Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究

通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试，研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段，对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明，铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带，提高钨酸铅晶体的发光快成分比例，并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升，低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-，由此可改善钨酸铅的发光性能。     

第七章 X射线发光材料

和光激发相比较,X射线激发的特点是作用在发光材料上的光子能量非常大。此时发光材料的发光不是直接由X射线本身引起的,而是由于X射线从发光材料基质的原子或离子中脱出的一些电子的作用而产生的。因此这种X射线发光和阴极射线发光有许多共同点。而不同点是X射线激发效率随发光     

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 关键词：     

用于高能X光转换的掺Tb3+硅酸盐发光玻璃性能研究

在高能的数字X射线成像系统中使用的X光-可见光转换屏具有相当重要的作用,直接影响成像系统的性能。针对特殊用途研制的一种掺Tb^3 硅酸盐发光玻璃转换屏．可用于能量高达30McV的γ光子的成像探测：在百keV级的低能X光作用下的空间分辨力与301型发光玻璃相当．而在能量高达12MeV X光的照射下,其空间分辨力不低于1．51p／mm,发光效率约为301型发光玻璃的3倍．并对发光玻璃的相关性能与其组成进行了实验研究,给出了相应的测量结果。     

利用同步辐射进行X射线激发光学发光研究

本文介绍利用北京正负电子对撞机产生的同步辐射X光进行激发晶体(GGG:Nd~(3+),LaF_3:Nd~(3+))的光学发光研究的有关实验技术和设备。     

发光晶体和新技术

一、发光晶体日光灯和电视是日常生活中常见的东西。日光灯管和电视屏玻璃内壁涂有白色的粉末。在显微镜下可以看出,这些粉末是一些极为细小的晶粒,它们在紫外线照射下或在高速电子轰击下会发出光来。这就是发光晶体。“发光”是一个科学名词,它指的是一类特殊的现象,和电灯发亮、桌子反射光有所不同。许多东西在烧热以后会发出可见光,这类现象叫作热辐射,意思是依靠热才能产生的辐射。电灯,油灯……等的辐射都属于热辐射。日光灯发出大量的光,但是并没有发多少热。因此,发光也常称为“冷光”。另一方面,许多物体     

乙二醇溶液中圆锥泡声致发光的发光特性

利用一种改进后的U形管圆锥泡声致发光装置，研究了乙二醇溶液中圆锥泡声致发光的发光特性.实验结果表明，利用乙二醇溶液可以得到超强的单个发光脉冲，其脉冲宽度可以达到150 μs，其值远远高于其他方式产生的声致发光的脉冲宽度.测量得到的光谱为一从紫外到可见光波长范围的连续谱，在589 nm附近叠加有钠的3P-3S原子发射谱线.在钠的原子发射谱线两侧测量得到了Na-Ar分子激发态跃迁形成的蓝卫星带，并在声致发光实验中测得了Na-Ar的红卫星带以及钠的3S-4S原子发射谱线. 关键词： 圆锥泡声致发光 光脉冲 光谱 卫星带     

发光多孔硅表面微结构及其晶格畸变的实验研究

用电化学方法制备了不发光多孔硅和发光多孔硅,用X射线双晶衍射对两类多孔硅表面进行了微结构分析和晶体质量表征,实验表明两类多孔硅的微结构间存在着很大差别。不发光多孔硅表面对X射线的双晶衍射摇摆曲线可解叠成两个峰,它们分别来自样品多孔层和单晶硅衬底,而发光多孔硅对X射线的双晶衍射摇摆曲线呈高斯对称分布,不可解叠。发光多孔硅比不发光多孔硅表面晶体质量差,且电化学腐蚀越严重,表面晶体质量下降也越严重。     

ZnS:Cu单晶中交流电致发光线的导电性和成分的研究

本文用电解法证明了,在ZnS:Cu单晶中电致发光线是导电的。晶体中除了有发光的导电线外,还有不发光的导电线。化学分析表明,这些导电线是富铜的。ZnS:Cu单晶交流电致发光的显微观察已表明[1],在晶体中,发光是不均匀的。发光体是分布在晶体内部的一些线,即所谓的发光彗星。关于这种发光线,前人提出了多种模型[2-5]。在这些模型中,一致假设发光线是导电的;而对发光线与Cu的关系则说法不一。但迄今都没有直接用实验加以证明。本工作是用电解法直接证明了交流电致发光线是导电的。化学分析表明,这些导电线是富Cu的。     

闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性

室温下掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的吸收谱在230~320 nm范围内有3个特征峰:310 nm(4 eV)、270nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV)。采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同。这些PL谱与钨(W)靶X射线激发的辐照致荧光(RL)谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV(400 nm)、2.55 eV(486 nm)、2.25 eV(550 nm)和2.1 eV(590 nm)发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl+Va+、Tl0Va+,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明:X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。     

