聚丙烯／聚乙烯共混物高取向薄膜的形态结构研究

在等规聚丙烯(iPP)与高密度聚乙烯(HDPE)共混物的熔体拉伸薄膜中,两组份均以高取向的片晶形式存在,片晶生长方向垂直于拉伸方向。当iPP含量小于20％时,无明显的iPP相区存在;在iPP含量为40—60％时,两组份各自形成继续相,而在iPP含量大于70％时,HDPE以分散相存在。iPP的加入,使HDPE的片晶宽度减小,同时影响其结构的对称性,即由纯HDPE的非对称近单晶结构变为对称的纤维结构。 在制膜温度较高(135—140℃),HDPE含量较低(小于30％)时,HDPE在iPP上附生结晶。两种片晶的c轴成45°—50°交角,附生结晶的接触面为HDPE的(100)和iPP的(010)。     

双轴取向PET薄膜结晶、织构与超结构的研究

二类市售12μPET薄膜,即平衡膜与强力膜,应用作者提出的FRS-XRSA与传统的PF以及SAXS进行了比较全面的结构研究。从而获得了有关这些薄膜的结晶、织构与超结构的重要信息与参数,例如:结晶度、晶粒度、(Akl)晶面取向分布全貌与平均取向因子、长周期、晶区尺度、非晶区尺度及电子密度经向分布函数等。这些结构的信息既记录了加工的工艺过程,又对薄膜的各种重要物性,如力学、光学、热学、化学和表面等性质起着决定性的作用。这二类薄膜均可归属于(MT,100)共面、c-晶轴M、T双轴取向的平衡膜或非平衡膜。最后应指出,X-射线法是研究择优取向聚合物结晶、织构与超结构的极为重要的手段。     

纳米金刚石薄膜的扫描探针及微观场发射性能研究

纳米金刚石薄膜作为真空电子场发射器件的一种重要材料,由于其优异的物理化学性能和良好的场发射能力而日益得到广泛的研究和应用[1-2].电子场发射性能与金刚石薄膜的表面形貌、电导和电子表面态等密切相关,对其纳微结构与场发射性能之间的内在联系的研究业已引起广泛重视,一些研究表明金刚石薄膜表面存在促进场发射的导电通道或二次晶粒之间的晶界[3-4]. 本文从扫描探针技术(包括AFM、KFM、STM、STS等)入手,对纳米金刚石薄膜表面进行深入细致的分析和表征,力图阐明纳米金刚石表面导电层与其场发射性质的内在相关性.     

偏氟乙烯-四氟乙烯共聚物高取向薄膜的形态结构研究

聚偏氟乙烯(PVF₂)至少有四种晶相结构,即α、β、γ和δ相,PVF₂的压电性和热电性直接依赖其β相结构。 本工作报导以特殊的熔体拉伸方法制备不同组成偏氯乙烯(VF₂)和四氟乙烯(VF₄)的共聚物高取向薄膜与对其结构的研究结果。     

两种偶氮分子玻璃材料的光致取向特性

利用光诱导双折射和偏振红外光谱法研究了2种无定形树枝状偶氮分子材料G1-AZ-CN和G2-AZ-CN的光致取向行为, 对其偶氮生色团及非光响应性星形核的光致取向速度、 取向松弛速度和饱和取向程度进行了系统研究. 结果表明, G2-AZ-CN中偶氮生色团和星形核的光致取向速度快于G1-AZ-CN, 但其取向松弛速度慢于G1-AZ-CN, 这与G2-AZ-CN具有更高的偶氮生色团密度有关. G1-AZ-CN具有较高的饱和取向程度及较好的取向稳定性. 与具有相同类型偶氮生色团的偶氮聚合物BP-AZ-CN相比, G1-AZ-CN和G2-AZ-CN中偶氮生色团表现出较慢的取向速度. 其取向行为与其特殊的星形分子结构有关.     

垂直取向介孔薄膜的制备

垂直取向介孔薄膜是指薄膜内部孔道垂直于基底定向排列的一类介孔薄膜,其在催化、吸附与分离、化学传感器、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。本文就近几年内垂直取向介孔薄膜的制备方法以及在若干领域的应用进行了回顾和综述。在此基础上,对这种特殊的薄膜材料未来的发展进行了展望。     

分子基材料聚集态结构的场发射性质研究

场发射在扫描电子显微镜、平面显示器、压力传感器、加速度传感器以及电子束可寻址记忆器件等许多领域中得到了广泛的应用,分子基材料由于其结构和能带可设计,性质可调和柔性易加工等显著特点,被认为是新一代的场发射材料。本文综述了近年来分子基材料聚集态结构的场发射性质研究的新进展,特别是分子基材料的结构和聚集态形貌和尺寸对场发射性质的影响以及通过对分子基材料的杂化优化其场发射的性质,展望了分子基材料聚集态结构场发射的应用前景和发展趋势。     

两种新型抗癌药的结构鉴定

本文应用质谱、核磁共振波谱、红外光谱及元素分析等方法对1-(2-四氢呋喃)-5-氟脲嘧啶(FT-207)和1,3-双(2-四氢呋喃)-5-氟脲嘧啶(FD-1)两种新型抗癌药进行了结构鉴定。     

液相法制备取向ZnO纳米线阵列的场发射特性(英文)

采用水热合成工艺,在不同条件下制备了不同的一维取向ZnO纳米线阵列样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)对样品的晶体结构和形貌等进行了表征,对样品的场发射特性进行了分析和比较,并用Fowler-Nordheim方程对影响ZnO纳米线场发射的因素进行了研究.结果表明,具有较低生长密度分布、较高的长径比和较尖锐生长端的ZnO纳米线阵列样品具有较好的场发射特性.     

