BaMgAl10O17:Eu2+的MgF2表面包覆

采用溶胶-凝胶法对蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉.并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究.结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构,发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且色坐标偏移现象不明显.     

BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu~(2 )的MgF_2表面包覆(英文)

采用溶胶-凝胶法对蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu2 (BAM)进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉。并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究。结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构,发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且色坐标偏移现象不明显。     

BAM荧光粉表面包膜处理及其发光性能

为改进稀土三基色荧光粉尤其是BAM荧光粉的光衰问题，采用铝溶胶对BAM荧光粉粉体进行表面处理。获得了包覆氧化铝膜层的BAM粉。以SEM，XPS等方法对其表面形貌和组分进行测试，包覆率达到90％左右，且包覆膜层稳定。以未经包膜处理的BAM荧光粉作对照进行发光性能测试。测得包膜BAM粉的热稳定性得以改善。制成单色灯燃点试验后的光衰小于对照样品。对荧光粉表面吸附沉积的汞量变化进行检测。包膜BAM粉的含汞量小于未经包膜处理的对照样品。结果表明：对荧光粉进行表面包膜处理以保护粉体、提高热稳定性、降低光衰的研究工作是具有实际意义的。     

溶胶-凝胶法制备MgF2包覆BaMgAl10O17:Eu荧光粉及其发光特性

用溶胶-凝胶法在等离子显示屏(PDP)用蓝色荧光粉BaMgAl10O17：Eu(BAM)的表面上成功地包覆了MgF2膜,并研究了其发光与热衰减特性。XPS和SEM结果表明BAM荧光粉颗粒表面上形成了MgF2包覆膜。对包覆样品和未包覆样品的发光特性研究表明：在254nm激发下,最佳包覆量为0．2％(质量比),其在600℃热处理30min后包覆样品的发光强度比未包覆样品的发光强度约高12％。在147nm激发下,最佳包覆量为0．5％,其在600℃热处理30min后的发光强度比未包覆样品的发光强度高15％。这表明对BAM荧光粉进行表面包覆MgF2可以有效地稳定荧光粉的发光性能。这一结果不仅对提高PDP性能有重要意义,而且对开发无汞荧光灯用荧光粉等也具有指导意义。     

BaAl12O19:Mn2+荧光粉的表面包覆与发光性能

采用传统的高温固相反应法合成出BaAl12O19：Mn^2 荧光粉,利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。对包覆过程中的反应物浓度、反应过程进行研究,得到最佳包覆条件,确定荧光粉表面包覆的制备工艺。通过X射线衍射、透射电镜图、红外光谱等对表面包覆的荧光粉颗粒的结构性能进行分析,并在彩色等离子体平板显示器(PDP)上进行涂屏老化实验。结果表明在BaAl12O19：Mn^2 荧光粉颗粒表面成功地包覆上MgF2层,包覆后的荧光粉的初始发光亮度下降1．6％,而老化8h后,包覆的荧光粉亮度衰减明显优于不包覆的材料。     

BaAl_(12)O_(19)∶Mn~(2+)荧光粉的表面包覆与发光性能

采用传统的高温固相反应法合成出BaAl12O19∶Mn2+荧光粉,利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。对包覆过程中的反应物浓度、反应过程进行研究,得到最佳包覆条件,确定荧光粉表面包覆的制备工艺。通过X射线衍射、透射电镜图、红外光谱等对表面包覆的荧光粉颗粒的结构性能进行分析,并在彩色等离子体平板显示器(PDP)上进行涂屏老化实验。结果表明在BaAl12O19∶Mn2+荧光粉颗粒表面成功地包覆上MgF2 层,包覆后的荧光粉的初始发光亮度下降 1. 6%,而老化 8h后,包覆的荧光粉亮度衰减明显优于不包覆的材料。     

