掺稀土元素Dy和Mn,P,Cu的MgSO4的热释发光光谱

实验测定了MgSO4:Dy,Mn和MgSO4:Dy,P以及MgSO4:Dy,P,Cu等的热释光磷光体的三维发光谱.结果表明,掺入Dy的MgSO4磷光体的热释发光谱线的波长与Dy3+离子的能级跃迁相关,Dy3+为热释光主要发光中心.MgSO4中只掺入Mn时,温度在140℃和190℃附近呈现波长为660nm宽范围的连续发光带,这是Mn形成的发光中心的光谱.当MgSO4中同时掺入Dy和Mn时,660nm的Mn发光带和低于300℃的Dy3+离子的发光谱强度均受到抑制,出现了波长为480nm和580nm峰温在380℃的主发光峰.这表明原MgSO4:Dy的360℃发光峰向高温方向移动了约20℃,Dy3+仍为热释光主要的发光中心,Mn则主要起能量转移的作用.MgSO4:Dy,P热释光三维发光谱可看出,P掺入使MgSO4:Dy的260℃发光峰移至283℃,并且强度大大增加,原360℃发光峰的峰温基本不变.当MgSO4:Dy,P中同时掺入Cu时,主要发光峰的峰温仍在283℃,但360℃发光峰的强度被抑制,480nm和580nm的发光峰的相对强度发生了变化.因此,Dy3+仍是热释光主要的发光中心,P和Cu参与形成新的俘获中心.     

CaSO4掺Eu和Ag,Mn的热释发光谱

用三维发光谱方法,研究了掺Eu和Ag,Mn的CaSO4热释光材料的发光特性。测定了CaSO4：Eu(0．1％,摩尔分数)经1kGy的^60Co的γ射线照射后的热释发光谱,观察到Eu^2 离子的波长为385nm,温度为120,154℃的两个发光峰,Eu^3 离子在波长590,620,700nm处有多个发光峰。测量样品经不同温度热处理后的热释发光谱,发现Eu^2 和Eu^3 离子的发光强度随热处理温度变化规律极不相同,可见,Eu^2 和Eu^3 浓度比可通过热处理来改变,从而得到需要的Eu^2 和Eu^3 相对发光强度。通过CaSO4：Mn(0．5％)和CaSO4：Eu,Mn(0．1％,0．1％)热释发光谱的比较,观察到Mn^2 不仅是发光中心,而且能起能量转移的作用。实验得到的CaSO4：Eu,Mn磷光体有很高的发光效率。实验结果表明Eu^2 取代CaSO4中的Ca^2 ,不需要电荷补偿,有比较稳定和简单的结构,其热释光峰基本符合以一陷阱和一发光中心为前提的一级动力学模型,Ag和Mn的掺入不产生Eu^2 的高温发光峰。当Eu^3 在CaSO4中取代Ca^2 离子时,因其价态不同,则需电荷补偿,可能产生缺陷复合体和局部跃迁发光,它的热释光发光机制不能用一级动力学方程表示,而Ag的掺入起电荷补偿作用,从而改变了Eu^3 发光峰温,而对Eu^2 的发光峰温影响极小。     

稀土元素Dy对金属／绝缘体／金属隧道结发光特性的影响

在普通金属／绝缘体／金属（ＭＩＭ）隧道发光结的基础上，制备了掺稀土元素Ｄｙ的ＭＩＤｙＭ结构隧道发光结，简单介绍了该结的制备工艺，对结构的发光特性及发光过程中表面等离极经激元（ＳＰＰ）的色散关系进行了讨论，对发光光谱进行了分析，阐述了稀土元素Ｄｙ对结的发光特性的影响。     

(Zn,Cd)S∶Cu,Cl发光材料的热释发光

在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S∶Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种类和陷阱深度没有明显的影响,两个峰值温度在-150℃和-50℃附近。Cd离子的掺入改变了材料较深陷阱中载流子的浓度,随着CdS量的增加,使得在-50℃的热释发光峰的相对强度增大。通过测量样品的发光光谱和发光亮度,发现随着CdS含量的增加,样品材料的发射光谱向长波方向移动,发光亮度呈下降的趋势。     

(Zn,Cd)S：Cu,Cl发光材料的热释发光

在ZnS中分别掺杂质量分数为5%、7%、10%、15%、20%的CdS,得到一系列(Zn,Cd)S:Cu,Cl粉末电致发光材料样品。测量样品材料的热释发光曲线,发现五个样品在温度-180～-20℃范围内均有两个明显的热释发光峰。CdS含量的变化对材料中陷阱的种类和陷阱深度没有明显的影响,两个峰值温度在-150℃和-50℃附近。Cd离子的掺入改变了材料较深陷阱中载流子的浓度,随着CdS量的增加,使得在-50℃的热释发光峰的相对强度增大。通过测量样品的发光光谱和发光亮度,发现随着CdS含量的增加,样品材料的发射光谱向长波方向移动,发光亮度呈下降的趋势。     