聚合物薄膜表面分子取向的表征方法

随着聚合物分子的取向在日益增多的领域中得到广泛的应用。聚合物取向的表征方法也引起了人们的兴趣．综述了各种有效测定聚合物分子取向的表征方法。如紫外可见光谱法、傅立叶红外光谱法、反射椭圆偏光解析法、近场X射线吸收精细结构谱等等．     

氮化铝薄膜的组成分析

Al N是一种无机非铁性压电材料 ,具有宽的带隙、高的电阻率、高的抗击穿电压、高的声传播速率和低的传输损耗 ,在微电子器件中有着广泛的应用前景 [1] .由于 Al N薄膜的声速在整个无机非铁性材料中最高 ,因而成为 GHz级声表面波器件的首选材料 [2 ] .要实现 Al N薄膜的表面声波器件应用 ,不但结构重要 [1] ,组成也很重要 [3] ,因为薄膜的组成对其性质影响很大 .Al N压电薄膜要求整个膜层的 Al/N比一致 .富 Al会使薄膜介电性能变差 ,富 N会使薄膜结构致密度变差 .因而对其组成研究是非常重要的 .Penza等 [3] 采用X射线光电子能谱 ( X…     

氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能(英文)

考察了在600℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区内制得的AlN纳米锥的开启电场处于14.2~20 V·μm-1范围,且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得,且具有较好的场发射性能。     

氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能

考察了在600℃以下通过反应AlCl³+NH₃→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区内制得的AlN纳米锥的开启电场处于14.2~20V·μm^-1范围,且随制备温度升高而减小。本工作的结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得,且具有较好的场发射性能。     

磁控溅射制备择优取向氮化铝薄膜

AlN薄膜;磁控反应溅射;磁控溅射制备择优取向氮化铝薄膜;晶面取向;X射线衍射     

Thin ORMOSIL Films with Different Organics

Structural, optical and electrical properties of silicate films modified by structure fragments containing different organic groups were studied. The ORMOSILs were produced by a cohydrolysis of tetraethoxysilane with different types of alkyl (aryl) substituted alkoxysilanes. Film structure and its evolution during heat treatment were studied by ellipsometry and IR spectroscopy. For methyl- and phenyl-modified silicate films the shrinkage is lower than for silicate ones in the range of annealing temperature from 200 to 500°C. The shrinkage of phenyl-modified silicate film is more than three times lower than of methyl- and trimethyl-modified ones. The presence of single or double C=C bonds in the organic chain leads to an increase in the film shrinkage due to the thermodestruction of the bond as it is confirmed by IR data. In the case of phenyl- and methyl-modified silicate films this process starts from 500°C and it is accompanied by abrupt film shrinkage. The dielectric constant and the loss tangent of methyl and phenyl groups decrease due to reduction of hydroxyl content and film density. Other groups are not effective due to their thermodestruction at lower temperatures.     

溶胶-凝胶法在聚酰亚胺衬底上制备c轴取向ZnO薄膜

通过溶胶-凝胶工艺, 采用两步加热法在聚酰亚胺表面制备了具有c轴取向的ZnO薄膜. 通过差式扫描量热-热重分析(DSC-TGA)得出最佳的前热处理温度和后热处理温度分别为300和390 ℃. 通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体取向和表面形貌进行了分析, 描述了ZnO薄膜在聚酰亚胺上的生长过程. 拉伸实验结果表明, ZnO薄膜与聚酰亚胺衬底有较强的附着力.     

Preparation of Highly Oriented LaNiO3 Thin Films by Spin-Coating Technique

LaNiO3 thin films were deposited by spin-coating technique on various substrates using metal naphthenates as starting materials. Highly oriented LaNiO3 films with smooth and crack-free surfaces grown on SrTiO3 (100) and LaAlO3 (012) substrates were observed by XRD -2 scans, while film on sapphire (0001) substrate showed polycrystalline structure. The resistivity vs. temperature curves of the textured LaNiO3 films showed that the film possessed good metallic character.     

二氧化钛纳米晶薄膜的吸收光谱和激发发射光谱

由TiO₂反胶束溶胶制备一系列TiO₂纳米晶薄膜，对膜的吸收光谱和激发发射光谱研究表明制备的膜存在有二种模式的跃迁，直接跃迁和间接跃迁。由于厚膜中存在较强的表面相互作用，厚膜的直接跃迁禁带宽与薄膜相比发生了红移。在不同陈化时间，浸渍相同次数制得的膜具有相同的直接跃迁禁带宽。除浸渍一次的膜不存在间接跃迁外，所有的膜具有相同的间接跃迁禁带宽。所有的膜具有几乎相同的发射光谱模式。     

X-Ray Emission from Thin Films on a Substrate – Calculation and Experiments

 Monte Carlo simulation of electron transport in solids is widely used in electron microscopy, spectroscopy and microanalysis. The reliability of physical models incorporated in a Monte Carlo code is usually checked by comparing with experimental results. Elastic or inelastic collisions are usually considered as the basic interactions of electrons with atoms. In our Monte Carlo code the single scattering model is employed for simulation of X-ray emission from thin films of Au on the Si substrate. The electron beam energy was in the range 10–30 keV, the take-off-angle was 40°. The simulated values of X-ray production were calculated in our Monte Carlo code using several models of ionisation cross-sections. For the emitted intensities the depths of inelastic collision and X-ray absorption were taken into account, then the k-ratios were calculated. These data were compared with experimental values of k-ratios calculated from X-ray intensities of Au M and Au L characteristic lines. We followed mainly the dependence of the k-ratios of the film element on film thickness. The film thickness was in the range 0.05–1 μm. Reasonably good agreement was found for dependences of X-ray intensity on film thickness in the whole energy range and for both lines, especially for Powell’s model of the ionisation cross-section.