TiO_2纳米棒阵列的水浴法制备及形貌控制

展示一种在FTO玻璃基底上直接生长TiO2纳米棒阵列的简单方法.利用化学水浴法,通过控制反应过程中钛源和盐酸(HCl)量,在FTO导电玻璃基底上直接生长分布均匀的TiO2纳米棒阵列,棒的高度约为500nm,直径约为20nm.纳米棒阵列薄膜在退火之前为无定型结构;经过450℃退火0.5h后,为锐钛矿和金红石的混合相.     

黑色氧化钨的制备及其表征

用肼与草酸作为添加剂制备了草酸钨酸肼复合盐,并以此作为前驱物制备黑色氧化钨。热重分析的结果表明,在５００℃时热分解已经完成,应用该复合盐在氮气保护下热分解制备了黑色氧化钨。实验研究了肼与草酸添加量对产品性状的影响。确定钨酸、肼、草酸的最佳比例（物质的量比）为１．０：４．０：０．５。实验发现,热分解温度、热分解时间对产品性状有一定的影响,采用最佳比例的前驱物热分解,温度为６５０℃,时间为３０ｍｉｎ时     

纳米二氧化锰的制备及其形貌调控

采用水溶液化学沉积法制备纳米二氧化锰,用于空气电极的氧还原电催化剂,利用SEM、XRD、XPS等手段表征其晶态及组成,以考察反应温度、合成时间等反应条件对样品晶型和微观形貌的影响规律。结果表明:可通过控制反应条件调控纳米二氧化锰的晶型和微观形貌,获得的样品粒径范围为5~500 nm,其晶型和形貌分别为α-MnO2纳米线、δ-MnO2花球和γ-MnO2纳米粒子。通过实验现象,总结了纳米二氧化锰晶型与微观形貌的演变趋势,分析了晶型变化的机理。     

氧化钨氢还原过程形貌变化

本文用三种不同形态结构的仲钨酸铵(APT)为原料,在接近工业的条件下,用扫描电镜(SEM)对氢还原过程产物的形貌变化作了观察、分析和比较,并选择部份试样用X射线对物相组成作了鉴定,同时对还原钨粉的粒度控制阶段作了讨论。     

水热法制备ZnO纳米棒阵列及其表征

采用两步低温水热法在Si片衬底上制备形貌规整的ZnO纳米棒阵列,纳米棒长度约为5μm.利用扫描电镜(SEM)、PL光谱测试对ZnO纳米棒的微观表面形貌和光学特性进行表征分析.探究制备过程中两次水热的生长液浓度对ZnO纳米棒形貌的影响,通过表征对比获得最优的生长液浓度范围.实验首先利用提拉退火等工序在衬底上获得ZnO的晶种层,再经过两次水热反应制备出分布均匀、有序生长、取向一致的较为理想的纳米棒阵列.     

掺锑二氧化锡纳米棒的制备及表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制得纳米级掺锑二氧化锡(ATO)的前驱物,经1000～1100°C焙烧1～3h,成功制备了直径为10～40nm,长为60～500nm的金红石结构的ATO纳米棒。运用热重分析(TGA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射(ED)及比表面仪(BET法)对棒结构和形貌进行了表征,研究了掺锑量、焙烧温度及焙烧时间等对其形貌结构的影响。并对ATO纳米棒形成机理进行了探讨。     

水溶液的化学方法生长ZnO纳米棒的研究

用直接共沉淀法从水溶液中直接合成了ZnO纳米棒,用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析了ZnO纳米棒的结构、形态.研究了金属离子和稳定剂浓度及相对比例、生长衬底和生长时间对纳米棒形态和尺寸的影响.用直接共沉淀法从水溶液中在玻璃衬底上生长的纳米ZnO基本都为棒状结构,在Si衬底上生长的纳米ZnO出现了棒状、十字架状和树枝状等多种形状,而在石英衬底上生长的纳米ZnO,出现对称性非常好的球形的ZnO.改变稳定剂HMT与醋酸锌的比例,发现ZnO的平均尺径主要和醋酸锌的浓度有关,随着醋酸锌浓度的降低,纳米棒的尺寸减小,相应的纳米棒的密度随之降低.在生长过程中,开始生长1～2分钟,衬底上只有一层形貌不明显的泥状ZnO,生长延长到10分钟后,出现垂直衬底生长的ZnO纳米棒,同时周围存在一层泥状物,1小时后的纳米棒与生长10分钟的没有发生改变,只是泥状物消失.     

ATO纳米棒的水热法制备及其性能

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用水热法制备了锑掺杂氧化锡(ATO)纳米棒,产物的电阻率约为100Ω·cm.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)对产物的形态结构进行表征,结果发现,随着反应时间的延长,ATO纳米棒直径不变,长度逐渐增大,长径比(L/D)逐渐增大;随着反应物SnCl4浓度的升高,ATO纳米棒的直径和长度均增大,L/D基本不变.简单阐述了ATO纳米棒的形成机理,并对反应条件对纳米棒L/D的影响进行了探索.     

