Sr2SiO4∶Dy3+材料制备及发光特性

采用高温固相法制备了Sr2SiO4∶Dy3+发光材料. 在365 nm紫外光激发下, 测得Sr2SiO4∶Dy3+材料的发射光谱为一个多峰宽谱, 主峰分别为486, 575和665 nm; 监测575 nm的发射峰, 所得材料的激发光谱为一个多峰宽谱, 主峰分别为331, 361, 371, 397, 435, 461和478 nm. 研究了Dy3+掺杂浓度对Sr2SiO4∶Dy3+材料发射光谱强度的影响. 研究结果显示, 随着Dy3+浓度的增大, 黄、蓝发射峰比值(Y/B)也逐渐增大; 随着Dy3+浓度的增大, 575 nm发射峰强度先增大后减小. 加入电荷补偿剂Li+, Na+和K+均提高了Sr2SiO4∶Dy3+材料的发射光谱强度, 其中以Li+的情况最为明显.     

Ce3+激活的LiSrBO3材料发光特性及晶体学格位研究

采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料. 测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱; 监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱. 利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时所占晶体学格位, 得出433 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射, 469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射. 研究了Ce3+浓度对LiSrBO3∶Ce3+材料发光强度的影响, 研究结果显示, 随着Ce3+浓度的增大, 发光强度呈现先增大后减小的趋势, 在Ce3+摩尔分数为3%时到达峰值, 根据Dexter理论, 其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用. 引入Li+, Na+和K+作为电荷补偿剂时发现, LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱强度均得到了明显的增强. 利用InGaN管芯(370 nm)激发LiSrBO3∶Ce3+材料时, 获得了很好的蓝白光发射, 色坐标为(x=0.289, y=0.293).     

白光LED用KCaPO4:Eu3+红色荧光粉制备及其发光特性

采用高温固相法制备了KCaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响.结果显示,在397 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰为613 nm;监测613 nm发射峰,所得激发光谱由O2-→Eu3+电荷迁移带(200～350 nm)和f-f高能级跃迁吸收带(350～450 nm)组成,主峰为397 nm.Eu3+离子的最佳掺杂浓度为5%(摩尔分数);浓度猝灭机制为电偶极-电偶极相互作用.添加电荷补偿剂Li+,Na+,K+或Cl-后,可提高KCaPO4:Eu3+材料的发射强度,其中以添加Li+时,效果最明显.     

Li2Sr0.995-xSiO4:0.005Eu2+,xLa3+荧光粉的晶体结构与发光特性

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了Li2Sr0.995-x SiO4:0.005Eu2+,xLa3+荧光粉。利用X射线衍射仪、荧光光谱仪和紫外可见分光光度计对样品的晶体结构、激发光谱、发射光谱与荧光衰减寿命以及漫反射光谱进行测试分析。实验结果表明:所制得的样品为单一相的Li2SrSiO4晶体结构化合物。Li2Sr0.995-x SiO4:0.005Eu2+,xLa3+荧光粉的激发光谱均呈现出宽激发带,其中最强的激发峰位于408 nm左右。在此波长激发下可得到峰值位于570 nm左右的宽波段单峰发射光谱,其对应于Eu2+离子4f65d1→4f7电子跃迁。La3+掺杂Li2SrSiO4:Eu2+荧光粉基质产生了晶格缺陷[2La·Sr·V″Sr],其可以吸收光能并将能量传递给发光中心离子Eu2+,进而增强Li2Sr0.995SiO4:0.005Eu2+荧光粉的发光强度。漫反射光谱和荧光衰减寿命测试结果也证实La3+掺杂能够增加Eu2+的激发态吸收能量,延长发光中心Eu2+离子荧光衰减寿命。     

Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的制备与发光性能

以α-Si3N4,SrCO3,Eu2O3为原料,采用碳热还原氮化法制备了Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉.研究了材料的结构与光谱特性,分析了影响材料发光性能的工艺因素.结果表明,石墨粉含量和助熔剂的用量对Sr2Si5N8相的形成和发光性能有重要影响.当nc/nSr=1.5,助熔剂用量为4wt%时,合成样品的主晶相为正交晶系Sr2Si5N8,在400～550 nm可见光激发下,可发射峰值波长位于 609nm荧光.激发带的位置与Eu2+离子浓度无关,为400～550 nm之间的宽带激发;但发射强度随Eu2+离子浓度的增加而增加.Eu2+离子浓度达到5mol%时发射强度达最大值,在Eu2+离子浓度为2mol%～5mol%之间,观察到发射峰的红移现象.     

