{H[Cu（trans-Hcydta）]·2Bzim·1．5H2O·0．5MeOH·HClO4}的合成、结构和量子化学研究

反式．1，2-环已二胺四乙酸与铜离子合成标题配合物，经X射线衍射测定配合物的晶体分子结构，并用量子化学方法研究配合物的电子结构及分子轨道组成、该晶体属于单斜晶系，空间群为P2(1)／c，晶胞参数：a=1．6360(6)，b=1．3814(5)，c=1．5503(5)nm，β=90．885(7)°，V=3．503(2)nm^3，Z=4，Dx=1．495g／cm^3，u(MoKa)=7、74cm^-1，F(000)=1640，R1=0．0750，wR=0.1526；配合物中Cu-O键长为0．193～0．22nm，中心铜与配基原子形成畸型四棱锥。     

Er1-xDyxNi2B2C体系中超导和磁性的共存和相互作用

本在2K～20K温区内系统地研究了Er1-xDyxNi2B2C体系中超导转变温度Tc的反铁磁转变温度TN随Dy掺杂含量x的变化．实验发现x=0．3和x=0．8附近的样品具有复杂的磁结构．这些洋品有两个磁转变温度(TN’和TN)．对于该体系发现了两个主要的特征：1)在x=0．3附近，超导被抑制，TN’出现一个小的峰值；2)在x=0．8附近，Tc出现一个低谷，TN’出现一个大的宽峰．TN’在x=0．3和x=0．8附近的异常来源于改系统中超导和磁性的共存和相互作用。     

（100）MgO和（100）LaAl03高温超导基片材料THz时域光谱研究

THz波段位于微波与红外之间，该波段电磁波与物质的相互作用是一个崭新的研究领域．应用THz时域光谱技术研究了两种重要的单晶基片材料(100)MgO和(100)LaAIO3的THz光谱．在0．2—2THz频率范围，得到这两种材料在THz波段的光学参数．结果表明，在THz波段MgO基片材料的折射率n和介电系数ε不随频率的变化而变化，而LaAlO3基片材料的折射率和介电系数随着频率的增加而略有增加．在1THz频率处，测得MgO的复折射率n=3．46 i0．001，复介电系数ε=12．27 i0．06H；LaAlO3的复折射率n=4．78 i0．02，复介电系数ε=22．5 i0．2．在THz波段，LaAlO3基片的介电损耗tanδ约为MgO的5倍，且两者的介电损耗值均小于0．0l，说明MgO和LaAlO3。材料作为高温超导器件基片材料可以工作于THz波段．     

论纯电阻电路的电源输出功率与电阻的关系——解读电源输出功率随电阻变化的曲线

【例1】如图1所示，电源电动势E=4V，内阻r=4Ω，R’为滑动变阻器，其电阻的最大值为3Ω，则电源的最大输出功率是多少．     

自由基CH（X^2П，α^4∑^-）的光谱数据从头算研究

用分子轨道从头算方法，对CH自由基的基态（X^2П）和低激发态（α^4∑^-）的光谱数据进行了计算。计算结果表明，在基态CH（X^2П）时。在QCISD（T）／6-311G＋＋（3df．3pd）水平上．计算所得的键长R=0.1120981nm，偶极矩μ=1．5891 Debye，υ=2845．43cm^-1均与实验值相吻合，在B3PW91／6-311G＋＋（3df，3pd）理论水平上，计算的基态能量为-38．496143Hartree。误差仅为0．22％；对低激发态CH（α^4∑^-），使用含时的密度泛函方法（TDDPT）和大基组6—311＋＋G（3df，3pd）计算所得的R=0．1094nm，垂直跃迁能量为0．926eV，均与实验结果有较好的吻合。     

一道易错题的分析

【题目】在光滑水平面上，有一辆质量为m1=20k的小车，通过一根几乎不可伸长的轻绳与另一节质量为m2=25kg的拖车相连接，一质量为m3=15蚝的物体放在拖车的平板上，物体与平板间的动摩擦因数为μ=0．2．开始时拖车静止，绳未张紧，如图1所示．小车以v00=3m／s的速度向前运动，当m1、m2、m3以相同速度前进时，物体在拖车平板上移动的距离为多少？     

La0.25Ca0.75MnO3的晶体结构研究

用X射线衍射仪测量了La0．25Ca0．75MnO3多晶粉末在300K和70K时的晶体结构衍射谱，并用Rietveld全谱拟合法对这些数据进行了拟合．结果表明，在室温时，La0．25Ca0．75MnO3由于MnO6八面体的Jahn-Teller晶格畸变，其晶体结构已发生了扭曲，晶格常数分别为a=0．53559nm，b=0．75537nm，c=0．53587nm．温度降至70K时，X射线衍射谱上出现了比室温更多的衍射峰，有些峰发生了“双峰”劈裂，但仍然具有与室温相同的晶体对称性(空间群为Prima)．70K时的晶格常数分别为a=0．53673nm，b=O．74785nm，c=O．53718nm，与300K时的晶格常数比较，a和c分别增大了O．21％和O．24％，而b减小了1．O％，这一晶体结构的巨大变化源于在电荷有序态下形成了静态的合作Jahn-Teller效应．     

