用面垒探测器测定n型硅中少数载流子的扩散长度

当α粒子穿入Au-Si面垒探测器的扩散区时,其产生的非平衡少数载流于扩散到势垒边界而被收集,因此在探测器两端有一输出脉冲。本文从理论上计算了扩散区中的收集效率,获得了收集效率和扩散长度的函数关系。另外将实验上测定的收集效率与理论加以比较,从而确定少数载流子的扩散长度。 关键词：     

HT—6M上电荷交换中性粒子能谱测量

用10道电荷文换中性粒子分析器测量了HT-6M装置的中性粒子能谱,给出了测量和数据处理方法以及在欧姆加热,高能中性粒子束(NBD)和离子回旋共振辅助加热(ICRH)条件下的能谱和离子温度,并对结果进行了分析讨论。     

高密度多丝室中性粒子探测器的研究

本文描述了一种位置灵敏多丝正比室, 其有效面积为200×200mm², 多丝室与多层铅γ射线转换体相配合, 组成了高密度多丝室γ射线探测器. 铅转换体做成均匀排布的0.9mm圆孔、孔心距1.1mm的阵列共样. 探测器对511keV光子的探测效率为5.6%, 空间分辨1mm. 这种探测器已经被用在正电子相机研究工作中, 也可以用于探测X射线.     

测量离子温度的中性粒子能谱仪

我们知道,获得原子能主要通过两种方式,即重元素的裂变反应和轻元素的聚变反应.氘和氚的聚变反应有着无比丰富的“燃料”来源,是人类解决能源的一个理想途径.国际上从五十年代开始就进行了大量的研究工作,争取实现可控的聚变反应.然而在实践中却碰到了意外的困难,困难的基本原因之一是它必须在1亿度以上的高温下进行.这是因为原子核在互相接近时必须克服库仑斥力,即使象氘和氚这样的轻元素,也必须具备10千电子伏以上能量,才能互相接近,发生核的聚台.而且理论分析表明,必须使整个燃料的原子核都达到这样大的能量,才有可能获得能量的收益,这就…     

伴随粒子法γ能谱本底测量技术

为了解决伴随粒子法瞬发能谱实验中随机本底的影响,通过实验研究了标记中子和非标记中子与物质作用产生的瞬发信号和随机本底信号。对不同情况随机本底谱测量进行了分析,提出了小尺度样品和大尺度样品本底测量方式。研究表明:对小尺度样品,可以通过去掉样品,选择与有样品测量的谱相同的时间窗进行本底测量;对于大尺度样品,可以通过在随机本底范围选取时间窗进行本底测量。     

用于电子能谱测量的LiF热释光探测器标定

用γ标准源对LiF热释光探测器（TLD）的灵敏度因子、线性吸收系数、离散性、重复性进行了测定。在此基础上建立了电子质量阻止本领的修正模型,理论上计算出电子等效质量阻止本领,给出单能电子的注量。由LiF TLD阵列可测量激光等离子体相互作用中发射的超热电子能谱（能量-注量关系）。     

用于电子能谱测量的LiF热释光探测器标定

 用γ标准源对LiF热释光探测器（TLD）的灵敏度因子、线性吸收系数、离散性、重复性进行了测定。在此基础上建立了电子质量阻止本领的修正模型，理论上计算出电子等效质量阻止本领，给出单能电子的注量。由LiF TLD阵列可测量激光等离子体相互作用中发射的超热电子能谱（能量-注量关系）。     

基于标准探测器的硅单光子雪崩探测器探测效率测量

针对硅单光子雪崩探测器探测效率高准确度测量的需要,建立了一套溯源至标准探测器的硅单光子探测器探测效率测量装置。首先通过大动态范围高精度衰减产生光子数已知的准单光子源来校准探测器的探测效率,其次对影响探测效率测量的后脉冲概率和死时间进行了分析与测量,最后系统分析了各测量不确定度的来源,实现了硅单光子雪崩探测器在632.8nm波长处探测效率测量不确定度达到0.6%(k=2)。该装置采用超连续谱光源与单色仪组合输出单色光源,结合标准探测器,可根据需要实现硅单光子雪崩探测器宽波段内的探测效率自动化测量。     

金阴极微通道板探测器X射线段的能谱响应

 利用表面镀金阴极膜的微通道板(MCP)构成一种金阴极MCP光电探测器,根据MCP的电阻电容特性提出了一种特殊的能谱响应测量方法。在北京同步辐射3B3中能束线上对该探测器在2.1～6.0 keV能段的谱响应进行了实验标定。以美国NIST绝对定标的美国IRD公司生产的AXUV-100硅光二极管为次级标准探测器,标定金膜厚度分别为25和100 nm的金阴极MCP探测器的能谱响应。经分析发现,阴极材料和MCP材料的元素吸收边是造成量子效率曲线出现突变点的原因。对比两种MCP的能谱响应标定结果,金膜厚度为100 nm探测器的能谱响应高于金膜厚度为25 nm的探测器。     

金阴极微通道板探测器X射线段的能谱响应

利用表面镀金阴极膜的微通道板(MCP)构成一种金阴极MCP光电探测器,根据MCP的电阻电容特性提出了一种特殊的能谱响应测量方法。在北京同步辐射3B3中能束线上对该探测器在2.1～6.0 keV能段的谱响应进行了实验标定。以美国NIST绝对定标的美国IRD公司生产的AXUV-100硅光二极管为次级标准探测器,标定金膜厚度分别为25和100 nm的金阴极MCP探测器的能谱响应。经分析发现,阴极材料和MCP材料的元素吸收边是造成量子效率曲线出现突变点的原因。对比两种MCP的能谱响应标定结果,金膜厚度为100 nm探测器的能谱响应高于金膜厚度为25 nm的探测器。     

