铌酸锂大单晶的生长及其性能

用直拉法沿[0001]方向和(1014)晶面法线方向从熔体中提拉生长成功直径100毫米,高50毫米的铌酸锂单晶,测试表明,大单晶的压弹介性能与通常的铌酸锂一样,并具有较好的均匀性。 关键词：     

片状铌酸锂单晶的生长及其特性

采用润湿导模技术生长出大块的片状铌酸锂单晶,尺寸可达200mm长、20mm宽、3mm厚。经测试,性能与柱状单晶相同。为了做好此项工作,我们测定了铌酸锂熔体的密度ρ_m与表面张力α等物理常数,得出在1270℃时ρ_m=3.57×10³kg/m³,α=204dyne/cm;在1300℃时ρ_m=3.42×10³kg/m³,α=192dyne/cm。 关键词：     

铌酸锶钠锂单晶的生长

铌酸锶钠锂单晶具有优良的电光性能,但它在室温下为亚稳相。生长的晶体降温至1200℃以下要通过共析反应区。我们用提拉法采取大温度梯度生长,在共析反应区较快速降温避免分解等措施,获得最大尺寸为直径10mm,长15mm的单晶。文中讨论了引起开裂的原因及生长过程中遇到的主要问题。 关键词：     

抛物型折射率包层的铌酸锂单晶光纤

利用镁离子内扩散的方法，实现了铌酸锂单晶光纤具有抛物型折射率包层的波导结构。对扩散层中的镁离子浓度分布进行了理论模拟，理论和实验结果相符合。     

铌酸锂单晶一些振动模式的机电耦合系数

本文利用晶体的压电、弹性、介电矩阵,通过矩阵及张量运算,推导出铌酸锂晶体厚度模机电耦合系数的精确公式。并计算了任何切割点三个振动模式的机电耦合系数,所得曲线对使用这种晶体具有一定的参考意义。     

LISICON(锗酸锌锂)单晶的Li~ 离子电导

本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li~ 离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σ_b≤σ_a≤σ_c≤σ_[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×IO~(-2)Q~(-1)·cm~(-1)增加到1.25×10~(-1)Q~(-1)·cm~(-1),logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。     

高掺镁铌酸锂晶体的生长和倍频性能

我们通过测定MgO在同成分LiNbO₃中的有效分凝系数、相位匹配温度与MgO浓度之间的关系,找到了使Mg:LiNbO₃晶体的相位匹配温度达到最高的掺MgO配方,并克服了Mg:LiNbO₃晶体在高掺杂生长时易出现生长条纹和脱溶等问题,从而生长出了抗光折变能力强,光学均匀性良好的Mg:LiNbO₃晶体。用于连续泵浦Nd:YAG声-光调Q腔内倍频时,获得了平均功率最高达2瓦的二次谐波输出。 关键词：     

碘酸锂单晶的生长

本文报导了用恒温蒸发方法从水溶液中生长非线性光学材料α碘酸锂单晶的一些结果和有关现象,包括溶解度数据,晶种培育步骤,生长大单晶的经验以及异型体β－ＬｉＩＯ３晶体的出现条件,较着重地叙述了α－ＬｉＩＯ３Ｚ轴两端生长率的差异,溶液的ｐＨ值与温度等因素对三个方向的相对生长率和晶体楔化度的影响,晶种切型等与晶体宏观缺陷的关系．此外,采用了ｘ射线反常散射方法测定晶体的绝对构型,验证了快生长端是α－ＬｉＩＯ３的正电极．     

锗酸铋晶体的超声特性

本文采用超声脉冲回波法在4.2K—300K温区内测试了锗酸铋晶体[110]和[111]晶向的超声纵波衰减与温度的关系,结果在50K附近均出现由于激活弛豫过程所引起的大的异常衰减峰;本文还用脉冲回波重合法精密测定了[100],[110]和[111]晶向的超声纵波和横波的声速,并由此计算出弹性常数C₁₁,C₄₄和C₁₂。     

超低损耗铌酸锂光子学

铌酸锂光子集成是推动未来高速光通信和光信息处理领域变革性发展的重要前沿技术.介绍了利用铌酸锂光子芯片制造技术制备集成光路中关键光子结构与器件的最新研究进展.得益于单晶铌酸锂晶体的高非线性系数和强电光效应,利用制备的高性能铌酸锂光子器件演示了多种高效的非线性光学过程.     

铌酸锂薄膜调制器的研究进展

铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能。基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了V_πL<2 V·cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz。铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案。最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望。     

硅酸铋单晶的生长及其性能

一、引言在某些微声表面波器件里,希望有一种低声速的材料,同时要求它具有一定的压电性能,例如锗酸铋（Ｂｉ_１２;ＧｅＯ_２０,简称ＢＧ）单晶就是这样的材料．能否获得这方面性能比锗酸铋更好的材料呢？这是我们关心的课题．我们在生长锗酸铋单晶的基础上,考虑到硅（Ｓｉ）与锗（Ｇｅ）同是ＩＶＡ族元素,都有＋４价的氧化物,其离子半径相近（锗为０．５５埃,硅为０．４０埃）,它们的配位数都具有４,６两种可能的数?...     