Y(PV)O_4:Eu~(3+)荧光粉表面包覆Y(OH)_3的性能

采用化学共沉淀法对Y(PV)O4∶Eu3+荧光粉进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆Y(OH)3膜层的Y(PV)O4∶Eu3+荧光粉。用SEM、XRD等手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征。结果表明:在Y(PV)O4∶Eu3+粉体表面均匀包覆Y(OH)3膜层后,Y(PV)O4∶Eu3+的晶格结构、发光性能没有改变,亮度较未包覆的荧光粉有较大提高,且没有发生色坐标偏移现象。     

Al2O3表面包覆增强K2SiF6∶Mn4+荧光粉发光性能和湿热稳定性

研究了粉末原子层沉积技术(ALD)在白光LED用K₂SiF₆∶Mn⁴⁺(KSFM)红色荧光粉包覆和表面改性中的应用,以及对其结构特性、发光性能和湿热环境中稳定性的影响。结果表明,采用ALD技术以三甲基铝作为前驱体、臭氧作为氧化剂,可以在KSFM表面形成氧化铝包覆层。X射线衍射、表面形貌分析表明,ALD处理过程不会影响KSFM荧光粉的晶相和形貌特征。发光光谱分析表明,由于氧化铝钝化特性还会增强KSFM荧光粉的发光强度,并且不改变其发光波长。相较于未经包覆的KSFM荧光粉,包覆层可以显著改善KSFM粉末的湿热环境稳定性,ALD包覆后样品的相对发光强度在85%湿度/85℃环境中老化处理24 h后仍能保持初始值的84%。     

荧光粉表面吸附汞的检测

在荧光灯的燃点过程中，荧光粉表面沉积吸附的汞对光衰有重要的影响。本文提出用冷原子吸收方法（CVAAS）直接检测荧光粉表面吸附汞量的变化，利用室温下原子汞对254nm共振线的吸收，且其吸收与汞原子蒸气浓度成正比进行汞量测试，测得方法的标准曲线回归方程为Y＝0.4455X 0.2000，试样的加标回收率为92.3-99.8%，满足荧光粉含汞量测定的要求。对燃点不同时间后的铝酸盐蓝色荧光粉（BAM）进行测定，结果表明：荧光粉表面沉积吸附的汞量随点灯时间的延长而增加，与灯的光衰增大趋向一致，汞的吸附沉积确实是造成荧光灯光衰的主要原因之一。检测结果还表明，将未作表面包膜处理的BAM粉与经过表面包覆纳米Al2O3膜层处理的BAM粉作对照，前者的含汞量比后者的含汞量明显要高。可见：对荧光粉进行表面包膜处理，能够保护粉体、减少汞的沉积吸附，从而降低点灯过程中的光衰。     

BaSi_2O_5∶Pb荧光粉表面性能的改善

BaSi2O5∶Pb(BSP)荧光粉现主要应用于晒黑灯,也常用于其他一些特殊用途的荧光灯,如捕蝇、光催化等。相比其他灯用荧光粉来说,这种荧光粉有一明显缺点,即光衰较大。目前解决这个问题的办法主要通过化学气相沉积法在BSP粉表面包覆Al2O3膜,提出了一种基于液相的表面处理方法,且在较高pH值下进行,该方法通过将荧光粉加入Ba2 离子溶液,使得溶液中Ba2 离子在粉表面富集,再经过滤、灼烧等后处理,得到处理后的BSP粉。以SEM,XPS等方法对其表面形貌和组分进行测试,并以未处理的BSP粉作对照进行发光性能测试,结果表明:阳离子溶液处理后荧光粉在发光性能上有了明显改善,光通维持率明显提高。     

BaSi2O5：Pb荧光粉表面性能的改善

BaSi₂O₅:Pb(BSP)荧光粉现主要应用于晒黑灯,也常用于其他一些特殊用途的荧光灯,如捕蝇、光催化等。相比其他灯用荧光粉来说,这种荧光粉有一明显缺点,即光衰较大。目前解决这个问题的办法主要通过化学气相沉积法在BSP粉表面包覆Al₂O₃膜,提出了一种基于液相的表面处理方法,且在较高pH值下进行,该方法通过将荧光粉加入Ba²⁺离子溶液,使得溶液中Ba²⁺离子在粉表面富集,再经过滤、灼烧等后处理,得到处理后的BSP粉。以SEM,XPS等方法对其表面形貌和组分进行测试,并以未处理的BSP粉作对照进行发光性能测试,结果表明:阳离子溶液处理后荧光粉在发光性能上有了明显改善,光通维持率明显提高。     

