Co:BaTiO3/Si(100)纳米复合薄膜制备、微结构及其紫外光电子能谱研究

采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO₃纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO₃纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO₃纳米复合薄 关键词： 3')" href="#">BaTiO₃ 纳米复合薄膜 紫外光电子能谱     

Co:BaTiO3/Si(100)纳米复合薄膜制备、微结构及其紫外光电子能谱研究

采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100 nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30 nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄膜的价带谱.研究表明:当Co浓度很高时其态密度(DOS)与晶体BaTiO3明显不同.此外,嵌埋纳米Co颗粒的BaTiO3薄膜的能带结构可用纳米颗粒的浓度来调制,从而也可对其光学和电学性质进行改性.     

沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_0.7Ca_0.3MnO₃(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.     

Gd2O3:Eu3+纳米晶的燃烧合成及光致发光性质

采用柠檬酸作燃烧剂用燃烧合成法制备了Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计等对Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶的结构、形貌和发光性能进行了分析.结果表明：不同柠檬酸与稀土离子配比(C/M)制备的样品经800℃ 退火1 h后，均得到了纯立方相的Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶，晶粒尺寸约为30 nm，尺寸分布较窄，其中以C/M=1.0时制备的纳米晶结晶性最好，发光强度最大.Gd₂O₃:Eu³⁺纳米晶主发射峰位置均在612 nm处 (⁵D₀→⁷F₂跃迁)，激发光谱中电荷迁移态发生红移，观察到Gd³⁺向Eu³⁺的有效能量传递.对柠檬酸与稀土离子配比(C/M)对结晶度、发光性质等的影响也进行了分析和讨论.     

多孔TiO2/Al/SiO2纳米复合结构的紫外光吸收特性研究

在SiO₂玻璃衬底上用脉冲激光沉积(PLD)技术，分别沉积Ti和Ti/Al膜，经电化学阳极氧化成功制备了多孔TiO₂/SiO₂和TiO₂/Al/SiO₂纳米复合结构. 其中TiO₂薄膜上的微孔阵列高度有序，分布均匀. 实验研究了Al过渡层对多孔TiO₂薄膜光吸收特性的影响. 结果表明：无Al过渡层的多孔TiO₂薄膜其紫外吸收峰在27     

MgB2超导薄膜的微波测量

报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB₂超导薄膜的微波表面电阻R_{s、0K时的穿透深度λ(0)和超导能隙Δ(0).λ(0)和Δ(0)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量Δλ(T)，然后由BCS理论模型拟合Δλ(T)的实验数据得到的.测试样 品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜， 薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和01K.微波测试结果表明在10K，18GHz下M gB2薄膜的Rs约为100μΩ，可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟；BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm，Δ(0)=113k Tc.}     

蓝宝石衬底SnO2:Sb薄膜的制备及结构和光致发光性质

用射频磁控溅射法在蓝宝石(0001)衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(SnO₂:Sb)薄膜.对制备薄膜的结构和发光性质进行了研究.制备样品为多晶薄膜，具有纯SnO₂的四方金红石结构.室温条件下对样品进行光致发光测量，在334 nm附近观测到紫外发射峰，并对SnO₂:Sb的光致发光机制进行了研究.     

多层膜外退火方法制备MgB2超导薄膜

报道了利用电子束蒸发的Mg/B多层膜作为前驱体，然后退火制备MgB₂薄膜的工作. 实验中发现，采用翻转膜面的退火处理方式可以有效地避免降温过程中Mg蒸气在薄膜表面形成的颗粒凝结，由此稳定地实现了面积为10 mm×10 mm，均匀、平整的超导薄膜的制备，T_c达35 K，转变宽度为0.8 K，在5 μm×5 μm的区域内薄膜的平均粗糙度小于10 nm. 为了便于后续器件制作过程中的微加工工艺，研究了膜厚小于1000 ?时薄膜的成相规律，发现当样品厚度减薄后，T_c会有明显降低. 通过调整前驱薄膜中的不同分层厚度，仍可实现转变温度达30 K以上、厚度约600 ?的MgB₂薄膜，在20 K时的临界电流密度为2.4×10⁶ A/cm².     

