14MeV中子硒同位素反应截面的测量

在14MeV中子能区用活化法测得了⁸²Se(n,2n)^81m,gSe, ⁷⁶Se(n,2n)⁷⁵Se,⁷⁸Se(n,p)⁷⁸As,⁷⁶Se(n,p)⁷⁶As,⁷⁴Se(n,p)⁷⁴As和⁸⁰Se(n,α)⁷⁷Ge反应截面值, 以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测量值和收集到的文献值进行了比较.     

基于14 MeV中子的烧氚历史诊断模拟研究

针对直接测量16.7 MeV进行烧氚历史诊断所需聚变产额高的情况,模拟研究了利用14 MeV中子与副靶作用产生的非弹伽马进行烧氚历史诊断的情况,计算了几种材料14 MeV中子作用产生的次级伽马能谱以及切伦科夫辐射阈能之上的非弹伽马数目,对副靶材料和厚度进行了选择。计算了14 MeV中子产生的切伦科夫光子时间谱,分析了光电转换器件处伽马、电子以及正电子等噪声信号,分析了气体切伦科夫系统测量统计涨落与聚变中子产额之间的关系,确定了气体切伦科夫系统所适用的最低聚变中子产额,通过测量14 MeV中子与副靶产生的非弹伽马进行烧氚历史诊断较直接测量16.7 MeV伽马可将测量所需聚变中子产额降低2个量级。     

14MeV中子治疗仪束流特性的综述

描述了１４ＭｅＶ快中子治疗仪的束流特性，它包括：中子能谱，快中子与生物的相互作用，吸收剂量与深度的关系，吸收剂量与生物效应等。并同其他类型的中子治疗仪进行了比较。     

14MeV中子场注量测量技术

为直接或间接地满足用于模拟试验的中子注量（率）物理诊断测试系统的性能研究、检定（校准、刻度、标定）和测试要求。建立起测量14MeV中子注量（率）的伴随粒子法计量装置，通过比对等量值传递方法溯源到国家、部门或行业有关计量基准和计量标准，并建立量值传递技术。     

14MeV中子与铈元素的（n，2n）反应截面测量

在本工作中，铈元素14MeV中子（n，2n）反应截面通过^27Al（n，α）^24Na标准反应截面相对测量获得，^27Al（n，α）^24Na活化反应截面被推荐为一级放射计量标准截面，作为标准值被广泛用于放射剂量和活化测量中，尤其是在13．和14．9MeV能区，该反应截面的不确定度小于1．0％，适合作为相对测量反应截面使用。     

有限球中14MeV中子点源问题的数值模拟

点源问题的物理实验与数值计算是研究反应堆防护和辐射效应,考查中子参数和计算方法的重要手段。本工作解决了有限元节点上的加源问题,并对几个典型的14MeV中子点源问题的物理实验,用双向间断有限元法进行了数值模拟,并和其它方法的计算结果及物理实验的测量结果进行了比较,取得了较为满意的结果。     

用14MeV中子轰击铌伴生γ射线研究

利用脉冲化的T(d,n)⁴He中子源、伴随粒子方法、Ge(Li)探测器和飞行时间技术测量了14.9MeV中子和铌反应在30°—140°之间七个角度上的分立γ射线谱;由高分辨γ谱分析程序识别了79条谱线;初步确定了62条谱线所由产生的反应类型和跃迁能级,其中有40条谱线是在由中子诱发的核反应中首次发现的.定出了每条谱线在七个角度上的微分产生截面,结果表明该反应中的伴生γ发射基本上是各向同性的.     

CCD相机对14MeV和2.5MeV中子瞬态响应特性

从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14MeV和2.5MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。     

13.5—14.6MeV中子能区镓的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准测得的⁶⁹Ga(n,2n)⁶⁸Ga,⁶⁹Ga(n,p)^69mZn,⁷¹Ga(n,p)^71mZn和⁷¹Ga(n,n′α)⁶⁷Cu的反应截面值.由(13.5±0.2),(14.1±0.1)和(14.6±0.2)MeV中子引起的⁶⁹Ga(n,2n)68Ga反应截面值分别为(794±31),(869±35)和(986±39)mb,⁷¹Ga(n,n′α)⁶⁷Cu反应截面值分别为(1.3±0.1),(1.7±0.1)和(2.5±0.1)mb.在中子能量为(14.1±0.1)MeV能量点,⁶⁹Ga(n,p)^69mZn反应截面值为(21.5±1.0)mb,⁷¹Ga(n,p)^71mZn反应截面值为(12.4±0.7)mb.单能中子由T(d,n)⁴He反应获得.文中还列举了尽可能收集到的数据以作比较.     