氧化锌可见区发光机制

探究与缺陷相关的氧化可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义，也是该领域研究的基本问题之一，本文用X射线衍射、X射线光电子能谱，电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO:Mn纳米薄膜的结构和发光性质，证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面，提出了可见发光中心是Vo^**和[Vo^*,electron]或[Vo^**,two electrons]复合体的发光模型。     

不同退火温度下氧化锌薄膜可见发光与n型导电研究

采用脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备出可见光发光良好的氧化锌薄膜, 在不同的温度下进行了后退火处理. 随着退火温度的升高, 薄膜的可见光发光发生了显著改变, 载流子浓度、迁移率、电阻率也呈现出一定的变化规律. 结合 X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱及霍尔测量, 探讨了本征氧化锌薄膜可见光发光的发射机理, 并分析了其 n型导电的原因. 关键词： 氧化锌薄膜 可见光发光 n型导电     

锗酸锌钠晶体中锰的发光

Na_2ZnGeO_4相晶体是强碱性锗酸盐中最有趣的一种物质。用锰浓激活的这种晶体具有很亮的光致发光、磨擦发光、阴极射线发光和X射线发光,在其上观察到明显的压电效应,并发现有直流场致发光。 我们测量了掺锰的相晶体的室温和液氮温度下的光致发光光谱。用普通的测量方法:用装有光电倍增管—51的单色仪—2分光,并将光谱自动记录在自记器—09上。激发光波长是365毫微米,激发光源是—4灯。研究了从6种不同实验得来的14个晶体。在晶体的生长过程以     

耐湿性荧光粉和X线增感屏

稀土发光材料溴氧化镧掺铽是一种高效率X线发光材料.但其化学性质很不稳定,特别是在潮湿的空气中,易潮解而使发光效率显著降低,甚至完全丧失发光能力.因此,如何防止溴氧化镧的潮解成了这一优良新材料能否应用的关键问题.本文提出了一种制备耐湿性溴氧化镧荧光粉的新方法.用这种方法制成的LaOBr:Tb荧光粉在75℃水中浸泡105小时发光强度基本不变,这种荧光粉及其所制成的X线增感屏,在45℃饱和水蒸汽压恒温室内放置265天,发光强度和屏对x光胶片的感黑度也基本保持不变.而原来的LaOBr:Th荧光粉在70℃水中浸泡不到20分钟就发生水解变质,原来的LaOBr:Tb荧光粉及增感屏,在45℃饱和水蒸汽压恒温室中放置不到10天就发生了水解变质.     

辐射与发光 发光与发光器件

O482．31 2005042441 有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论=Dispute between molecular and band theory in organic electrolumi- nescence[刊,英]／徐叙瑢(北京交通大学光电子技术研究所．北京(100044)),徐征…／／发光学报．-2005,26 (1)．-1-7 在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以达到10eV,这足以激发发光材料发光。将分层优化方案应用到有机场致发光材料中,发现了固态     

掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射谱、X射线激发发射谱（XSL）的测试，研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱（PAT）和X光电子能谱（XPS）实验手段，对掺钇钨酸晶体的微观缺陷进行研究。实验表明，钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例，并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降，低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y^3 占据VPb的形式存在。Y^3 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因，而由于晶体内低价氧浓度的减少，作为绿光发光中心的（WO3＋O^-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。     

退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光...     

稀土磷光体中X射线激发的发光

一般认为在固体磷光体中不容易或不能看到紫外发光,因为大多数磷光体在35000到60000cm-1范围内具有强烈的吸收。但在稀土磷酸盐中,强烈的吸收不是发生在35000～50000cm-1范围内,在X射线或电子束激发下,在稀土激活的磷酸盐基质中很容易观察到紫外发光。我们对稀土和锕系元素激活的稀土磷酸盐在X射线激发下的发光的研究工作重点放在工业和分析方面应用的可能性上。YPO4是一种很好的基质,在35000～55000cm-1范围内,从Ce、Pr、Nd、Tb、Er、Tm、Yb和U都观察到紫外发光。这种现象在分析方面的应用已在1973年《分析化学》 (Anal.Chem.,45,542)上发表过了。现将两种可能的应用阐述如下: 工业应用——为了有效地减少医学诊断中所用的X射线剂量,改进X射线屏磷光体相当重要。从我们对用Gd3 敏化Y/Bi/Lu磷酸盐基质中的Tb3 发光所进行的研究看     

4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系

利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM) 、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(V_C)及络合体缺陷相关,V_C和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM) 反映了参与复合发光的V_C及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量. 关键词： 绿带发光 4H-SiC同质外延 晶体缺陷     

一维光子晶体微腔在硅基材料发光中的应用研究

硅基材料的高效发光对未来硅基光电子集成的发展极其关键,含微腔的一维光子晶体可以显著提高其发光强度、窄化其发光峰.介绍了几种硅基材料发光的一维光子晶体微腔结构,包括单缺陷模式的对称与非对称结构、多缺陷模结构及电注入结构.利用传输矩阵法计算其缺陷模透射谱,以间接分析其发光谱.