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO₂:F薄膜，用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO₂:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响，得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×10¹⁵cm^-3·eV^-1，以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.     

不同氧气流量对直流磁控溅射TiO2薄膜的影响

采用直流反应磁控溅射法,以高纯Ti为靶材,高纯O₂为反应气体,制备了TiO₂薄膜.研究了氧气流量对薄膜结晶取向、表面形貌和光学性能的影响.研究发现,TiO₂薄膜主要呈锐钛矿TiO₂(101)择优取向,当氧气流量较小时,薄膜中还含有金属Ti(100),氧气流量较大时,薄膜含TiO₂(101)和TiO₂(004),成多晶态;薄膜的粗糙度和颗粒大小都随氧气流量的增大而增大;薄膜在400~1100nm可见-近红外波段有较高的透射率并且其吸收峰随着氧气流量的增大而红移,当氧气流量为5sccm时,平均透射率最高.     

Optical Properties of Co-BaTiO3/Mg（100） Nano-Composite Films Grown by Pulsed Laser Deposition Method

Co nanoparticles embedded in a BaTiO3 matrix, namely Co-BaTiO3 nano-composite films are grown on Mg（100） single crystal substrates by the pulsed laser deposition （PLD） method at 650℃. Optical properties of the CoBaTiO3 nano-composite films are examined by absorption spectra （AS） and photoluminescence （PL） spectra. The results indicate that the concentration of Co nano-particles strongly influences the electron transition of the Co BaTiO3 nano-composite films. The PL emission band ranging from 1.9 to 2.2eV is reported. The AS and PL spectra suggest that the band gap is in the range of 3.28-3.7eV.     

Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征

利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO₂纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO₂的沉积时间及SiO₂的沉积时间一定而改变薄膜厚度时，多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明：具有纳米层状结构的Au/SiO₂多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰，吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强，在Au颗粒浓度相同的情况下，复合薄膜 关键词： 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO₂纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论     

Dielectric and ferroelectric properties of pulsed-laser deposited BaTiO3 films

3 films were produced by KrF excimer-laser ablation. Films deposited on fused silica substrates were polycrystalline without preferential orientation and had cubic rather than tetragonal structure. BaTiO₃/Au/Ti/fused silica films showed a large dielectric constant, which increased with the thickness of the film, but poor ferroelectric properties. This behavior seems to be related to the small size of grains. On (100)MgO substrates oriented films were obtained. BaTiO₃/YBa₂Cu₃O_7-δ/(100)MgO films showed a large dielectric constant also and improved ferroelectric properties. Although this indicates a larger degree of tetragonality, the tetragonal structure of single crystal BaTiO₃ has not yet developed. Localized reduction and metallization of BaTiO₃/(100)MgO films by means of Ar⁺-laser radiation was demonstrated. This technique allows to produce conducting patterns in a single-s tep process. Received: 6 January 1997/Accepted: 21 April 1997     

表面修饰的钛酸钡的拉曼光谱

采用水热法制得表面包裹有十二烷基苯磺酸(DBS)和硬脂酸(St)的BaTiO₃纳米粒子，平均粒径均为60nm左右.拉曼光谱检测结果表明，样品的确为表面包裹有表面活性剂(DBS或St)的BaTiO₃纳米粒子集合体.与未包裹的相比，各光学声子模对应的拉曼振动模式峰均发生了蓝移.还发现不同的包裹体，所导致的蓝移值也不同.从纳米粒子的表面结构及包裹层的压力出发对此现象进行了定性解释和讨论. 关键词： 拉曼光谱 3纳米粒子')" href="#">DBS/ BaTiO₃纳米粒子 蓝移     

掺铑BaTiO3单晶场致应变特性的研究

系统地研究了掺铑的BaTiO₃单晶在老化后的场致应变性能.研究发现，晶体的场 致应变随老化时间的增加而增大，在老化27天后，在300V/mm的电场下，其双向场致应变可达1.11％；在较小的测试频率下（0.01Hz）也可得到0.95％的可逆的巨大的单向场致应变，在低频范围内，晶体的单向场致应变随测试频率增大而减小；研究晶体老化后的电滞回线，发现其 形状类似于蜂腰磁滞回线.实验结果表明，对BaTiO₃单晶掺杂铑元素可以大大改 善其电致伸缩性能，可能产生新的在超大应变及非线性驱动器中的应用. 关键词： 3单晶')" href="#">BaTiO₃单晶 掺铑 场致应变 老化     