绿色荧光粉Ba2-xB2O5:xTb3+的制备及发光性能研究

采用高温固相法合成了Ba2-xB2O5:xTb3+绿色荧光粉。XRD图谱表明合成物质为纯相的Ba2B2O5晶体。该样品在256 nm(4f8→4f75d1)处有最强激发;有4个发射峰,分别位于489 nm(5D4→7F6),545 nm(5D4→7F5),585 nm(5D4→7F4)和622 nm(5D4→7F3);其中在545 nm处有最强发射。随着Tb3+掺杂浓度的不同,激发峰与发射峰的强度先增大后减小,当x=0.7时最佳。研究了电荷补偿剂Na+对发光性能的影响,样品的发射光谱强度随Na+掺杂浓度的增大而增大,当掺杂浓度达到或超过Tb3+浓度后发射光谱强度下降。     

NaBaPO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉制备及其发光特性

采用高温固相法合成了NaBaPO4:Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.NaBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、543、587和624nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为543nm;监测543nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330nm)和4f-4f电子吸收(330-400nm)组成,主峰为380nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对NaBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响.结果显示:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可以在很大程度上提高材料的发射强度.     

LED用Sr_((1-1.5x))Mo_(0.8)Si_(0.2)O_(3.8)∶Eu_x~(3+)红色荧光粉的制备及其荧光性能

通过高温固相法合成了LED用红色荧光粉Sr(1-1.5x)Mo0.8Si0.2O3.8∶Eu3x+(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)。通过XRD、激发光谱和发射光谱测试了材料的物相组成以及发光性能。x=0.1样品的XRD谱与JCPDS 08-0482(SrMoO4)的标准卡片相同。Eu3+代替晶格中Sr2+的位置成为发光中心。随着Eu3+含量x的增加,593 nm处的5D0-7F1跃迁和614 nm处的5D0-7F2跃迁发射强度会相互转换:当x≤0.4时,以磁偶极5D0-7F1跃迁为主,发射橙色光;而当x=0.5时,以电偶极5D0-7F2跃迁发射为主,发射红光。可能是过量掺杂的Eu3+离子,只能存在于晶格空位形成缺陷,无法占据SrMoO4中Sr2+的格位中,Eu3+在晶格中占据非对称中心的格位,导致电偶极跃迁变成允许跃迁,从而增加了5D0-7F2跃迁,减弱了5D0-7F1跃迁。因此,可以通过调节激活剂的含量获得不同发光色的荧光粉。Eu3+掺杂的硅钼酸锶体系,614 nm激发下,在368 nm处出现宽的基质吸收峰和467 nm处7 F0-5 D2的跃迁峰,且这2处的吸收峰在x=0.5时比x=0.4时...     

LED用Sr(1-1.5x)Mo0.8Si0.2O3.8:Eu3+x红色荧光粉的制备及其荧光性能

通过高温固相法合成了LED用红色荧光粉Sr(1-1.5x)Mo0.8Si0.2O3.8∶Eu3+x（x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5）。 通过XRD、激发光谱和发射光谱测试了材料的物相组成以及发光性能。 x=0.1样品的XRD谱与JCPDS 08-0482(SrMoO4)的标准卡片相同。 Eu3+代替晶格中Sr2+的位置成为发光中心。 随着Eu3+含量x的增加,593 nm处的5D0-7F1跃迁和614 nm处的5D0-7F2跃迁发射强度会相互转换：当x≤0.4时,以磁偶极5D0-7F1跃迁为主,发射橙色光;而当x=0.5时,以电偶极5D0-7F2跃迁发射为主,发射红光。 可能是过量掺杂的Eu3+离子,只能存在于晶格空位形成缺陷,无法占据SrMoO4中Sr2+的格位中,Eu3+在晶格中占据非对称中心的格位,导致电偶极跃迁变成允许跃迁,从而增加了5D0-7F2跃迁,减弱了5D0-7F1跃迁。 因此,可以通过调节激活剂的含量获得不同发光色的荧光粉。 Eu3+掺杂的硅钼酸锶体系,614 nm激发下,在368 nm处出现宽的基质吸收峰和467 nm处7F0-5D2的跃迁峰,且这2处的吸收峰在x=0.5时比x=0.4时强3倍左右。 材料能非常好的吸收368 nm波长的光,产生颜色可调的橙红色。 与近紫外光LED芯片匹配良好。     

