多孔硅镶嵌正丁胺/激光染料复合膜的荧光谱

多孔介质染料镶嵌膜有可能是发展固体染料激光器的一种途径[1].由于其所具有的微孔结构和大的比表面积,故使其成为激光染料理想的载体,以形成多孔硅基发光材料[2].　　我们用正丁胺作碳源,采用射频辉光(ＲＦ)放电法制备碳膜.利用正丁胺、Ｒ6Ｇ/聚乙二醇分别作碳源和蒸发源得到一种混合膜,如将其沉积在刚制备的新鲜多孔硅上则得到多孔硅镶嵌复合膜.本文着重研究了镶嵌于多孔硅中的正丁胺/Ｒ6Ｇ的荧光光谱,并考察了多孔硅衬底的改变对多孔硅镶嵌膜发光的影响.1　样品制备　　(1)多孔硅的制备　制备多孔硅(ＰＳ)所用的材料为(100)晶向的ｐ型单…     

多孔硅镶嵌正丁胺/激光染料复合膜的荧光谱

The photoluminescence (PL) of the compound films made by implanting n-butylamine/ Rhodamine into the porous silicon films was studied. Comparison and discussion of the difference of PL of the compound films and the dyes were carried out. The PL of the compound films with different substrates was measured.     

化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响

自1990年英国科学家Canham发现室温下多孔老（poroussilicon缩写为PS）的可见光区光致发光以来，在世界范围内迅速形成了一股强大的多孔硅研究热．硅是间接禁带半导体．禁带宽度为1．11eV，不可能在可见区发光．对于多孔硅在可见区的强烈荧光发射及其形成，Canham和Lehamm等分别建议可用量子线的尺寸限制效应未解释[1,2]．但Tsai和Hance等用FTIR研究经过后处理的多孔老样品[3]，认为多孔硅的发光与表面的硅氢化物相关，并提出硅的二氢化物SiH2的浓度与荧光强度相关．关于多孔硅的发光机制，还有非晶态发光[4]等说法．因止匕多孔硅的发…     

Er3+、In3+等金属离子对多孔硅光致发光性质的影响

用阳极腐蚀的方法制备了多孔硅样品,用电化学方法在多孔硅中注入Er3+、In3+等金属离子,并对注入离子后多孔硅的光致荧光光谱进行了研究,结果表明：注入Er3+及In3+后的多孔硅在588nm处的发光峰强度大大增加,同时发光峰稍有展宽。随着离子注入时间的增长,强度继续增加,但当离子溶液浓度一定时,这种增强对时间具有饱和性。     

Er2O3的光致发光光谱,吸收光谱和Raman光谱

在可见激光的激发下,Ｅｒ２Ｏ３粉晶样品的Ｒａｍａｎ光谱易受Ｅｒ＾３＋光致发光光谱的干扰。本文利用同一Ｒａｍａｎ光谱仪测得Ｅｒ２Ｏ３的高分辨可见光吸收光谱和激发光谱。     

掺铕多孔硅的恒电位电解法制备及其光致发光

首次报道掺稀土多孔硅的恒电位电解法和稀土硝酸盐－支持电解质－非乙醇有机溶剂的电解体系,这一新方法和新体系具有易于控制电解产物,可掺入高浓度稀土（１０＾２１／ｃｍ＾３以上）,自主控制掺人稀土的浓度并显著增强多孔硅室温光致发光的优点。研究了溶剂、外加电压、Ｅｕ（ＮＯ３）３浓度及电解时间对多孔硅（ＰＳ）室温光致发光的影响,优化了恒电位电解法制备掺铕多孔硅的条件,获得了室温光致发光强度高于多孔硅的ＰＳ：Ｅ     

