《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

《国外信息显示动态》1970年1—6期《国外信息显示》1970年7—9期分类目录

第一部分正文 (一)综述期页显示的应用及其技术(节译)11、28大屏幕显示(节译)129、31大屏幕显示21、13集成化固体显示5 23、31美帝大屏幕显示的研制情况8、91、6发光元件的最新进展8、951~57 (二)荧光材料葫激活A班BvO;型荧光粉的发光性质221、32游激活的几种险及硷土金属的犯酸盐及缸酸盐的的荧光 及阴极射线发光233、36无机磷光体中的三价离子237、5,发绿光的硫化锌场致发光磷光体31~9(加,Cd)(S,Se)的场致发光性质3 10”24 (三)显示方法 (1)场致发光显示平板电视屏的显象方法138~46场致发光平板显示413、23 56硫化锌直流场致发光显示一…     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

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1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场…     

《国外发光与电光》一九七六年分类目录

一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向(动态报导)31一低能离子电子发光(动态报导)43稀土在无机晶体中的发光48稀土在光学和发光材料中应用的理论基础4 30专题讨论会一稀土在发光中的应用446磷光体应用的最近进展533发光材料4上_发光使我们能看到看不到的东西548__研磨对硫化锌荧光粉性能的影响561-氢硫化物荧光粉(专利选报)5 74生物化学中的发光(上)6 47 二、电致发光(场致发光) 粉末薄膜材料和器件-谈场致发光器件的…     

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一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…     

在ZnS场致发光磷光体形成过程中Cu_2S相的作用

硫化锌磷光体的场致发光性能是因为在这些磷光体中有第二相——硫化铜的存在,这一推测到目前为止,无论从间接的或是直接的方面都得到了证实。在制备ZnS场致发光磷光体的过程中形成Cu_2S,现在已是无可争议的事实。可是Cu_2S参与ZnS磷光体场致发光激发过程的性质还不太清楚。 磷光体中这个相的含量和它对场致发光的作用之间的关系等有关资料可能对查明Cu_2S在场致发光磷光体中的作用有促进作     

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一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

《国外发光与电光》一九七五年分类目录

一发光的一般问题:ZnS荧光粉的表面吸附和光化学过程的研究关于磷光体效率的讨论会(动态)稀土发光的一些特性稀土磷光体中辐射及无辐射过程的估算(会议文摘)在磷光体生产中要注意的几点(会议文摘)美.日荧光粉工业的现状与发展趋势一九七五年国际发光会议文摘选辑 14 662 1 213专辑2 3 3 5 5 56 二场致发光:化合物半导体的场致发光扮末,薄膜材抖和器件:4 9 n 41 68 73 2 2 31 58 62 34 36 51 56561上1一JI J.︷,上唯1 2 2 2 2 21公5 5 55 场致发光留象板(动态) 用场致发光屏的电视显象系统(会议文摘) 稳定的高亮度薄膜场致发光屏(会议文摘)…     

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一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光

从ZnS:Mn:Cu粉末获得直流场致发光(DCE)现在是完全肯定了,但至少还存在两个问题。其一是能量传给Mn~(++)中心的机构问题,另一个问题是从ZnS系统获得其他颜色还有困难。关于后一个问题,我们曾报导过铒激活的硫化锌的绿色直流发光,亮度达到2呎—朗伯,能量效率为10~(-3)％(2)原文为10~3％——译注)。虽然稀土掺杂的ZnS磷光体在广阔范围的光致发光光谱已有过报导(如Larach(3),(4)所综述),但至今还没有发表过有关粉末     

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9.氢共激活的ZnS一Cdse场致发光粉 一、发光的一般问题:的发光特性 1.发光研究的目前趋势同上488 IN产OPT.PROP.Ions in Solids’Plenum Publ.co.N.Y.vol.8,1975 10.掺锰的硫化锌场致发光薄膜器件中 固有的存贮效应 2.全波发光会议Proe.Conf.Solid State Devices Post.Fiz。1975。26(2)230 1974,6,103 3.由低带隙的高强度激发引起的CdS n.直流场致发光薄膜器件发光美国专利3.889.016 Solid State Commun。,1975,17(4),523 12.叠层场致发光屏 西德专利DS 1639一104 4 .22届全苏发光会议(分子发光) Te3二c。江oK二.AHCCCP.AH…     

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一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

直流场致发光屏将能批量生产

美国伦敦G.E.C.Hirst研究中心正在生产一种直流场致发光显示屏,据说已宜于批量生产并且价格适中。 这种显示屏用的是硫化锌磷光体,与以前的交流屏所用磷光体不同,它含铜的体浓     

