晶体Sr_2Cu（HCOO）_6·8H_2O作为先驱物制备Sr_2CuO_2（C

应用ＳｒＣＯ３和ＣＵ（ＮＯ３）·３Ｈ２Ｏ从甲酸溶液中制备出晶体Ｓｒ２Ｃｕ（ＨＣＯＯ）６·８Ｈ２Ｏ，用这一晶体作为先驱物，石英管式炉中，８２５℃烧结六小时，得到单相的Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）．通Ｎ２气体，８５０℃烧结十小时，得到Ｓｒ２ＣｕＯ３．Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）是形成Ｓｒ２ＣｕＯ３的一种中间相．     

光催化剂SO2- 4/TiO2和TiO2 的光谱行为比较

用ＩＲ、Ｒａｍａｎ和ＤＲＳ光谱研究了ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂和ＴｉＯ２光催化剂的光谱行为差别。结果表明,ＴｉＯ２光催化剂的表面只有Ｌ酸中心,而ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂表面既有Ｌ酸中心也有Ｂ酸中心。ＴｉＯ２的硫酸化有效地抑制了晶相转变和晶粒度的增加。与ＴｉＯ２相比,ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂的锐钛矿相含量较多、晶粒较小、光谱吸收边蓝移,从而增大了光吸收阈值,增强了光生空穴和电子的氧化     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。     

PdCl_2/SiO_2和Pd-B/SiO_2非晶态合金催化剂的Raman光谱表征

采用共焦显微Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ－射线衍射方法表征了负载型ＰｄＣｌ２／ＳｉＯ２和Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金催化剂的结构。结果表明ＰｄＣｌ２分散在ＳｉＯ２载体上后,与载体表面的相互作用使其在室温时即发生β→α构型转变。Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金的Ｒａｍａｎ光谱在３００－５００ｃｍ－１区域内呈现一大的弥散峰。与无负载Ｐｄ－Ｂ非晶态合金比较初步认定该弥散峰与Ｐｄ－Ｂ键振动有关,温度升高Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２催化活性下降,其主要原因为Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金在高温下逐渐晶化为Ｐｄ金属所致。ＰｄＣｌ２与ＳｉＯ２载体表面的相互作用使其具有较高的分散性,由此还原制备的Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金较之无负载Ｐｄ－Ｂ非晶态合金更加微细化,因而具有更大的活性比表面     

SnO2-TiO2复合颗粒的形态结构及其光催化活性

在气溶胶反应器中，利用ＴｉＣｌ４高温氧化反应制备超细ＴｉＯ２，采用均匀沉淀法在ＴｉＯ２表面沉积ＳｎＯ２制备ＳｎＯ２－ＴｉＯ２复合颗粒，应用ＴＥＭ、ＥＥＤＳ、ＳＲＤ、ＢＥＴ比表面积测试等手段对粒子进行表征。以活性艳红Ｘ－３Ｂ复合颗粒，应用ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面积测试等手段对粒子进行表征。以活性艳红Ｘ－３Ｂ溶液为处理对象考察复合颗粒的光催化活性。结果表明ＳｎＯ２－ＴｉＯ２复合颗粒的光催化     

纳米（Li2AO4）1—x—（ZrO2）x固体电解质陶瓷

用溶液凝胶共混法制备了纳米级的Ｌｉ２ＳＯ４－ＺｒＯ２复合固体电解质陶瓷。在复合陶瓷中，Ｌｉ２ＳＯ４、ＺｒＯ２的晶粒平均尺寸分别为４５、２７ｎｍ。晶粒尺寸的纳米化在材料中引入了大量的界面结构和表面结构。研究了掺不同量的纳米ＺｒＯ２第二相对Ｌｉ２ＳＯ４相变温度、相变行为及体系电导的影响，在纳米ＺｒＯ２作用下，Ｌｉ２ＳＯ４的相变温度可以降低１４０℃。在适当配比时，在５４０℃其离子电导可达到０．２Ｓ／ｃｍ     