白光LED用Sr_(0.955)Al_2Si_(2-x)Ti_xO_8∶Eu~(2+)荧光粉的晶体结构和光谱特性

由高温固相反应制得Sr0.955Al2Si2-xTixO8∶Eu2+(x=0~1.0)系列试样,研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ti4+以类质同相替代Si4+进入基质晶格中,形成了连续固溶体,其晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ti4+置换量呈线性递增。Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响显著,b其次,a最小。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm,由267nm、305nm、350nm和375nm4个峰拟合成,表观峰值位于351nm;随着Ti4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从105nm减小到93nm。发射光谱位于380~600nm,表观峰值位于407nm,可由406nm和441nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入晶格对长波长发射中心影响较少;Ti4+置换量为1.0时,表观发射峰位从407nm红移至417nm;利用试样荧光光谱和VanUitert经验公式,得出SrAl2Si2O8∶Eu2+中Sr2+的配位数为9。随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。     

Preparation, characterization and photoluminescence properties of BaB2O4: Eu3+ red phosphor

A new red emitting BaB2O4: Eu3+ phosphor was synthesized by solid-state reaction method. X-ray powder diffraction (XRD) analysis confirmed the monoclinic formation of BaB2O4. Field-emission scanning electron-microscopy (FE-SEM) observation indicated that the microstructure of the phosphor consisted of irregular grains with heavy agglomerate phenomena. Upon excitation with 394 nm light, the BaB2O4: Eu3+ phosphor shows bright red emissions with the highest photoluminescence (PL) intensity at 611 nm due to 5D0→7F2 transitions of Eu3+ ions. The CIE chromaticity coordinates are calculated from the emission spectrum to be x=0.64, y=0.35. The effects of the Eu3+ concentration on the PL were investigated. The results showed that the optimum concentration of Eu3+ in BaB2O4 host is 6 mol% and the dipole-dipole interaction plays the major role in the mechanism of concentration quenching of Eu3+ in BaB2O4: Eu3+ phosphor. The effect of charge compensation on the emission intensity was also studied. The charge compensations of Li+, Na+ and K+ anions all increased the luminescent intensity of BaB2O4: Eu3+. K+ anion gave the best improvement to enhance the intensity of the emission, indicating K+ is the optimal charge compensator. All properties show that this phosphor could serve as a potential candidate for application as a red phosphor for NUV chip LED.     

Bi3+敏化的SrSiO3:Eu3+,Bi3+发光体的合成与发光

本文采用高温固相扩散法合成出一种新的发光体ＳｒＳｉＯ３：ｅＵ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋。研究了激活剂Ｅｕ＾３＾＋与敏化剂Ｂｉ＾３＾＋浓度变化与发光强度的关系。实验发现，组成为Ｓｒ０．８１７Ｌｉ０．０９１５ＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋０．０７５，Ｂｉ＾３＾＋的发光体其发光强度最大。给出了发光体ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋，ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋的激发光谱与发光光谱；测定了发光体的Ｘ射线粉...     

Spectroscopic properties and intense red-light emission of (Ca, Eu, M)WO4 (M=Mg, Zn, Li)

The red-emitting phosphors of (Ca, Eu, M)WO4 (M=Mg, Zn, Li) were prepared through solid-state reactions, and their spectroscopic properties were studied. After the addition of a small amount of Mg2+, Zn2+ or Li+ in (Ca, Eu)WO4, the red-light emission intensity of Eu3+ increases obviously. In the luminescence spectra of the phosphors, the predominant transition emission is 5D0-->7F2 (616nm), whereas the other emissions are very weak. The excitation spectra are composed of interweaved ligand-to-metal charge-transfer bands (CTB) of W6+-O(2-) and Eu3+-O(2-), and a few 4f excitation transitions of Eu3+. Among the 4f excitation transitions of Eu3+, there are three strong excitation lines corresponding to 7F0-->5L6, 7F0-->5D2 and 7F0-->5D1 transitions, whose relative excitation intensity ratio is seriously affected when Li+ doped in the host. The new phosphors may be applied as red-emitting phosphors for white light emitting diodes.     

β-SiAlON:Eu2+蓝色荧光粉的合成及光谱性能

以Si,SiO2,AlN和Eu2O3为原料,采用金属热还原法合成了β-SiAlON:Eu2+蓝色荧光粉。利用X射线衍射研究了不同煅烧温度对β-SiAlON:Eu2+组成的影响; 通过荧光分光光度计分析荧光光谱特性。实验结果表明,β-SiAlON:Eu2+发光材料的激发光谱为中心位于290 nm和325 nm的两条宽带,发射光谱位于~485 nm,半峰宽为75 nm,来自Eu2+的5d-4f跃迁,激活剂临界浓度为8%。机理分析表明,Eu2+- Eu2+之间出现能量传递,能量传递的临界距离为1.44 nm;Eu2+占据β-SiAlON晶体中[001]方向管状通道中的空位。     

