Reissner—Nordstrm度规中(电荷守恒下)的引力质量亏损

本文在文献[1,3]讨论荷电静态和球对称度规下的引力质量亏损的基础上进一步讨论电荷守恒的情况。并计算了亏损以后的质量M随初始质量M_。、荷质比α和半径γ的各种变化曲线。     

引力场中的质量亏损效应

利用Hellings-Nordtvedt理论,我们得到了一类荷磁天体(含宇宙常数)的引力场中质量亏损效应的表达式。通过讨论这些表达式中的参数，我们得到了在不同条件下的质量亏损表达式。这些结果对于天体形成过程中能量辐射机制的研究是有意义的。     

轴对称荷电动态黑洞的特征曲面

讨论了轴对称荷电动态黑洞的特征曲面,即类时极限面、表观视界和事件视界-分析了黑洞蒸发或吸收质量,以及黑洞电荷发生变化诸种情况- 关键词：     

磁荷对中子星质量半径比的约束

讨论了荷电(磁)质点的量子力学波方程及其解. 由磁场中解的奇异性讨论了磁单极的存在; 由Rubakov-Callan模型推知中子星可能含有大量磁单极. 然后采用中子星的结构方程, 讨论了磁荷对中子星质量半径比的约束, 分别得到了磁荷对中子星质量半径比上限的影响 和磁荷对中子星质量半径比下限的影响的数学表达式. 关键词： 磁单极 中子星 质量半径比     

含整体单极子黑洞场中的吸附和辐射

本文研究了在含整体单极子的黑洞场中质量亏损效应,计算了被吸附的(落向质量中心的)中性粒子的质量亏损,进而计算了被吸附的质量球壳以及极限情况下质量球的质量亏损.这些物质的质量亏损最终将转化为能量辐射. 关键词： 广义相对论 整体单极子 黑洞 质量亏损     

硅量子点中电子的荷电动力学特征

利用频率依赖电容谱的测量,对于SiO₂/硅量子点/SiO₂/硅衬底隧 穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究.由于量子点的极小尺寸和良好的均匀性,室温下 在强反型区成功地观察到了与单电子隧穿相关的两个电容和电导共振峰,它们分别对应于硅 衬底导带上的电子与量子点中第一与第二个基态之间直接隧穿过程.实验数据分析给出了量 子点中的库仑荷电能,并进行了讨论. 关键词： 量子点 电容谱 库仑荷电能 直接隧穿     

轴对称荷电动态黑洞的量子热效应

讨论了轴对称荷电动态黑洞的Hawking辐射,得到了局部事件视界面方程和温度.结果显示黑洞的形状和温度不仅随时间变化而且随角度变化. 关键词：     

多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

报道用SiF₄和H₂的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm^-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm^-1. 关键词： 多晶硅薄膜 低温生长 表面生长反应 外加偏压     

非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文应用统计物理的方法,讨论了非晶半导体的掺杂效应,特别是在低温下的特性。在荷电的悬挂键模型下,计算了各种情况下的费密能级和电子浓度。并对两类不同的非晶半导体作了详细的讨论。 关键词：     

Ne+离子与Li原子碰撞过程中激发态的研究

本文通过观测Ne⁺离子与Li原子碰撞中的发射谱,对碰撞中的电子俘获和靶激发过程进行了研究。在可见光范围给出了所观察到的各条谱线的发射截面及相应上能级的激发截面。对电子俘获过程与能量亏损和靶原了电离势的关系进行了讨论。Ne⁺离子能量范围为20—150keV 关键词：     

宇宙线高能粒子与液体闪烁体的核相互作用

利用放置在海拔3185米处的多板云室,以液体闪烁体作靶,研究宇宙线高能粒子产生的核相互作用。本文分析了18个由荷电粒子引起的核作用事例,用Castagnoli公式求得初能平均值E₀=(41±8)Bev,荷电粒子平均多重性n_s=4.9±0.3,以x=lgγ_ctgθ_l为变量作次级粒子的角分布,发现dN/dx分布可能存在着两个峯,文中试用二心模型对此角分布进行了讨论。 关键词：     

不同荷电态替位缺陷Sp对磷酸二氢钾激光损伤的影响

采用第一性原理方法计算了KH₂PO₄(KDP)晶体中各种荷电态的硫取代磷替位缺陷(S_P)的几何驰豫构型及电子结构.讨论了该缺陷形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度、能带结构等性质.主要结果为:虽然中性态、±1以及+2荷电态的S_p替位缺陷并没有在带隙中形成占据态,但它们削弱了SO₄基团与周围原子的结合力,从而形成相对孤立的SO₄基团,相对于无缺陷晶体而言,这种局域松散的结 关键词： 光学材料 晶体缺陷 激光损伤 第一性原理计算     