负载金属对SO^2—4／ZrO2催化剂超强酸性和反应性能的影响

本文研究了气氛和负载金属对ＳＯ＾２－４／ＺｒＯ２超强酸催化剂正戊烷异构化反应性能的影响。ＳＯ＾２－４／ＺｒＯ２催化剂在Ｎ２中初活性较高，但稳定性很差，在Ｈ２中活性很低。负载Ｐｒ可显著地改善催化剂的活性，选择性和稳定性，负载Ｎｉ则使催化剂活性反而降低。催化剂的红外光谱试验结果表明，Ｈ２可使结合在ＺｒＯ２上的ＳＯ＾２－４，部分还原，减少超强酸位，Ｐｒ对ＳＯ＾２－４的还原有阻抑作用，使催化剂表面保留较多     

CdCl2：V^2＋和CdI2：V^2＋的g因子和零场分裂研究

研究了ＣｄＣｌ２：Ｖ＾２＋和ＣｄＩ：Ｖ＾２＋的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。在计算中既考虑了中心过渡金属离子ＳＯ耦合作用，也考虑了配体ＳＯ耦合作用的贡献，结果表明，对某些共价性强和配体ＳＯ耦合系数大的络合物，在研究其ＥＰＲ性质时应考虑到双ＳＯ耦合作用的共同贡献。     

He（2^3S）与N2O（X）Penning电离中的N2O^＋（A^2Σ^＋）生成速率及相…

在分子束条件下测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ）→Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离光学光谱，求得了Ｎ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）态的初生态相对振动布居。以Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋Ｎ２（Ｘ）→Ｎ＾＋２（Ｂ＾２Σ＾＋ｕ）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－为参考反应，测量了Ｈｅ（２＾３Ｓ）＋ＢＮ２Ｏ＾＋（Ａ＾２Σ＾＋）＋Ｈｅ（＾１Ｓｏ）＋ｅ＾－反应的速率常数ＫＮ２Ｏ＾＋（Ａ）     

PdCl2／SiO2 Pd—B／SiO2非晶态合金催化剂的Ramman光谱表征

采用共焦显微Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ－射线衍射方法表征了负载型ＰｄＣｌ２／ＳｉＯ２和Ｐｄ－Ｎ／ＳｉＯ２非晶态合金催化剂的结构。结果表明ＰｄＣｌ２分散在ＳｉＯ２载体上后,与载体表面的相互作用使其在室温时即发生β→α构型转变。Ｐｄ－Ｂ／ＳｉＯ２非晶态合金的ｒａｍａｎ光谱在３００－５００ｃｍ＾－１区域内呈现一大的弥散峰。与无负荷Ｐｄ－Ｂ非晶态合金比较初步认定该弥散峰与Ｐｄ－Ｂ键振动有关,温度升高Ｐｄ－Ｂ／Ｓｉ     

癌基因MDM2阻断剂的分子结构的NMR研究

根据P53-MDM2复合物晶体结构,设计合成了非肽类小分子作为MDM2的阻断剂.利用超导核磁共振波谱仪,测定了化合物的¹H谱、¹³C谱、¹H-¹H COSY谱、HMQC和HMBC谱,确定了化合物的结构,归属了化合物的¹H、¹³C化学位移,为筛选抗癌活性化合物提供了理论依据.     

超导体MgB2的晶核形成及生长过程研究

根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论,分析了粉末反应中MgB2晶核的形成及生长过程.这一过程可分为三步完成：1.两种粉粒碰撞接触后,做反相微幅受迫振动,这种振动产生晶核的形成及生长区;2.两个硼原子相遇,价轨道经sp2杂化后形成B2,镁原子的两个3s价电子填入B2的π轨道形成π键,生成Mg...     