CaS:Eu,Sm荧光粉表面二氧化硅包覆对其光激励发光特性的影响(英文)

改进了CaS∶Eu,Sm荧光粉在实时剂量计系统中的稳定性和实用性。以不同体积的正硅酸乙酯作为前驱体,采用溶胶凝胶法对CaS∶Eu,Sm荧光粉进行表面包覆。分别使用荧光分光光度计和酸度计对荧光粉的发光特性和防水特性进行表征。实验结果显示当质量分数为5%时,包覆层能明显提高荧光粉的稳定性且不影响荧光粉的发光强度。从材料的光激励发光和剂量响应测试实验中可以得出材料的退火特性以及相应的辐射剂量值。以CaS∶Eu,Sm荧光粉为基础的辐射剂量测试系统显示在0.1～300 Gy范围内具有良好的线性关系。结果显示表面包覆层明显抑制光激励发光特性,而且随着辐射剂量的增加,这种影响愈来愈显著。最后,我们提出了以光激励发光技术为基础的辐射剂量在线测试改进系统。     

氧化物膜包覆碱土硫化物荧光粉的研究

采用湿法在碱土硫化物为基质的红色长余辉发光材料Ca0.8Sr0.2S：Eu^2 ,Tm^3 表面包覆一层惰性的氧化物膜,使其与外界的环境相隔离,从而提高其化学稳定性。用XRD、SEM及能谱表征了氧化物惰性膜的存在,讨论了核-壳结构间的键合作用;同时还测定了包膜前后荧光粉发光性能的变化情况及在空气中的稳定性。     

Y2O2S:Eu荧光粉低压化处理方法及其在低压显示器件中的光电特性

Y2O2S:Eu荧光粉用附加ZnO的方法使其获得具有低能量电子激发发光的能力,发现了用湿法沉淀法附加ZnO的方法比之机械混合附加ZnO的方法使荧光粉具有更低的阈值电压和较高的低能量电子激发的亮度。ZnO的加入对荧光粉的发光具有二重性,较低阳极电压时,ZnO对维持低能量电子激发发光作用是主要的,而在较高阳极电压时,ZnO冲淡Y2O2S:Eu荧光粉的发光强度,阻碍最高发光亮度的获得,因此有一个最佳的ZnO附加量,它将完全取决于使用的阳极电压。     

2019年2期 电子期刊

用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备Ce,Pr:GAGG粉体,利用XRD、SEM、荧光光谱仪等对样品表面形貌及发光性能进行表征,研究煅烧温度、沉淀剂引入草酸根对粉体发光性能的影响。结果表明,前驱体经950℃煅烧3 h后全部转变为GAGG相,Pr³⁺、Ce³⁺共掺未改变基质的物相结构;沉淀剂引入草酸铵后,粉体发射光谱积分强度由333 573 a.u上升至420 894 a.u,沉淀剂引入草酸根能提高粉体的发光性能。荧光寿命测试表明,在Ce:GAGG中掺入Pr³⁺可使Ce³⁺的荧光寿命降低,衰减时间为35.43 ns。     

CuInS2纳米晶的制备和发光性质

以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS₂量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS₂纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提高,最大达到了48%;继续增加壳层厚度,其发光量子效率反而降低。进一步测量它们的荧光寿命,发现包覆ZnS壳层后的CuInS₂纳米晶的荧光寿命明显增加,证实表面包覆明显减少其表面的无辐射复合中心,提高了其发光效率。进一步制备了CuInS₂/ZnS核壳量子点发光二极管,并对其电致发光性质进行了研究。     