场致发光磷光体

综述了硫化锌一类场致发光磷光体的性质。过去,这些磷光体由于材料的限制而带来的亮度低、寿命短以及驱动的问题,仅有少数可以应用的器件。对交流激发的ZnS:Mn蒸发薄膜和直流激发的ZnS:Mn、Cu粉末层这两种特殊的结构形式的性质进行了仔细的讨论。它们表现出高效率、可在低占空因数下使用、具有高反差度、高对比度和可供使用的寿命这样一些特性。此外,基本工艺能够提供廉价而结实的器件,这些器件可以作成各式各样的符号组合以及各种大小。可以得出结论,这一技术对显示系统提供了潜在的优越性,为了满足今后对显示的要求,特别是在成本和坚固性受到苛刻限制的那些场合,它应被看作是一种很有生命力的候选方案。     

粉末材料的场致发光(2)——材料制备的几个问题

在场致发光应用的多年实践中,人们广泛的研究了场致发光材料方面的许多问题。特别是在当前,场致发光材料性能的优劣,是能否实现场致发光大面积平板显示显像的关键条件之一。 近廿多年来人们一直在寻求什么样的物质在交流(或直流)电场激发下,能够高亮度、高效率地发光。在大量的、广泛的实验基础上,从无机物到有机物,人们发现,SiC,AlN,Al_2O_3,ZnO,GaN、GaP,CaS、ZnS、CdS、ZnSe、CdSe、Y_2O_3、YVO_3、蒽等等,不下几十种材料具有场致发光。但就粉末材料而言,硫化锌系材料是     

《国外信息显示》1971年分类目录

(一)综述期页 光电转换技术的最新动态1 34一39 台式计算机的显示装置328一31代侵越美军用微光器件及红外器件,46一7 图象通信48一18 显示器件的进展和各种显示设备的现状630一35 彩色电视基色的选定61一21 显示的意义及新的显示技术81一2 (二)显示方式 1。场致发光显示 场致发光显示器件工作电路的进展2‘27一28 值流场致发光光源3 47一49 场致发光层的电泳涂敷方法丫韶一30 具有隧道注入阴极的葱场致发光盒818一19 场致发光矩阵扫描装置的改进8 35一37 场致发光Z巧:Mn、Cu、Cl薄膜对道角脉冲激发的响应925一28 含澳加荆的慈的绿色场致发…     

硫代镓酸锌掺锰的发光性质

本文介绍关于激活的硫代镓酸盐的发光性质。从研究结果可看出以硫代镓酸锌为基质的磷光体可能成为一类有用的材料。这类材料以前没有人报导过。 ZnS和Ga2S3在900℃固相反应,很容易制成粉末状的ZnGa2S4。 X光测试证明在1小时后化合物完全形成。用一些过渡金属和稀土激活剂制备了一系列磷光体。其中以锰激活的磷光体显示出最佳发光性质。 对不同锰浓度的材料以长波紫外激发进 行效率测量,结果表明,效率随锰浓度而稳定地增加。只有在非常高的激活浓度时才出现饱和。 锰在硫化锌中的发光谱峰位于587nm,而在ZnGa2S4中移到640nm。对这种现象用配位场密度的变化下Mn2 自由离子在四面体配位场中位置的移动来解释。     

CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究

1.引言 Ⅱ—Ⅵ族粉末磷光体的直流场致发光(DCEL)还没有像交流场致发光(ACEI)研究得那样深入。几乎所有作过的这方面的工作都是关于ZnS:Cu、Mn粉末磷光体的DCEL的。这个事实使我们有理由对CdS粉末的DCEL感兴趣,因为CdS是著名的发光体和光导体。     

近期外文资料索引

123一5一、发光的一般问题:、,。二、。*、、二 、供八~麟’一~‘硫化锌薄膜的激活_分时发射光潜的理论Thin Solid Film”,1975,25(2),_ J .Chem.Soe.Farady Trans.,2,530二 1975,71(4),773一80 zns:Cu在红色区域的发光一__第四次国际发光剂量学讨论会文集1 .2.从nC,197522(3)535 3卷红外光对ZnS:Cu场致发光单晶光谱特性 Proeeedings of the Fourth Inter一的影响 national Conferenee on Lumines一H3B.By3.中H3HRa 1975,3 .149_ cence Dosimetry.Vol 1 .2 .3.无机磷光体-硫化镐中的双激子发射线“HeoPraH二二cK二e几。MoH。中…