铟钕掺杂钽酸锂单晶的生长及光学性能

采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶。测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱,分析了该晶体的缺陷结构,得到了铟离子的掺杂浓度阈值。当铟离子掺杂浓度达到该阈值时,In∶Nd∶LiTaO3晶体的抗光损伤能力显著增强。铟离子取代晶体中的反位TaLi4+,使晶体光电导增大,减弱了光折变效应。In∶Nd∶LiTaO3晶体在光波长0.808μm处的吸收峰的半峰全宽为15nm,吸收截面为5.26×10-21 cm2。采用0.808μm半导体激光作为抽运源,钕离子在光波长1.06μm处出现强烈的荧光带。这些研究结果表明,In∶Nd∶LiTaO3作为多功能晶体可以应用于高功率的光子学或光电子学器件中。     

锂铌比对铪铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响

以掺杂4mol%Hf4+的LiNbO3:Fe:Hf系列晶体([Li]/[Nb]比变化)为研究对象,研究了系列晶体的可见吸收光谱,在632.8nm的写入光下晶体的衍射效率、灵敏度和抗光散射能力在不同[Li]/[Nb]下的变化规律.研究发现Hf4+的浓度达到阈值浓度后,随着[Li]/[Nb]比的增大,晶体的可见吸收边会发生红移,而且晶格中[Fe2+]/[Fe3+]也会增加,这就导致随着[Li]/[Nb]比的增加,样品的衍射效率逐渐减小,写入时间缩短,灵敏度增大.同时,在晶体中,随着[Li]/[Nb]的增大,陷阱中心Fe2Li+数量增大会使得晶体抗光散射能力减弱.     

导模法生长铌酸锶钠锂单晶并验证相图

引言铌酸锶钠锂（简称ＳＮＬ）单晶是５＋１型的钨青铜结构的铁电体[１］,由于它具有半波电压低、温度系数小的特性[２］,近年来一直受到人们的重视．已经用提拉法生长了这种晶体[３］并测试了它的物理特性[４］,证明温度系数对晶体中的锂含量是敏感的,增加晶体中的锂含量可使温度系数在较宽的温度范围内近似为零．用提拉法生长时,锂的分凝系数远小于１[３］,而用导模法生长时能改善分凝系数[５］,使晶体中的锂含量比用?...     

锂铌比对铪铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响

以掺杂4 mol%Hf⁴⁺的LiNbO₃:Fe:Hf系列晶体（[Li]/[Nb]比变化）为研究对象,研究了系列晶体的可见吸收光谱,在632.8nm的写入光下晶体的衍射效率、灵敏度和抗光散射能力在不同[Li]/[Nb]下的变化规律.研究发现Hf⁴⁺的浓度达到阈值浓度后,随着[Li]/[Nb]比的增大,晶体的可见吸收边会发生红移,而且晶格中[Fe²⁺]/[Fe³⁺]也会增加,这就导致随着[Li]/[Nb]比的增加,样品的衍射效率逐渐减小,写入时间缩短,灵敏度增大.同时,在晶体中,随着[Li]/[Nb]的增大,陷阱中心Fe²⁺Li数量增大会使得晶体抗光散射能力减弱.     

锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))单晶闪烁体

1965年,Nitsche[1]第一次拉成锗酸铋(以下简称BGO)单晶.然而把BGO单晶作为闪烁体来进行研究,其历史却还不到十年.1973年,Weber等人[2]首先用X射线激励,研究了它的发光机理和荧光特性.1977年,Cho等人[3]对 BGO和 Nal(TI)闪烁体用于探测低能核辐射进行了比较。指出:由于BGO具有较     

均匀折射率包层铌酸锂单晶光纤远离截止区的模特性讨论

给出了具有均匀折射率包层铌酸锂单晶光纤的场强颁上和本征值方程，分析了远离截止区的模特性。     

铌酸锂输出移至红外区

美国Aculight公司的研究人员试验了使用以周期性通电的铌酸锂（PPIN）为基础的一种光学参量振荡器（OPO）将Nd：YVO4激光器在1064nm处的输出转移到1．5至3．6μm。泵浦源是一种光谱物理学激光器，FC-bar二极管泵浦激光器产生重复频率为20kHz的0．5W输出。目前被美国空军用于激光雷达成像。PPLN晶体是由DeaconResearch公司生产的。人们认为，此次试验是在工业制造的PPIN晶体中进行的首次高重复率，低泵捕能量转换。该器件在10mm长的PPLN晶体中显示出大约12．5μJ的低阈值能量。材料的周期为29．3μm，厚度0．5mm，长1．0cm。单…