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基于热敏电阻温度特性的拓展实验系列研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了应用于大学物理实验教学实验中的热敏电阻温度特性实验及拓展实验系列.基于“热电阻铂和NTC热敏电阻温度特性研究”这一设计性实验,给出了相关的3个拓展实验:选择合适的元件将微安表改装成温度表,并确定测温量程范围;对电路进行改进,用铂热电阻制作热电阻式流量计;利用NTC热敏电阻温度传感器和运算放大器,对电路作进一步拓展,制作医用电子体温计. 相似文献
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大学物理实验课覆盖范围广,具有严谨的理论基础和科学的实验方法,是培养学生科学思维、提高科学素养的重要手段。但是,目前大学物理实验存在创新性不足,与生活结合性不强等问题。本次实验以热敏电阻替代定值电阻作为研究对象,以惠斯通电桥作为载体,研究NTC型热敏电阻在不同温度下电阻值与温度之间的关系。通过拟合温度与电阻值之间的变量关系,得到电阻值(RT)随温度(T)变化的函数关系,进而可以得出在任意温度的电阻值。基于热敏电阻在日常生活中随处可见,提高学生的学习兴趣,从而进一步提高基础物理实验的拓展性,提高学生的动手能力和创新能力。 相似文献
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针对热敏电阻温度特性在实验检测中存在的问题,设计出一种新的检测装置,结合传统的数据处理,改革实验教学方法,从而较准确地检测出典型热敏电阻温度特性参数,对热敏电阻温度特性有了一定的了解. 相似文献
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《Current Applied Physics》2010,10(4):1156-1163
The NTC powder materials were prepared chemically using acetates of (Mn–Co–Ni), as precursor materials. The sintering of the powders shows the existence of spinel phases at comparatively low temperature, i.e. 800 °C. ‘Green’ thick films were prepared by admixing of the spinel powder, RuO2, lead free glass frit and the organic vehicle. Synthesized powders as well as the thermistor films were characterised by FTIR spectroscopy, TG/DTA, XRD and SEM. The electrical parameters like sheet resistance, thermistor constant, temperature co-efficient of resistance of the thick film thermistors are presented. The impedance of the thermistor films was measured and it has been correlated with the theoretical model and its equivalent circuit using the ‘Cole–Cole’ plots. 相似文献
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Kunpeng Cai Zhaoyu He Jingbo Sun Bo Li Ji Zhou 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,111(4):1045-1049
A current-controlled memristive one-port was constructed from cobalt monoxide (CoO) using a traditional solid reaction method at 1150 °C in argon atmosphere. Hysteretic current–voltage (I–V) characteristics and resistance switching were investigated in the as-obtained Ag/CoO/Ag cell. Dependences of the I–V loop on voltage range (0 to 10, 11, and 12 V), voltage scan rate (0.1, 1, and 10 V/s), and temperature (323, 373, and 423 K) were reported. A thermistor model for materials with negative temperature coefficient (NTC) was proposed for explanation of the mechanism. An ideal NTC thermistor-based memristive one-port would broaden the applications of memristors and memristive devices. 相似文献
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针对当前可调谐半导体激光器吸收光谱(TDLAS)技术中调谐范围、调谐时间以及系统复杂性方面存在的不足,提出了利用激光器模块中的热电制冷器(TEC)和负温度系数(NTC)热敏电阻等元件对激光二极管(LD)进行温度宽谱调谐的方法,并在快速温度调谐过程中精确计算激光器的辐射波长。利用温度调谐二极管吸收光谱技术在3s的时间内测得了CO2气体在6320~6336cm-1波段的高分辨率吸收光谱。在此波段共测得8个较强吸收线。将得到的光谱参数与HITRAN 2008中的数据比较,吸收线位置、线强以及半峰全宽(FWHM)的偏差分别小于1%,3%以及6%。另外,测得的14条较弱的吸收谱线也与谱库中的谱线参数吻合。 相似文献
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介绍了半导体制冷片的基本结构,基于单片机和半导体制冷片设计了热敏电阻温度特性研究实验,设计完成了温度特性研究系统的硬件电路和软件构造,探讨了单片机和半导体制冷片在物理实验中的应用.此实验平台具有很好的扩张性,可用于设计组成各种温度控制类的实验内容.所完成的温度特性研究实验系统具有集成度高、体积小、使用方便等特点. 相似文献
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以传统的固相反应法制备了Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、直流阻温测试仪和交流阻抗分析仪测试了Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷的微结构和电性能.分析结果表明:Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷具有立方钙钛矿结构,颗粒尺寸约1.0 μm;在16—280 ℃范围内,Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷表现出明显的负温度系数热敏效应,其热敏常数、活化能分别为6490 K及0.558 eV;介电温谱揭示,在280 ℃下Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷材料没有出现相变行为.对于交流阻抗谱,采用3个串联的RQ(R与Q为并联)等效部件来拟合分析,拟合结果表明拟合数据与实验数据高度匹配,且这3个等效部件分别代表晶界、晶粒和晶壳的贡献.3个部件中,晶粒对陶瓷电阻阻值的影响最大,晶壳贡献次之,晶界最小,且3个部件电阻值都显示出负温度系数效应.在25—115 ℃范围内,电学模量虚部峰频与阻抗虚部峰频始终不匹配,意味着Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷体内部一直表现出局域导电机理.
关键词:
0.5Ba0.5FeO3陶瓷')" href="#">Bi0.5Ba0.5FeO3陶瓷
电性能
阻抗分析 相似文献
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伴随着数值天气预报和气候变化研究精细化程度的不断提高, 希望探空温度传感器的观测精度达到0.1 K数量级. 为了实现此目标, 运用计算流体动力学方法对珠状热敏电阻从海平面上升至20 km高空的整个过程进行数值仿真分析. 并在此基础上, 针对影响测温精度的太阳辐射强度和传感器倾斜角度两个因素进行分析. 仿真结果表明, 太阳辐射强度和海拔高度是辐射误差的重要影响因子. 当传感器倾斜角度为90°时, 珠状热敏电阻的辐射误差最小. 通过麦夸特法和通用全局优化法对仿真数据进行拟合, 获得不同海拔高度和太阳辐射强度下的辐射误差修正方程; 为验证方程的准确性, 设计和搭建太阳辐射误差模拟系统. 实验结果表明, 辐射误差实验测量值与修正方程修正值之间的平均偏移量为0.017 K, 均方根值RMS误差为0.023 K, 验证了计算流体动力学方法、麦夸特法和通用全局优化法获得辐射误差数据的准确性. 相似文献
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We improve the thermal equivalent-circuit model of the laser diode module (LDM) to evaluate its thermal dynamic property and calculate the junction temperature of the laser diode with a high accuracy. The thermal parameters and the transient junction temperature of LDM are modeled and obtained according to the temperature of the thermistor integrated in the module. Our improved thermal model is verified indirectly by monitoring the emission wavelength of the laser diode against gas absorption lines, and several thermal parameters are obtained with the temperature uncertainty of 0.01 K in the thermal dynamic process. 相似文献