化学气相沉积金刚石探测器测量软X射线能谱

金刚石具备高热导率、高电阻率、高击穿电场、大的禁带宽度、介电系数小、载流子迁移率高以及抗辐射能力强等特性,可作为已应用于惯性约束聚变(ICF)实验X射线测量的硅与X射线二极管的较好替代品.随着化学气相沉积(CVD)技术的发展,CVD金刚石受到人们越来越多的关注.文中利用拉曼谱仪和X射线衍射仪对1mm×1mm×2mm,1mm×1mm×3mm两种规格CVD金刚石完成品质检测后,完成了CVD金刚石X射线探测器的集成制作,并在8ps激光器和神光III原型装置上开展了探测器时间特性等性能研究.实验结果表明,整个探测器系统前沿响应时间可达60ps,半高全宽可达120ps,与X射线二极管探测系统时间特性一致.在神光Ⅲ原型装置实验中,没有观察到探测器对3ω0激光的响应,说明探测器具有好的抗干扰能力.其测得的温度曲线与软X射线能谱仪测量结果一致,实现了X射线能谱测量的初步应用.     

液体闪烁体探测器测量皮秒激光脉冲中子源能谱

在星光Ⅲ实验装置上开展皮秒激光脉冲中子源实验,使用液体闪烁体探测器测得较好的中子信号,利用飞行时间法获得中子的能量/时间分布,通过示波器电压时间积分与阻抗之比得到不同能量段的电荷值。建立液体闪烁体探测器Geant4计算模型,通过实际打靶情况与标定情况下液体闪烁体探测器出光口收集到的可见光光子数之比,结合标定的灵敏度数据,获得液体闪烁体探测器对不同能量中子的灵敏度。计算得到源发射的中子能谱,能量在1 MeV以上的液体闪烁体探测器方向测得的中子产额为1.04108 sr-1。     

中性粒子输运及其应用研究

1引言 由于中性粒子不带电，因此不受磁场的约束，可以比较自由地出入等离子体区域。一方面，中性粒子输运直接影响主等高子体的能量平衡、动量平衡和粒子半衡；另一方面，研究中性粒子输运对等离子体诊断提供依据和分析对象。如逃逸的快中性原子可以被用来测量离子温度。     

电流型探测器单粒子灵敏度标定的原理及应用

采用电荷模数转换记录单个脉冲电荷的方法,标定了单能射线在电流型闪烁探测器中产生的平均电流,从而得到其灵敏度。标定结果与传统的电流法在±8%的范围内一致。该标定方法准确度高,扣除本底容易,对标定源的强度要求也大大降低。加上飞行时间法,还可对粒子进行甄别,能在中子-γ射线混合场中将中子和γ射线的电荷贡献分开,得到探测器对每种射线单独的灵敏度。该方法适用于在单个脉冲电荷信噪比较高的场合下标定脉冲电流型探测器。     

电流型探测器单粒子灵敏度标定的原理及应用

 采用电荷模数转换记录单个脉冲电荷的方法,标定了单能射线在电流型闪烁探测器中产生的平均电流,从而得到其灵敏度。标定结果与传统的电流法在±8%的范围内一致。该标定方法准确度高,扣除本底容易,对标定源的强度要求也大大降低。加上飞行时间法,还可对粒子进行甄别,能在中子-γ射线混合场中将中子和γ射线的电荷贡献分开,得到探测器对每种射线单独的灵敏度。该方法适用于在单个脉冲电荷信噪比较高的场合下标定脉冲电流型探测器。     

直线成形方法在基于SDD探测器的TXRF仪能谱测量中的应用研究

因全反射X射线荧光仪中入射X射线与全反射X射线形成驻波,导致样品被激发产生的特征X射线成周期变化,且在驻波峰区探测器产生的核脉冲重叠严重,有必要提高后续分析电路的重叠核脉冲幅度准确提取能力,进一步提升全反射X射线荧光仪的性能.由于SDD探测器产生的核脉冲下降沿依衰减系数τrc呈指数规律衰减,依据衰减补偿原则,建立直线成...     

同时测量中性束和离子束的大型二次发射探测器

本文介绍了在磁镜装置上应用的同时自动测量注入中性束和离子束的大型二次电子发射探测器;给出了简单结构和能量在30—100keV范围内的H_1~ ,H_2~ 及H_3~ 的二次电子发射系数随时间和能量的变化曲线;描述了测量线路与测量结果。     

Si-PIN与CdTe探测器应用于X射线荧光能谱测量的研究

半导体探测器具有优异的性能因而被广泛应用于能量色散X射线荧光测量,以传统型Si-PIN半导体探测器与复合型CdTe半导体探测器为研究对象,分别从材料属性、探测效率、能量分辨率等方面对两种探测器进行对比,重点分析探测器灵敏区厚度、入射X射线能量、后级电路成型时间等因素对其性能的影响,并对由逃逸峰、空穴拖尾效应所导致的X射线荧光能谱的差异进行分析;同时,针对探测器空穴收集不完全的问题,基于FPGA设计了带有上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器,能够有效消除空穴拖尾的影响,提高能量分辨率。从实验结果可知:对能量低于15keV的射线,Si-PIN与CdTe探测器的探测效率基本相当;对能量大于15keV的射线,CdTe探测器的的探测效率明显占优;Si-PIN探测器的最佳成形时间约为10μs,CdTe探测器的最佳成形时间约为2.6μs,因而CdTe探测器更适用于高计数率条件;对于不同能量的X射线,Si-PIN探测器的能量分辨率优于CdTe探测器;CdTe探测器具有明显的空穴拖尾效应,将CdTe探测器与带上升时间甄别功能的数字多道脉冲幅度分析器配合使用,其能量分辨率显著提高。