NiTi合金中应力诱导的I/C相变及其界面动力学的研究

在改装了的拉力试验机上,以不同的拉伸速率ε(0.79—18×10^-5s^-1)进行加、卸载试验,并用中间扭摆和四端电位法同时测量了Ni-49at％Ti合金丝在应力诱导I/C相变过程的内耗Q^-1、模量M/M₀、电阻率ρ/ρ₀和应力-应变曲线。研究了应力循环和应变速率的影响。在Q^-1-ε曲线上出现Q^-1峰,而在f²-ε曲线上出现与之相对应的模量极小。内耗峰的高度Q_p^-1和模量亏损值均随ε增大而增大。根据界面动力学模型和内耗的实验数据,计算得应力诱导I/C相变过程界面的动力学关系为V=V^*(△G—△G_R)^m,V^*和m为动力学参数,△G_R为相变过程中运动相界面所受的阻力,计算得△G_R≈1cal/mol。讨论了内耗和模量亏损、软模效应之间的关系。 关键词：     

平行电磁场中He+2的回归谱与闭合轨道的研究

利用半经典闭合轨道理论和分区自洽迭代方法计算了Rydberg态下He⁺₂在平行电磁场中的回归谱与闭合轨道. 为了模拟分子实的散射作用,引入一个包含电子交换势的新势能. 利用这一新势能,结合多通道量子亏损和分子闭合轨道理论,讨论了分子实散射效应对平行电磁场中He⁺₂的回归谱与闭合轨道的影响. 关键词： 回归谱 分子半经典闭合轨道 交换势 实散射     

钪原子的自电离里德伯能级3d4s(1D2)nf2 D3/2,3d4s(1D2)nf2 F5/2和3d4s(1D2)np2 D3/2<

在多通道量子亏损理论框架下,利用相对论多通道理论,分别在冻结实近似和考虑偶极极化下计算钪原子的J^π=(3/2)^-,(5/2)^-的三个收敛于 3d4s(¹D₂)的自电离里德伯系列的能级.对3d4s(¹D₂)np²D_3/2和3d4s(^{1 关键词： 相对论多通道理论 多通道量子亏损理论 电子-电子关联 自电离里德伯系列}     

广义相对论中双荷场源的电磁场张量

提出了一种求解双荷场源电磁场张量的方法.作为实例,讨论了含磁荷情况下Kerr-Newman时空中的电磁场张量,所得结果与直接进行复延拓ee+iq所得相同. 关键词：     

Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

应用本征通道量子亏损理论(EQDT),研究BeⅠ等电子序列(奇宇称,J=2)的高激发态结构,得到了表征高激发态结构的EQDT参量(U_iα,μ_α),以这些参量作为输入,获得了2snp、2pns、2snf、2pnd组态的Rydberg能级位置及通道混合系数。讨论了高激发态沿该等电子序列的变化规律。     

荜茇宁与邻硝基苯基荧光酮的荷移反应及其测定

建立了一种测定荜茇宁的方便快捷的荷移分光光度法。荜茇宁和邻硝基苯基荧光酮在中性三酸缓冲液中发生电荷转移反应,荷移络合物在515 nm处有最大吸收,表观摩尔吸光系数为6.571×10⁴ L·mol^-1·cm^-1。该络合物的组成是1:1,药物质量浓度在0.054 6~10.92 μg/mL范围内服从比尔定律,检出限为0.015 3 μg/mL。对反应机理进行了初步探索,并利用本方法对生物样品中的荜茇宁进行了加标回收,回收率为99.8%~100.9%,相对标准偏差(RSD)为0.90%。     

单、双电荷离子与原子碰撞中的激发态和发射截面比较

本文给出了单、双电荷离子和He,Ne,Ar,碰撞过程中产生的激发态的实验结果。He^q+,Ar^q+(q=1,2)离子束实验室能量为(70—170)×q keV。光学测量由光学多道分析系统(OMA)完成,波长范围为200—800nm。观察到单、双电荷离子和原子碰撞中各种不同的激发过程,讨论了发射截面和入射离子电荷数、势能亏损的依赖关系。 关键词：     

一般稳态时空中光子的轨道效应

计算了带有电荷和磁荷的旋转场源外部稳态时空中光子的轨道效应. 通过对计算结果的分析, 发现由荷电所引起的光子轨道偏转效应将减小由场源质量所引起的光子轨道偏转效应,但由场源的旋转所引起的相应偏转效应将依赖于场源的旋转方向与光子运动方向之间的夹角. 通过对相应的天体参数的讨论得到了一系列有意义的结果. 关键词： 光子轨道 引力效应 稳态时空