核/壳结构的ZnS:Mn/SiO_2纳米粒子的制备及发光性质研究

采用溶剂热法制备了Mn离子掺杂的ZnS纳米粒子(ZnS∶Mn),然后利用正硅酸乙酯(TEOS)的水解反应对其进行了不同厚度的SiO2无机壳层包覆。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及荧光发射光谱(PL)对样品的结构及光学性质进行了表征和研究。包覆SiO2壳层后,粒子的粒径明显增大并且在ZnS∶Mn纳米粒子表面可以观察到明显的SiO2壳层。XPS测试印证了ZnS∶Mn/SiO2的核壳结构。随着SiO2壳层的增厚,ZnS∶Mn/SiO2的Mn离子的发光先增强后减弱,这是因为SiO2壳层同时具有表面修饰和降低发光中心浓度这两种相反的作用。当壳层厚度(壳与核的物质的量的比)达到5时,发光效果达到最好,其强度达到未包覆样品的7.5倍。     

发光材料、荧光材料

O482.31 2004064456 CVD法在电致发光粉表面包覆SiO_2膜=Silicon dioxide deposition on ACEL phosphor particle via CVD[刊,中]/李志强(河北大学物理科学与技术学院.河北,保定(071002)),李娟…∥表面技术.—2004,33(2).—32-35 以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下,采用流态化CVD法.对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO_2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO_3抗腐蚀、发光亮度等测试。结果表明,发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO_2。包覆的发光粉耐AgNO_3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始光亮度均能达到未包覆样品的70％以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动。图6参16(严寒)     

2018年6期 电子期刊

研究了白光LED用K₂SiF₆：Mn⁴⁺红色荧光粉湿热环境下的发光性能劣化规律及机理。结果表明,环境中水汽的侵蚀可导致K₂SiF₆：Mn⁴⁺荧光粉发光性能劣化,且温度升高可加剧该劣化过程。85%湿度/70℃下处理6 h,K₂SiF₆：7%Mn⁴⁺荧光粉相对亮度降至初始值的25%。荧光粉中Mn⁴⁺含量越高,湿热条件下的性能劣化越显著。基于湿热处理前后荧光粉的XRD、表面形貌以及光学性能的对比分析,发现湿热环境下K₂SiF₆：Mn⁴⁺荧光粉的劣化主要是由于表面水汽侵蚀产物强吸收400~700 nm的可见光,降低荧光粉的激发效率以及再吸收荧光粉的发射光。水热后处理可使K₂SiF₆：Mn⁴⁺荧光粉颗粒尺寸增大,结晶性提高,从而显著改善其耐水性。85%湿度/70℃下处理6 h,水热后处理K₂SiF₆：7%Mn⁴⁺荧光粉的相对亮度仍可保持初始值的80%。     

MgF_2薄膜对荧光薄膜紫外响应灵敏度的增强特性研究

在光敏面上镀制荧光薄膜将紫外光转变为可见光,是提高CCD和CMOS图像传感器紫外响应灵敏度的一种有效方法。针对荧光薄膜入射界面的散射和反射损耗降低荧光发光强度的分析,研究在荧光薄膜上镀制增透膜和阻隔膜的灵敏度增强特性。采用真空热阻蒸发的镀膜方法分别制备了单层Lumogen荧光薄膜和MgF2/Lumogen复合膜。利用原子力显微镜,紫外可见近红外分光光度计,荧光光谱仪对两种样品的表面粗糙度,漫反射和透射光谱以及荧光发光光谱分别进行对比测试分析。结果表明:MgF2保护层降低了表面粗糙度,减小了入射界面的漫反射损耗,对500~700nm的可见波段具有明显增透作用,也增强了Lumogen薄膜对紫外波段受激发射的荧光强度;同时,MgF2薄膜的抗损伤及水汽隔离性能对荧光薄膜紫外响应能力具有保护作用,为延长紫外CCD薄膜及器件的工作寿命提供了有效手段。