碱式硫酸锌转化法制备ZnO多孔片及其光致发光性能

采用化学浴沉积法制备了碱式硫酸锌(ZSH)纳米片, 并经1000 ℃煅烧处理得到了ZnO多孔片. 详细研究了ZSH在Zn²⁺-六亚甲基四胺前驱体溶液体系中的形成机理、ZSH 的热解过程、ZnO的结晶性、微结构以及光致发光性能. 结果表明, 所得ZnO多孔片呈规则六角形状, 其尺寸为10-50 μm, 厚度为200-500 nm, 由于高温固相反应中传质等因素的限制, 构成薄片的ZnO晶粒呈多边形或不规则形貌, 晶粒间的孔为亚微米孔, 尺寸在100-500 nm范围. ZnO多孔薄片结晶性良好, 在388 nm处表现出较强紫外发光, 无可见光区的缺陷发光. 机理分析表明, SO₄^2- 与Zn²⁺的高亲和力是Zn²⁺-六亚甲基四胺体系中ZSH生成的根本原因, 而ZSH的热分解过程对ZnO多孔片的形貌和微结构影响显著. 本研究提出了一种制备高结晶质量ZnO多孔材料的新方法, 所得ZnO多孔片可望在催化、染料敏化太阳能电池、紫外光电器件等领域得到应用.     

C76Si2异构体的分子设计和光谱研究

用INDO系列方法对C76Si2的17种可能异构体进行系统理论研究, 表明最稳定异构体是由C78(C2V)沿X方向椭球长轴所穿过的六元环上的2个C原子(29, 30)被Si取代所形成, 异构体稳定性随2个Si原子沿Z方向距离增加而降低, 且取代场所附近易成为进一步反应中心; C76Si2(29, 30)电子光谱吸收峰与C78相比发生红移, 主要是由于其对称性降低和LUMO- HOMO能隙变小。     

预处理对多孔硅形成过程的影响(英文)

本工作初步探讨了开路电位下对硅片进行预处理时多孔硅的形成过程 .电化学极化实验、扫描电镜和拉曼谱学的研究表明 ,预处理可以加速硅 /溶液界面上的化学或电化学反应 ,从而加快多孔硅的生长过程 ,最终导致光致发光的光谱红移 .多孔硅的厚度随预处理时间的增长而减小     

Porous Si/C composite as anode materials for high-performance rechargeable lithium-ion battery

A novel porous silicon was synthesized through a magnesiothermic reduction method of molecular sieve for the first time, the porous silicon was used as anode material, which shows a high initial specific capacity of 2018.5 mAh/g with current density of 0.1 A/g.     

多孔硅的电化学制备

单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅, 多孔硅是一种以新形态存在的硅, 与单晶硅相比, 它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明, 在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应, 新近获得的Raman光谱也证实了这一点。     

酸根离子掺杂对多孔阳极氧化铝光致发光特性的影响

采用电化学二次阳极氧化法分别在纯硫酸、纯草酸及硫酸-草酸混合电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝(AAO)样品, 考察了它们在250 nm光激发下的光致发光(PL)特性. 研究结果表明, 各系列AAO样品在350～450 nm波段范围内的PL谱形均完全相似, 具有相同的发光中心, 即氧空位缺陷态; 掺杂进入AAO样品的SO₄^2-和C₂O₄^2-分解形成的发光中心对应的光发射分别在288和328 nm附近; 对于硫酸-草酸混合电解液中生长的AAO样品, 其在328 nm附近的发光峰随着硫酸-草酸体积比的增大呈先增大后减少的变化, 而288 nm附近的发光峰却由基本消失到逐渐显现. 初步分析了该现象的成因.     

褐钇铌矿族矿物的可见光光致发光谱和吸收谱研究

测定并讨论了白云鄂博变生态和退火晶态褐钇铌矿族矿物在 4 88 0和 51 4 5nm激光激发下的光致发光谱。分析表明 ,该族矿物的发光中心是Er3 和Eu3 ,其中褐钇铌矿的发光主要由Er3 产生 ,而Eu3 和Er3 的共同发光构成褐铈铌矿的发光谱。可见光吸收谱显示 ,Nd3 可能是该族矿物光致发光的重要敏化剂。     