CCD相机对14 MeV和2.5 MeV中子瞬态响应特性

从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14 MeV和2.5 MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。     

Low-temperature photoluminescence in germanium irradiated by fast neutrons

This study was carried out to investigate low-temperature (T=4.2 K) photoluminescence caused by interdopant recombination transitions in n-germanium irradiated by fast (epicadmium) reactor neutrons and subjected to “complete” annealing (+450°C, 24 h). It is shown that lines of interdopant radiative recombination observed in initial and in irradiated and annealed specimens are caused by both initial impurities and (mainly) dopants (As and Ga) implanted by transmutation as well as by defect sets stable at long-time high-temperature annealing that do not contain fine dopants. Belarusian State University, 4, F. Skorina Ave., Minsk, 220050, Belarus. Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 64, No. 4, pp. 479–482, July–August, 1997.     

Concentration of radiation displacement defects in BSO and BGO crystals irradiated by electrons or neutrons

This work is devoted to the calculation of the concentration of radiation displacement defects (RDD) in bismuth germanate and bismuth silicate crystals as a function of particle energy (electrons and neutrons). Energy dependencies of RDD concentrations are discussed in comparison with results for other complex oxide crystals. The obtained results show that for the case of electron irradiation the radiation hardness of BSO and BGO should be similar to other oxide crystals, but for neutrons is drastically smaller. Additionally, for the neutron irradiation, the efficiency of the production of defects in the oxide sublattice is drastically smaller than for other oxide crystals.      

靶室散射对ICF中子产额用铅活化法测量准确性的影响

 通过用MCNP4B程序计算在铅样品中的来源于靶室散射中子的注量和来源于未经靶室散射的源中子注量，结合由ENDF/B-Vi评价数据库给出的中子铅活化核反应截面，得到了在铅样品周围存在不同屏蔽材料时，神光Ⅱ靶室散射对聚变中子产额用铅活化法测量准确性影响小于1‰的结果。     

靶室散射对ICF中子产额用铅活化法测量准确性的影响

通过用MCNP4B程序计算在铅样品中的来源于靶室散射中子的注量和来源于未经靶室散射的源中子注量,结合由ENDF/B-Vi评价数据库给出的中子铅活化核反应截面,得到了在铅样品周围存在不同屏蔽材料时,神光Ⅱ靶室散射对聚变中子产额用铅活化法测量准确性影响小于1‰的结果。     

激光诱导2024铝合金表面动态应变检测

采用PVDF贴片传感器对脉冲激光作用下2024铝合金表面的动态应变进行了测量,分析了动态应变曲线的特性。结果表明,PVDF贴片传感器在动态应变测量中动态响应快,灵敏度高,可有效应用于脉冲激光诱导材料表面动态应变的实时测量。脉冲激光作用过程中,2024铝合金冲击光斑周围材料先受挤压,后压应变减小。脉冲激光作用结束后,2024铝合金冲击光斑周围材料表面粒子在卸载稀疏波和表面稀疏波的作用下不断往复运动,冲击光斑周围材料甚至受到了拉应变的作用。最后随着时间的推移,材料表面粒子的动态响应经反复震荡后逐渐衰弱形成最终的稳定状态。     

14MeV中子引起的185Re(n,2n)184g,mRe和191Ir(n,2n)190Ir的核反应截面测量

利用活化方法测量了1?4MeV中子引起的¹⁸⁵Re(n,2n)^184gRe,¹⁸⁵Re(n,2n)^184mRe和¹⁹¹Ir(n,2n)¹⁹⁰Ir核反应的截面.中子能量E_n=(14.7±0.2)MeV时的实验结果分别为:(1817±85)mb,(390±18)mb和(2038±82)mb.并利用HFTT程序计算了中子能量在7—18MeV范围内的截面值,给出了其中两个核反应的激发函数曲线.     

14MeV脉冲中子非弹性散射γ谱的测量

论述了中子和原子核相互作用的几种反应，利用各反应在时间上的差异，采用双门减本底的测量方法来测量非弹性散射γ谱。利用碳、氧的非弹性散射γ谱线能量高、能量差别大的特点，以碳、氧为指示元素测量水和石蜡的非弹性散射γ谱。开设这一实验，可以加深对相关核物理理论和碳氧比测井的原理的理解以及相关的核电子学的知识运用。     

血液中Na活化放射性测量的蒙特卡罗模拟

针对超临界事故中人体受到中子辐照后感生的24Na活度测量,采用MCNP软件建立蒙特卡罗模拟模型,分别模拟不同类型NaI探测器对24Na衰变的两条射线全能峰的探测效率和塑料闪烁体探测器对24Na衰变的射线总计数的探测器效率。模拟结果表明：井型NaI探测器与圆柱型相比,24Na衰变的1.38 MeV和2.76 MeV 射线全能峰探测效率分别提高了4.30倍和4.11倍;塑料闪烁体探测器对24Na衰变的射线的探测效率是NaI探测器对24Na 射线的探测效率的1.72倍;同时粗略计算了探测器计数与人体所受中子辐照剂量之间的关系。