S2激光器的发展

本文回顾硫双原子分子激光器的发展历史,通过借鉴已有激光器件在设计上积累的成功经验和存在的不足之处,提出一种新型可拆卸式横向脉冲快放电Ｓ２激光管的设计方案并给出此激光管设计的截面图和立体图。     

Na2激光器双模运转行为研究

本文考虑了激光模式和泵浦光的空间分布,对线性驻波腔,我们建立了多模的麦克斯韦——布洛赫方程组,并由此导出了双模稳态条件下阈值泵浦功率和输出功率的表达式。讨论了双模Na₂激光器的运转行为,以及温度,Na₂蒸汽带长度及缓冲气体的压力对激光器的影响。得到了一些有用的结果。     

MgB2超导体的各向异性

采用两带Ginzburg-Landau(GL)理论模型,考虑到两能带有效质量的各向异性,我们讨论了各向异性超导体MgB:的上临界磁场各向异性比以及有效相干长度对角度、温度的依赖关系.     

硅掺杂MgB_2超导薄膜的制备及研究

本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapordeposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB_2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB_2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度T_c没有大幅下降,超导临界电流J_c得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×10~5Acm~(-2).同时上临界场H_(c2)在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率—dH/dT也有一定的提高.     

薄膜电致发光器件中SiO2加速作用的直接证据

本文通过包含CdS层的薄膜电致发光(TFEL)器件的有关特性的研究,直接证明了SIO₂对CdS中产生的电子有良好的加速作用,并获得了阈值电压低、B-V特性好,亮度较高的红色TFEL器件.我们将硫化镉蒸镀于电致发光器件中,测量这些器件的电学和光学特性,发现含CdS的样品的传导电荷明显大于不含CdS的样品,这说明硫化镉层可以提供较多的电子.但是,样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al的发光效率低于不含硫化镐的样品,这说明这些电子在进入ZnS层的过程中能量有所降低.为了提高这些电子的能量,我们制备了样品ITO/SiO₂/ZnS:Sm³⁺/SiO₂/CdS/Al,使硫化镉中产生的电子先经过SiO₂层,再进入发光层.测量结果表明这一样品的最大亮度和发光效率与上述含硫化镉的样品相比分别提高了2.5个和0.5个数量级,与不含硫化镉的样品的亮度接近,但其阈值电压较低,亮度-电压(B-V)曲线上升部分较陡,且有一段饱和区.在这一样品达到饱和的电压下,不含硫化镉的样品才刚刚起亮,这说明该样品的发光主要是由于硫化镉增加的电子数目对发光的贡献.同时这些电子在SiO₂中得到了明显的加速.     

用2D-NMR研究暗霉素T的化学结构

该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置.     

Mg、B配比对MgB2材料的影响

我们通过固态反应法制备了MgxB2(x=0.2,0.6,0.8,1.0,1.2,1.4,1.8,2.2,2.6)系列超导样品.用四引线法测量了每一个样品在制备烧结过程中的高温R～T曲线.由这些曲线的升温阶段数据得知MgxB2系列样品的起始成相温度Tonset随着x值的增加而降低.由它们的X光衍射图可知,x≤1.0时,没有Mg和MgO的杂相峰;到x＞1.0后,随x值的增大,杂相Mg和MgO的衍射峰强度逐渐增强.它们的低温R～T曲线表明随x值的增加,正常态电阻减小,起始超导转变温度在39.3 K到39.9 K之间.综合Tc(onset)和△Tc,Mg1.4B2样品呈现出最好的超导状态.这些样品的单位质量M～T测量数据表明起起转变温度处于37.4～38.6 K之间,且Mg1.4B2样品呈现出最高的磁测Tc(onset)=38.60 K.在Mg含量x大于或低于1.4时,磁测Tc(onset)均小于此值.综合R～T和M～T这两种测量,为得到高Tc的MgB2超导块材,胚体MgB2的配比应取x=1.4为好.     

Al2O3-SiO2石油裂化催化剂上自由基空间分布的ESR成象

报道了用自己设计制作的电子自旋成象装置,对芳烃芳胺化合物在Al₂O₃-SiO₂催化剂表面酸中心所形成的正离子自由基进行二维ESR成象研究.