光致Mg4FGeO6:Mn发光光谱的热敏特性研究

为了发展一种新型测温方法的热敏磷光涂层,对Mg4FGeO6:Mn的双峰发光光谱的热敏特性进行了研究。建立了具有加热平台的光谱测量系统,测量了Mg4FGeO6:Mn在室温到800K温度下的发光光谱。测量了Mg4FGeO6:Mn的吸收光谱,采用晶格微扰理论分析了其双峰发射峰的形成机制。4 F′2和4 F″2向4 A2基态的跃迁,导致在630和660nm附近出现两个发射峰。由于4F′2和4 F″2的总粒子数布局满足热力学平衡,随着温度的升高,两个发射峰呈现了不同的变化趋势,630nm附近的发射峰强度下降较缓,而660nm附近的发射峰强度下降较快。这一变化趋势为采用双峰发射峰强度比测温方法提供了依据。拟合了两个发射峰处的光强比与温度的关系曲线,获得了Mg4FGeO6:Mn采用双峰发射峰强度比方法测温范围为室温到800K。     

应力发光材料Sr2SiO4∶Eu,Dy的光谱性质研究

采用高温固相法制备一系列Sr₂SiO₄∶Eu_0.01, Dy_x(x=0.000 1, 0.002 5, 0.005, 0.01)应力发光材料,研究了不同掺杂浓度下,Sr₂SiO₄∶Eu, Dy的光致发光和应力发光性质。研究结果表明在掺杂Dy3+浓度较低时,样品同时存在α和β两种相,当掺杂Dy3+浓度增加时,则出现β到α的相转变。由于Eu2+占据Sr2+格位的不同,样品在蓝光区486 nm(Sr1)和绿光区530 nm(Sr2)有两个峰存在。而应力发光光谱与余辉光谱类似,均只呈现出530 nm的发光,这说明二者的发光来源于占据Sr2格位的Eu2+,都是通过改变陷阱的浓度实现发光性能的变化,但Sr₂SiO₄∶Eu, Dy的应力发光强度的变化还与其结构改变有关。同时,Sr₂SiO₄∶Eu, Dy应力发光强度与所施加的力之间呈良好的线性关系,并且可用眼睛观察到明显的黄色应力发光,这为应力发光传感器准确检测物体所受应力提供依据。结合余辉、热释以及应力发光性质,推测Sr₂SiO₄∶Eu, Dy的应力发光机制应是压电产生的电致发光。     

激光烧蚀Al热原子与CF4反应中C2的形成及其发光光谱研究

脉冲激光烧蚀金属平面铝靶产生的热原子与气相CF4碰撞反应中，在400—600nm之间观测到激发态C2分子的发光光谱，它们可归属为Swan带的d3Πg-a3Πu跃迁中Δv＝２，1，0，-1，-2五个振动序列（v'≤6）.光谱强度分析表明，C2激发态的振动温度达6340K左右.与激光烧蚀Al＋O2反应生成AlO的实验结果以及激光烧蚀Cu＋CF4的光谱比较，对比Al(2P1/2-2S1/2,3944nm）和C2的d—a跃迁（0—0）带带头（5165nm)的飞行时间轮廓，认为激发态的Al(2S1/2)原子通过 关键词： 激光烧蚀 发光光谱 C2分子     

基质发光晶体Na5Eu(MoO4)4在高压下的光谱与晶体场参数

对白钨矿型化学计量的基质发光晶体四钼酸铕钠Na₅Eu(MoO₄)₄在室温下的高压光谱用金刚石对顶砧高压显微光谱系统进行了研究。确定了Eu³⁺各发射谱线的压力红移率。按晶场理论简化方法推导了能级的晶场参数表达式,并按实验数据拟会出晶场参数随压力的移动率。还将上述结果与掺杂发光材料YVO₄:Eu的高压光谱结果作了对比。 关键词：     

Zn,Ni,Mg高掺杂La1.85Sr0.15CuO4的晶体结构比较

对Zn,Ni,Mg高掺杂的La_1.85Sr_0.15CuO₄(LSCO)超导体的X射线衍射谱进行了仔细的分析,从而获得了各掺杂样品的晶格常量、原子结构参量及衍射的峰形参量,比较了不同掺杂所引起的晶体结构的差异,计算了由于掺杂所产生的晶格内部的微应变,结果表明非磁性金属Zn,Mg掺杂比磁性金属Ni掺杂更强烈地抑制了LSCO的超导电性可能与材料中晶格的微应变有关. 关键词： 1.85Sr_0.15CuO₄')" href="#">La_1.85Sr_0.15CuO₄ 磁、非磁掺杂 原子结构参量 晶格微应变     

