光波干扰测量结深

在半导体芯片制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。本文介绍用光波干涉法测量结深，操作简便、精度高，特别对10μm以下的结深测量，有其独到的优越性。     

光波干涉测量结深

在半导体芯片制造过程中,结深是重要的工艺参数之一.本文介绍用光波干涉法测量结深,操作简便,精度高,特别对10μm以下的结深测量,有其独到的优越性.     

化学染色法测量B,Al及P扩散结深

采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液.同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数.     

扩展电阻法测量亚微米器件的结深和杂质分布

本文介绍了亚微米器件结深和杂质分布的测量方法，叙述了扩展电阻法测量结深的原理，并对其测量结果进行了分析和讨论。     

超级结深沟槽填充工艺及其对器件性能的影响

基于沟槽型超级结MOSFET,研究了硅外延工艺、多晶硅填充工艺和非晶硅填充工艺对沟槽填充效果的影响,以及不同的沟槽填充效果对器件的漏电流的影响。     

BF_2~+注入束的沾污和对结深的影响

注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+、B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2~+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2~+束的沾污。此外,提高系统真空度会明显降低沾污峰的强度。     

椭圆柱面结耗尽层分析

本文证明了椭圆柱面Schottky结的耗尽层边缘也是一个与结共焦的椭圆柱面.给出了耗尽层宽度与偏压之间的关系.     

探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的Ⅰ-Ⅴ特性和光响应度.结果表明:扩散结深对器件的Ⅰ-Ⅴ特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55um处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1um处.另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考.     

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.     

测试结深的另一种方法

传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控。     

提高三重扩散结深的途径

提高三重扩散结深的途径为弥补一重扩散晶体管的某些不足，人们研制了“三重扩散晶体管”。它是用高浓度磷衬底Ｎ＋代替高阻区Ｎ，以减少硅片厚度，获得较低的饱和压降，改善大电流特性，同时提高抗二次击穿的能力。三重扩散的制作方法是这样的：去除Ｓｉ片表面可能残留着...     

硅耗尽层少子产生率的强电场效应

利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发表的各种形式的非线性Zerbst实验曲线.结论是,产生率的强电场增强是硅中一个普遍效应,不论是对于高缺陷密度样品还是完整晶体样品,这一效应都是存在的.与深耗尽高频C(V)曲线的转折相对应,观察到了等效产生速度的跳变(突然增大).这一现象可用栅下高浓度区价带电子向耗尽区的隧道注入加以说明.     

异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.     

大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

利用电流电压（ＩＶ）、电致发光（ＥＬ）和深能级瞬态傅里叶谱（ＤＬＴＦＳ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫．ＤＬＴＦＳ研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下１１ｅＶ处深能级（Ｅ１）,它具有２７×１０１３ｃｍ－３浓度和５×１０－１４ｃｍ２俘获截面．经电流冲击（７７Ｋ,２００ｍＡ和４０ｍｉｎ）后,Ｅ１浓度为４２１×１０１３ｃｍ－３,约增加了２倍．实验结果表明Ｅ１浓度的增加与样品ＩＶ、ＥＬ特性弛豫是一致的     

采用球面研磨的硅结深的测定

1.绪言在测定硅之类半导体片内较浅的扩散层、离子注入层、外延层的 PN 结结深时,如果使深度方向扩展之后再进行观察,则能获得良好精度的测定。球面研磨法是实现此目的的一种方法。球面研磨与一般常用的平面角度研磨相比具有如下的优点:(1)从测定原理上来看,PN 结结深越浅,其深度方向的扩展率就越大;(2)用显微镜观察半导体表面的测定点相当方便,而且可以局部选择;(3)只要测定片子表面的尺寸就行了等等。而实际上随着 PN 结结深变浅,研磨面和半导体表面之间的夹角就随之而变大,使     

半开管扩散光伏锑化铟器件结深测试

用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过结深,对控制扩散条件和其它工艺条件用于半开管扩散法制作16元、42元InSb探测器提供了一个依据.