用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

硅光电负阻器件的光电功能

全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。     

硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性

在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.     

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).     

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿λ型光电双极晶体管(DPLBT)的结构及其等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序对DPLBT的电学特性(IC-VCE)进行了模拟,对所研制的DPLBT器件进行了测试,并对模拟和实验结果作了深入分析,其IC-VCE特性与模拟结果符合得较好.研究发现DPLBT具有良好的特性和多种光电功能,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景.     

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机／聚合物发光二极管（OLED）为负载器件,以光电双基区晶体管（PDUBAT）型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强－输入光强光 学 双稳态特 性曲线,并对实验结果进行了分析讨论。     

一种基于光电负阻器件的新型阈值可调光传感器

将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起，利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性，制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明，该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合，还可实现设定阈值，比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能；同时它结构简单，调整方便。     

硅纳米线纳米器件的研究进展

硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备.介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面的纳米传感器、纳米晶体管、光电探测器等纳米器件的最新进展,并对其研究前景做了展望.     

Si纳米线及其器件研究进展

Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。     

An Array of Light-Stimulated Two-Terminal Synaptic Devices with the Modulation of Electric Polarity

Neuromorphic visual systems based on optoelectronic synaptic devices have been recently studied to simulate the retina and visual cortex of a human being. Now it is shown that an array of optoelectronic synaptic devices based on the two-terminal structure of Si/perovskite/Au may mimic the functionalities of lateral geniculate nucleus (LGN) cells. Benefiting from the photovoltaic effect, the devices can work under a self-powered mode. Diverse synaptic functionalities such as postsynaptic current, paired-pulse facilitation/depression, spike duration-dependent plasticity, spike number-dependent plasticity, and spike rate-dependent plasticity have been simulated. By modulating the electric bias of the devices in the array the simulation of the positional and orientational recognition of the LGN cells is demonstrated.