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本征Josephson结的表面结的特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在用Bi2Sr2CaCu2O8 δ(BSCCO)单晶制备本征结时,最上面的Cu-O层由于受到所沉积的金属层的影响,其超导性能将发生退化,从而使得表面上两个邻近的Cu-O层形成的表面结具有不同于内部本征结的性质.我们对表面结的I~V、Ic'~T、R~T等电运输特性进行了分析和研究,发现表面结的临界温度Tc通常都比较低,而且临界电流随温度的变化关系也不同于正常本征结.并且利用旁路电阻的方法,成功观察到了被旁路后表面结的ac Josephson效应. 相似文献
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耐熔微掩膜法制备高温超导Josephson结 总被引:1,自引:0,他引:1
在超导Josephson结的制备过程中,传统的成结方式为对超导薄膜进行化学刻蚀或离子刻蚀,以形成特定图形的结.而刻蚀这一步常常会给结的性能带来负面影响,从而直接导致超导器件性能的下降.本介绍了一种利用耐融微掩模制备高温超导Josephson结的方法.本方法的特点是:一次成结无需后期刻蚀,利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响,制备高质量的高温超导Josephson结.本给出利用此方法制备高温超导YBCO/YSZ双晶结的有关工艺,以及初步的实验结果. 相似文献
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在s波超导体/绝缘层/自旋三重态超导体结中,计算了直流Josephson电流随结的温度、相位差以及绝缘层势垒强度的变化关系.当自旋三重态超导体具有px波配对势时,自旋三重态超导体结的直流Josephson电流随结两侧相位差的振荡周期是π,与结的相位差的关系为sin(2).结界面的绝缘层势垒散射均抑制结的直流Josephson电流. 相似文献
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通过计算具有铁磁绝缘层的双层f波超导体结中铁磁绝缘层的磁散射对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体(fS)/铁磁绝缘层(FI)/f波超导体(fS)结的直流Josephson电流与温度和结两侧相位差((?))之间的关系.研究表明:fS/FI/fS结界面的粗糙散射和磁散射总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过fS/FI/fS结的直流Josephson电流,且结的直流Josephson电流随相位差的变化曲线强烈依赖于f波超导体的晶轴方位角(α). 相似文献
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铁磁-超导隧道结中粗糙界面散射对直流Josephson电流的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
通过求解Bogoliubov—de Gennes(BdG)方程得到铁磁超导共存态(FS)的自洽方程,在考虑结界面的粗糙情形下,由推广的Furusaki—Tsukada(FT)的电流公式计算了铁磁超导态/绝缘层/s波超导体(FS/I/S)结的直流Josephson电流,讨论了FS/I/S结的直流Josephson临界电流随磁交换能、温度的变化情况.研究表明:铁磁超导态中磁交换能和结界面的粗糙势垒散射均对FS/I/S结的直流Josephson电流有抑制作用. 相似文献
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在s波超导体/铁磁绝缘层/s波超导体Josephson结(S/FI/S)中,考虑结界面铁磁绝缘层的磁散射和粗糙散射情况下,运用Bogoliubov-de(BdG)方程和Furusaki-Tsukada(FT)的电流公式计算准粒子的输运系数及S/FI/S结的直流Josephson电流与温度T,结两侧的相位差之间的关系,研究表明:结界面的磁散射和粗糙散射均抑制结中准粒子的Andreev反射,降低了流过S/FI/S结的直流Josephson电流。 相似文献
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采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结,并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ~Ⅴ特征曲线.结果表明,临界电流几乎保持不变,但返回电流随温度增加而增大;与此同时,Mccumber参数βc随着温度增加而减小.临界温度附近,跳跃电压△V明显偏离BCS理论. 相似文献
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