Surface segregation in Nb-doped BaTiO3 films

We have used in situ photoemission spectroscopy to investigate Niobium doping in polycristalline BaTiO₃. The valence band maximum position progressively shifts from 2.5 eV for undoped to 2.84 eV for Nb-doped films. Ceramics and single crystal have been investigated for comparison with thin films. Nb-doped BaTiO₃ ceramics and Nb-doped SrTiO₃ single crystal show higher Fermi level position indicating that our doped films are less conducting regarding their bulk parents. This was confirmed by impedance spectroscopy under variable temperature. Large amount of niobium is clearly observable at surface but the amount of dopant is drastically reduced below the near-surface region, as evidenced by depth profile. Therefore, we provide evidence of surface segregation which would explain the contrasted resistivity values reported in literature for such donor-doped films.     

纳米Cu3N薄膜的制备与性能

采用柱状靶多弧直流磁控溅射法，100℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜(Cu3₃N)薄膜.用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3₃N薄膜晶体结构 及晶粒尺寸的影响.结果显 示薄膜由Cu3₃N和Cu的纳米微晶复合而成，其中Cu3₃N纳米微晶具有 立方反ReO3₃结构.通 过原子力显微镜对薄膜表征显示，膜表面比较光滑，具有较低的粗糙度.x射线光电子能谱对 薄膜表面的成分分析表明，Cu3 _{关键词： 氮化铜薄膜 多弧直流磁控溅射 3}结构')" href="#">立方反ReO3₃结构     

Deposition of ZnO multilayer on LiNbO3 single crystals by DC-magnetron sputtering

Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on LiNbO₃ (LN) single crystals with 200 nm thicknesses by three different ways, where coating of zinc (Zn) film was followed by thermal oxidation for four, two, and one steps with 50, 100, and 200 nm thicknesses repeatedly. Sample, which was produced at 4-step of deposition and oxidation of Zn layer, showed high transmittance and low structural defect due to a lower photoluminescence intensity and Urbach energy. Average grain size in X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) micrograph, and atomic force microscopy (AFM) images for multilayer of ZnO was lower than monolayer of ZnO thin films. Applying multilayer coating technique leads to decrease of surface roughness and scattering on light on surface and fabrication of LiNbO₃ waveguides with lower optical loss.     

过渡族元素掺杂BaTiO3-Tb1-xDyxFe2-y层状复合材料中的磁电效应

用溶胶-凝胶法制备1.0%mol Mn,Cr,Co掺杂 BaTiO₃(BTO)粉体,在1350℃下烧结成多晶陶瓷样品.X射线衍射和差示扫描量热分析表明,室温下掺杂BaTiO₃具有四方钙钛矿结构;居里点和相变潜热随Cr,Mn,Co掺杂逐渐降低.将掺杂BaTiO₃与Tb_1-xDy_xFe_2-y(TDF)胶合制成双层磁电复合材料,并研究了Cr:BTO-TDF,Mn∶BTO-TDF,Co:BTO-TDF层状复合材料中的磁电效应.实验表明,在340×80 A·m^-1偏置磁场下, Cr:BTO-TDF的横向磁电电压系数达到最大值586 mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1.在400×80 A·m^-1偏置磁场下,Mn∶BTO-TDF和Co:BTO-TDF的横向磁电电压系数的最大值分别为480 mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1和445mV·cm^-1·(80 A·m^-1)^-1.研究表明掺杂BaTiO₃-TDF层状复合材料中具有较强的磁电耦合.作为无铅压电材料,掺杂BaTiO₃制备的磁电效应器件颇具应用前景. 关键词： 磁电效应 双层复合材料 3')" href="#">掺杂BaTiO₃ 1-xDy_xFe_2-y')" href="#">Tb_1-xDy_xFe_2-y