到文献[1]的结果,文中对一般情形下的非局域效应作了具体的讨论。     

磁场对传导冷却超导磁体系统制冷机的影响

用于传导冷却超导磁体系统的GM制冷机处于强磁场环境中,由于二级蓄冷器的填充材料其性能随外部磁场大小而变化;而且冷头电机本身是永磁电机,电机性能受磁场影响更明显.因此,为了不影响制冷机的性能,需要详细地分析制冷机附近的磁场分布,将制冷机布置在低场区域;但是,高场磁体系统本身磁场强度高、温度裕度低,为了降低磁体运行时的热点温度,不可能将制冷机布置在距离磁体较远的区域,这时就需要对制冷机采取屏蔽措施.本文以正在建造的8T传导冷却超导磁体系统为例,研究了磁场对制冷机位置的影响,并分析了铁磁屏蔽对制冷机附近磁场的屏蔽效果.     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

背景磁场下Y系超导带材临界电流的测量

高温超导电力装置一般工作于低磁场情况下,测量超导带材在低场下的临界电流特性非常重要.文中通过自行设计的实验平台,采用四引线法对Y系超导带材低场下的临界电流特性进行了测量,得到了带材临界电流随外加磁场变化的曲线,并与Bi系带材低场下的临界电流特性进行比较.     

超导膜的能隙和磁场的依赖关系

本文计算出超导膜在磁场中的能隙。所得到的表达式适用于所有的温度,但磁场要满足((ehp₀/(mc) A/(πk_BT_c))²《1条件,其中A是矢势,hp₀是Fermi动量。理论结果和实验进行了比较,符合得还好。     

温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度T⁽¹⁾₀ 和 T⁽²⁾₀（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到T⁽²⁾₀的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ_ip都分布于一个与Ｔ有关的区间[H_ip⁽¹⁾(T), H_ip⁽²⁾(T)]内，称为临界面内磁场区间：H_ip^{＜H_ip(1)(T)时，ＶＢＬ链保持不变;H_ip(1)(T)< H_ip < H_ip(2)(T)时，随着Ｈ_ip的增加，越来越多的ＶＢＬ消失;H_ip > H_ip(2)(T)时，所有ＶＢＬ都消失。H_ip(1)(T),H_ip(2)(T)及H_ip(2)(T)-H_ip(1)(T)均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于T(1)₀ 和 T(2)₀降为零。比值H_ip(2)(T)/H_ip(1)(T)随Ｔ的升高而升高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为21/2,在T(1)₀附近急剧升高且至T(1)₀时趋于∞。对以上结果做了理论分析。 关键词：}     

随机磁场对波驱动电流的影响

本文在准线性理论基础上考虑随机磁场对波驱动电流的影响,计算了随机磁场对波驱动的电流、波的共振耗散功率及波驱动电流的效率的修正。结果表明,在等离子体的中心区和梯度区其效应是不同的。对高相速、宽谱情形,这种效应是重要的。 关键词：     

超导弱连接的电压磁场关系(Ⅰ)

本文理论计算了恒流源的RSJ模型下超导弱连接的量子衍射及其相应双结SQUID的量子干涉。对双结SQUID给出了电压直流分量随磁场等幅振荡的解析关系。 关键词：     

超导薄膜的磁场穿透深度的测量

我们设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模拟的方法对线圈及其位形进行了优化．对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,我们的设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系