两步法制备多孔硅及其表征II：脉冲电流法

采用脉冲阳极／阴极电流和化学氧化两步法分别在1：1的氢氟酸和乙醇溶液中及20％硝酸溶液中制备出孔径约为0．5－3μm,厚度大约为10－20μm的多孔硅样品,将获得的多孔硅结构再进一步用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪进行表面形貌和光学性质的考察,与恒电流－化学氧化两步法制得的多孔硅相比,用脉冲电流法得到的多孔硅的孔径范围较大,且多孔层较厚,制备时加紫外光照显著提高了多孔硅的,并发生“蓝移”现象,用脉冲电流法制得的多孔硅在老化后（在干燥器放置一年）同样观察到光致发光明显增强。     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种"多层三明治结构"的光致发光材料-C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,然后分别在400、650和750℃退火1 h.在波长为250 nm的紫外光激发下,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在398nm(3.12 eV)处的紫光宽带PL1峰.在650℃退火后,又出现了一个在360nm(3.44eV)附近的PL2峰.PL1和PL2峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关,但强度却与退火温度和激发波长密切相关.结合形态结构分析可知,紫光PL1峰可用量子限制-发光中心(QC-LCs)模型进行解释:即光激发发生在8iO2微粒内部,而光发射源于SiO2与Si界面上的缺陷中心.紫外荧光PL2峰则源自SiC内部的电子-空穴复合发光.     

多孔硅表面钝化对其发光性能的影响

报道多孔硅（PS）的表面钝化对其光致发光（PL）和电致发光（EL）的影响。PL和EL谱表明,经钝化处理的PS的PL和EL强度明显增强,且发光峰位较大蓝移;存放实验表明,经钝化处理的PS的PL和EL发光强度和发光峰位具有较好的稳定性;I～V曲线显示,经钝化处理的PS发光器件具有较低的启动电压。这些结果表明：用钝化处理的方法是提高PS的PL和EL强度和稳定性及改善其器件性能的有效途径。     

多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响

应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.     

两步法制备多孔硅及其表征I:恒电流法(英文)

本工作通过采用电化学极 -化学氧化两步法在 1:1氢氟酸和乙醇溶液中制备出孔径约为 1～ 2 μm ,厚度大经为 6～ 10 μm的多孔硅样品 .首先将 0 .0 3A/cm2 的恒电流施加到p( 10 0 )硅片一段时间 ,然后将该硅片浸到 2 0 %的硝酸溶液中氧化一段时间 .通过此方法获得的多孔硅结构再进一步用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪进行表面形貌和光学性质的考察 .所有制备出的多孔硅结构均有光致发光现象 .老化的多孔硅样品 (在干燥器放置一年 )的光致发光谱峰强度明显增强 ,但分别经过苯乙烯和十六碳烯 ( 1)两种有机溶剂处理 1h后的老化多孔硅样品的光致发光强度却没有显著改变 .     

Effect of current density on morphological,structural and optical properties of porous silicon

The morphology of porous silicon (PS) layers produced by electrochemical etching of n-type (100) silicon (Si) at different low current densities was studied using SEM, image J analysis and WSxM software. From FTIR spectroscopy analysis, the Si dangling bonds of the as-prepared PS layer have large amount of Hydrogen to form weak Si–H bonds. From Raman analysis, a full width half maximum (FWHM) of the Raman peak was gradually increased with increased current density, shifted towards lower energies due to reduce of crystallite size, the crystallite size in the PS varied from 63 nm to 20 nm depending on the current density. The optical response of the PS layer has been performed by the absorbance and Photoluminescence was studied experimentally in the visible range. The optical absorption and photo luminescence in PS is due to excitonic recombination between the defect states as well as on the surface of nanocrystals, and this was attributed to the presence of silicon hydride species which are confirmed by FTIR spectra. The red shift was observed in absorbance and Photoluminescence due to decrease in the size of Si crystallites and growth of Si=O bonds. The contact angle varied from 76° to 120.1°. From the wettability studies, the surface nature of the PS was converted from hydrophilic to hydrophobic when the current density increased.     

Photoluminescence properties of SnO2 nanowhiskers grown by thermal evaporation

SnO₂ nanowhiskers were synthesized by thermal oxidation with and without a gold film as a catalyst. The SEM images reveal wire-like and rod-shaped nanowhiskers about several hundred micrometers in length and 100 nm in diameter. The three observed Raman peaks at 474, 632, and 774 cm⁻¹ indicate the typical rutile phase which is in agreement with the X-ray diffraction results. The photoluminescence properties were measured at room temperature. The peaks at 342 nm corresponding to the excitation transitions from the conduction band to the valence band of the SnO₂ nanowhiskers were not observed. However, a strong emission band at 600 nm was detected indicating the existence of oxygen vacancies in both samples. A new emission band at 398 nm was also observed in the sample with the gold film and it could be attributed to the near band-edge emission.