ANISOTROPY OF OPTICAL ABSORPTION INTENSITY IN Tm3+ DOPED YVO4 CRYSTALS

Seven absorption group-bands (¹D₂, ¹G₄, ³F₂, ³F₃, ³H₄, ³H₅, ³F₄) of Tm³⁺ in YVO₄ single crystals have been observed in the orientation absorption spectra recorded in the spectral range from 200 to 4000 nm at 300K. The integrated absorption cross section for each group-band was accurately evaluated. On the assumption that the anisotropy of this uni-axial crystal is small, the Judd-Ofelt theory was extended for the calculation of 4f-4f transition intensities of Tm³⁺ in YVO₄. Two sets of phenomenological intensity parameters were derived from a least-squares-fit procedure. For c-axis cut sample we have Ω₂=10.18 (10^-20cm²), Ω₄=1.96 (10^-20cm²), Ω₆=0.75 (10^-20cm²).For a-axis cut sample we have Ω₂=8.20 (10^-20cm²), Ω₄=2.47 (10^-20cm²), Ω₆=0.91 (10^-20cm²). The anisotropy of the optical absorption intensities of Tm³⁺:YVO₄ was theoretically analyzed in detail.     

氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱

本文报道了氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱，发现氮原子替位掺杂可激活Ｃ６０分 部分红外沉寂模式，紫外可见光谱证实，氮掺杂后，氮以施主态存在。     

(Bi,La)4Ti3O12-Sr(Bi,La)4Ti4O15共生结构铁电材料性能研究

采用固相烧结工艺，制备了不同La掺杂量(x=0.00，0.25，0.50，0.75，1.00，1.25和1.50) 的(Bi, La)₄Ti₃O₁₂-Sr(Bi, La)₄Ti4O₁₅ (SrBi_8-xLa_xT i₇O₂₇)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析 ，并测量铁 关键词： 4Ti₃O₁₂-SrBi₄Ti₄O₁₅')" href="#">Bi₄Ti₃O₁₂-SrBi₄Ti_{4O15 La掺杂 铁电性能 居里温度 弛豫铁电}     

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO₄(PWO),PWO:Y³⁺,PWO:Gd³⁺多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中,掺杂Y³⁺或Gd³⁺都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb³⁺,O^-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y³⁺可以消除253K的热释光峰,即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb³⁺,Gd³⁺,Y³⁺的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb²⁺后形成的电子陷阱深度有别(E_Pb>E_Gd>E_Y),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同 关键词： 4')" href="#">PbWO₄ Y和Gd掺杂 热释光 陷阱     

钨酸铅晶体中的偶极缺陷

在用阻抗谱研究PbWO₄（PWO）晶体的介电特性时发现，掺La³⁺的PW O晶体中存在典型的介电弛豫现象，它被归因于La³⁺进入Pb位并与铅空位V_Pb缔合 成偶极缺陷.这一结果不仅清楚地证明了PWO晶体中铅空位的存在，而且表明阻抗谱测试可以成为PWO晶体微结构研究的有力工具.以阻抗谱测试为主要工具，结合光吸收谱（包括红外谱）和x射线光电子能谱，阐明了在异价掺杂离子（3+，4+，5+以及3+和5+双掺）掺杂的PWO晶体中 关键词： 钨酸铅 偶极缺陷 异价掺杂 退火效应     

ELECTROCHEMICAL OXIDATION OF La2CuO4 SINGLE CRYSTALS

Bulk superconducting La₂CuO_4+δ single crystals are obtained by using electrochemical intercalation technique from the as-grown insulating samples. Oxidation is carried out by constant current I=10μA at temperature T=70℃ and room temperature, respectively. Structure and magnetic properties are studied by low-temperature X-ray diffraction and susceptibility measurements. A superconducting phase with T_c of 19K and δ-0.12 can be attributed to the formation of oxygen clusters. Room temperature oxidation is inhomogeneous: two superconducting phases with T_c1 of 24K and T_c2 of 8K and an antiferromagnetic phase are coexisting in the crystal. It is found that the appearance of T_c in this system has the "step" tendency.     

Sr2CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr₂CeO₄，Sr ₂CeO₄∶Ca ²⁺和Sr₂CeO₄∶Ba²⁺样品，并对其光谱特性进行 了研究.结果发现，对于由SrO和CeO₂直接反应生成的Sr₂CeO₄(Ⅰ)，激发主峰位于256nm 左右；而对于SrCeO₃和SrO反应生成的Sr₂CeO₄(Ⅱ)，激发主峰位于279nm左右.在Sr₂CeO₄(Ⅰ)中掺入Ca²⁺，其激发光谱随着Ca²⁺离子浓度的增加逐渐接近于Sr₂CeO_{4(Ⅱ)的激发光谱.激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce⁴⁺—O^2-键的电荷迁移 带.对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰，其峰值波长不受形成机理及Ca²⁺掺杂的影响，只是其强度 随着 激发主峰的红移而增加，它可能属于CeO6八面体平面上Ce⁴⁺—O2-键的电荷 迁移带.形成机理及Ca²⁺掺杂对发射光谱没有影响.Ca²⁺在Sr 2CeO 4(Ⅱ)与Ba²⁺在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难 于替代Sr²⁺的位置.}