单掺杂与共掺杂离子对Sr2Mg(BO3)2磷光体热释发光的影响

通过高温固相法合成了Sr2Mg(BO3)2磷光体, 并研究了Li＋, Bi3＋, Gd3＋, Ti4＋共掺杂对Sr2Mg(BO3)2∶Dy磷光体热释发光的影响. 研究发现: Li＋的共掺杂使Sr2Mg(BO3)2∶Dy磷光体的热释光主峰强度增加, 而 Bi3＋, Gd3＋或Ti4＋的掺入使样品的热释光强度降低. 在Li＋, Bi3＋, Gd3＋或Ti4＋共掺杂的Sr2Mg(BO3)2∶Dy磷光体高温热释光发射谱中, 我们观察到了480, 579, 662和755 nm的发射峰, 为特征Dy3＋离子的4F9/2→6H15/2, 4F9/2→6H13/2, 4F9/2→6H11/2和4F9/2→6H9/2跃迁, 与Sr2Mg(BO3)2∶Dy磷光体的发射一致. 利用峰形法, 我们评估了Sr2Mg(BO3)2∶ , ( )热释光磷光体234 ℃发光峰的动力学参数, 陷阱深度E＝1.1 eV, 频率因子s＝6.3×109 s－1, 遵循二级动力学.     

Promising oxonitridosilicate phosphor host Sr3Si2O4N2: synthesis, structure, and luminescence properties activated by Eu2+ and Ce3+/Li+ for pc-LEDs

A novel oxonitridosilicate phosphor host Sr(3)Si(2)O(4)N(2) was synthesized in N(2)/H(2) (6%) atmosphere by solid state reaction at high temperature using SrCO(3), SiO(2), and Si(3)N(4) as starting materials. The crystal structure was determined by a Rietveld analysis on powder X-ray and neutron diffraction data. Sr(3)Si(2)O(4)N(2) crystallizes in cubic symmetry with space group Pa ?3, Z = 24, and cell parameter a = 15.6593(1) ?. The structure of Sr(3)Si(2)O(4)N(2) is constructed by isolated and highly corrugated 12 rings which are composed of 12 vertex-sharing [SiO(2)N(2)] tetrahedra with bridging N and terminal O to form three-dimensional tunnels to accommodate the Sr(2+) ions. The calculated band structure shows that Sr(3)Si(2)O(4)N(2) is an indirect semiconductor with a band gap ≈ 2.84 eV, which is close to the experimental value ≈ 2.71 eV from linear extrapolation of the diffuse reflection spectrum. Sr(3-x)Si(2)O(4)N(2):xEu(2+) shows a typical emission band peaking at ~600 nm under 460 nm excitation, which perfectly matches the emission of blue InGaN light-emitting diodes. For Ce(3+)/Li(+)-codoped Sr(3)Si(2)O(4)N(2), one excitation band is in the UV range (280-350 nm) and the other in the UV blue range (380-420 nm), which matches emission of near-UV light-emitting diodes. Emission of Sr(3-2x)Si(2)O(4)N(2):xCe(3+),xLi(+) shows a asymmetric broad band peaking at ~520 nm. The long-wavelength excitation and emission of Eu(2+) and Ce(3+)/Li(+)-doped Sr(3)Si(2)O(4)N(2) make them attractive for applications in phosphor-converted white light-emitting diodes.     

Sr2MgSiO5∶Ce3+的发光性质研究

报道了Sr2MgSiO5∶Ce3+荧光粉的发光性质.     

Ce3+,Tb3+,Eu3+共掺杂Sr2MgSi2O7体系的白色发光和能量传递机理

通过正交试验,采用高温固相法制备了Sr2-x-y-zMgSi2O7∶xCe3+,yTb3+,zEu3+系列样品.使用X射线衍射仪和荧光光谱仪表征了样品的物相和发光性质,并讨论了Ce3+-Tb3+-Eu3+共掺杂Sr2MgSi2O7体系中的能量传递过程.实验结果表明,在327 nm波长激发下,所合成荧光粉的发射峰主要位于387 nm(蓝紫)、542nm(绿)和611 nm(红)处;分别以387,542和611 nm为监控波长,所得激发光谱显示荧光粉在327 nm处有最好的激发.在327 nm光激发下,系列样品发光进入白光区.最优化的荧光粉为Sr1.91MgSi2O7∶0.01Ce3+,0.05Tb3+,0.03Eu3+,其色坐标为(0.337,0.313),是一种潜在的发光二极管(LED)用白色荧光粉.