水热法Na2SeSO3歧化反应制备单质硒纳米棒

在HAC-NaAC组成为1：1的缓冲溶液中，以聚乙烯醇为导向剂，通过Na2SeSO3的歧化作用生成无定形硒前驱体，对前驱体进行水热处理合成单质硒纳米棒。通过表征表明所制得产物结构为三方相硒纳米棒，并且形貌稳定、产率高，它的平均直径为30～80nm，长度可达到170～1100nm。     

氧化钨pH传感器制备及其在F-和胶体溶液中的应用

采用溶胶-凝胶法制备了氧化钨pH电极，在阳极氧化后的Ag丝表面涂敷掺杂了KCl的改性聚乙烯醇和Nation膜，制备了固态Ag／AgCl参比电极，再由氧化钨pH电极与固态Ag／AgCl参比电极制备成氧化钨pH传感器，该传感器不需要参比溶液与陶瓷隔膜．测试结果表明：在pH值为2～11的范围内，该传感器有良好的电位（V）-pH响应线性关系，响应灵敏度为52．6mV（以pH值变化为1来量度），测量精度可达0．1个pH值；氧化钨pH电极具有耐HF腐蚀的能力，在5％～20％（质量分数）的HF溶液中的响应电位具有重现性，可用于HF溶液的浓度测量；氧化钨pH传感器还可以应用于胶体的测量，其响应时间小于1min．     

氧化钨纳米线薄膜的制备和分析

报道了采用热蒸发方法制备氧化钨纳米线薄膜的实验．结果表明：改变蒸发源温度和衬底温度，氧化钨纳米线的生长存在一定的规律性．即随着蒸发源温度的升高，氧化钨纳米线的直径逐渐增加，且直径的增长速度比高度的增长速度快；随着衬底温度的升高，氧化钨纳米线的高度也逐渐增加，高度的增长速度比直径的增长速度快．     

OLED用三氧化钨缓冲层的研究

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.     

钠钨青铜的低温水热合成的研究

该文采用低温水热合成法制备出x约为 0 .4的导电材料钠钨青铜晶体。通过条件实验确定了水热法制备钠钨青铜的较佳工艺条件 ,提出了目标产物提纯方法。用便宜、易得的KBH4 代替NaBH4 作了探索实验 ,得到了与目标产物接近的产品。红外光谱表明产物具有良好的红外光吸收性能。电阻率的测定结果表明目标产物具有良好的导电性     

氧化锆晶型对负载钨催化剂结构和表面酸性的影响

运用BET、XRD、FT-Raman以及微量吸附量热手段对3种ZrO2及其前体Zr(OH)4上负载钨催化剂进行表征.结果表明原料和制备条件对ZrO2的结构有显著影响.钨物种可使浸渍在其上的Zr(OH)4转变为四方晶型ZrO2;但较难使浸渍在其上的ZrO2发生晶型转变.该催化剂表面酸位的形成不仅与ZrO2的晶型有关,也与表面WOx以及WOx与ZrO2的协同作用有关.催化剂上强酸位可因残留的Na+离子所毒化阻抑,但少量Y3+离子对表面酸性无明显影响.     

烷氧基钨水解,热解制备WO3超细颗粒

我们利用W(OMe)6的水解及WO(OR)_4、WO_2(OR)_2的直接热分解制备了WO_3超细颗粒.对产物进行了扫描电子显微镜及红外光谱分析.实验制备的WO_3颗粒为球形或椭球形.粒径在90～400nm范围内,化学纯度高,单分散性能良好.探讨了不同因素对合成粒子性能的影响.结果表明,粒子的平均直径dv随着反应底物浓度的增加而增大;调节所加水的pH值,在水解体系中引入大分子PEG(聚乙二醇)均能降低粒子的尺寸;以无水乙醇或丙酮脱除水解产物中的水且采用减压干燥可改善粒子的团聚程度.     

纳米铈锆复合氧化物的制备及表征

介绍了一种新的制备纳米铈锆复合氧化物(Ce_xZr_(1-x)O_2(x≥0.5))的方法:将草酸铈和氯氧化锆先按需要的比例混合,然后加入适量的肼(或肼化合物),在500～550℃热分解此含肼前驱物,可制得热稳定性好、比表面积大的纳米铈锆复合氧化物,它可被用作汽车尾气净化器的催化助剂。     

纳米孔阵列阳极氧化铝膜的制备与形貌观测

报道了用阳极氧化法在高纯铝片上制备含有纳米孔阵列的阳极氧化名膜技术，并用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对样品形貌进行了分析。结果表明，阳极氧化处理后的铝片明显地分成了未反应的铝、阻挡层氧化铝和多孔层氧化铝3层结构，且阻挡层处在铝和多孔层之间，具有弧形底部。多孔层氧化铝中孔的大小约为50nm，孔间距约为100nm，且这些孔有规律地排列形成纳米孔阵列。     

纳米ZnO的研究现状

纳米氧化锌作为一种功能材料，有着许多优异的性能和广泛的应用价值．对纳米氧化锌的制备和应用研究状况进行了评述．