PdCO分子结构的量子力学计算

用Gaussian98程序，在相对论有效原子实势(RECP)近似下，用密度泛函(B3LYP／SDD)方法计算得到了PdCO分子结构，分子的力学和光谱性质。结果表明：PdCO的基态为^1∑^ ，基态离解能为17．2588eV。谐振频率为v1(σ)=2110．8595cm^-1，v2(π)=260．5628cm^-1，v3(σ)=456．5631cm^-1；力常数为f11=1．13922(a．u．)，f12=0．0372481(a．u．)，f22=0．17847(a．u．)，foa=0．042388(a．u．)。转动常数为0.1131cm^-1，零点振动能为18．4745(KJ/Mol)。     

（LiN3）n（n=1～2）团簇结构与性质的密度泛函研究

用密度泛函理论（DFT）的杂化密度泛函B3LYP方法在6—31G^＊基组水平上对（LiN3）n（n=1～2）团簇各种可能的构型进行几何结构优化，预测了各团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的振动特性、成键特性和电荷布局等性质进行了理论研究．结果表明，LkN3团簇最稳定构型为直线构型；（LiN3）n（n=1～2）团簇中N—N键长在0．1146-0．1203nm之间，N—Li键长在0．1722～0．1987nm之间；团簇中Li原子全部显正电性，越靠近Li原子的N原子负电性越强，在直线构型的Nf离子中，两端的N原子均具负电荷，而中心N原子具正电荷．     

Bi2223／Ag带HTS双饼磁体实验

用国产Bi2223／Ag带（西北有色金属研究院提供）设计的中心场3．0T．贮能35kJ的传导冷却高温超导磁体正在建造中．磁体由绕组内径150mm．外径272mm的32个双饼磁体组成．磁体在温度T=20K下．设计临界电流Ic=132A．额定运行电流I=100A.在T=20K附近进行四双饼组合磁体实验，得到磁体Ic=140A，中心场Bcc=1．14T，相应Bi2223／Ag带上最大轴向场Brmax=1．91T．Bi2223／Ag带上最大垂直场Brmax=1．14T．四双饼组合磁体的实验结果预示：35kJ HTS贮能磁体的设计目标能够达到．     

InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性．几何结构分析表明，In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2（p=6，8，10，k=3，4，…，11）双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式，并得到In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2双壁管状团簇及（m，n）@（2m，2n）（m=n=3，4，5）型InAs纳米管的管径公式．电子特性的计算结果表明：[6，k]@[12，k＋2]型管状团簇和（3，3）Q（6，6）型纳米管稳定性最高；利用前线轨道随尺寸的变化规律，得到InAs双壁管状团簇的生长机理，阐明实验合成InAs纳米管的微观机理；态密度和能带研究结果表明，InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性．     

硝基甲烷与硝基乙烷266 nm光解动力学

利用单光子激光诱导荧光技术，在硝基甲烷与硝基乙烷气相条件下266 nm光解过程中，对初生态的解离产物OH进行了测量．结果表明，两个解离过程中产生的初生态OH都没有振动激发．硝基甲烷光解过程中产生的OH的转动分布可以用玻尔兹曼温度简单的表示，相对于自旋轨道分裂的2|3=2与2|1=2两个态，其转动温度分别为2045§150与1923§150 K．硝基乙烷光解过程中产生的OH不是简单的玻尔兹曼分布，因此不能用玻尔兹曼温度来描述，这一结果 意味着硝基甲烷与硝基乙烷在生成OH的过程中经历了不同的解离过程．硝基甲烷     

配合物[Zn（DMF）2（H2O）4]·C8Cl4O4的合成及其结构的研究

采用溶剂挥发扩散法合成了配合物单晶[Zn（DMF）2（H2O）4]·C8Cl4O4,其中DMF为N,N′-二甲基甲酰胺。配合物为三斜晶系,P-1空间群,其晶胞参数为n=0．57680（10）nm．6=0．85991（14）nm,c=1．2030（2）nm,α=95．781（3）°,β=102．074（3）°,γ：98．594（2）°,V=0．57154nm^3,Z=1,Mr=585．51,Dc=1．701g／cm^3,F（000）=298,μ=1．594mm^-1,最终偏差因子R1=0．0315,ωR2=0．0914．和R1=0．0345,ωR2=0．0946,同时采用红外光谱分析、元素分析对其进行表征。     

He—LiH的从头算势能面

采用超分子CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组，计算得到了He—LiH体系的全程势能面。计算结果表明该势能面存在2个势阱：较深的势阱在Rm=4．25a0，阱深为177．53cm^-1，对应于线性He—LiH构型；较浅的势阱在Rm=10．0a0处，阱深仅为9．88cm^-1，对应于线性He—HLi构型。     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN219 2006065296 1．55/μm SiGe 2×3光开关=A 2×3 photonic switch in SiGe for 1．55μm operation[刊,英]/陈志文(中山大学光电材料与技术国家重点实验室．广东,广州(510275))．李宝军…//半导体学报,—2006,27(3)．—494-498利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1．55μm波长的2×3 SiGe光开关。该     

3S-7-羟基蜂蜜曲霉素分子的晶体结构

从红树林内生真菌Xylariasp．2508中分离到一个新的蜂蜜曲霉素型化合物3S-7-羟基蜂蜜曲霉素,这是首次从海洋真菌中获得该类结构的化合物并测定其晶体结构．通过核磁共振谱、红外光谱、质谱进行结构鉴定．其单晶经X射线衍射测试表明,该化合物晶体属单斜晶系,空间群为P21,化学式为C10H12O5,Mr=212．20．晶胞参数为:a=10．8884(19)(A|。),b=7.2284(13)(A|。),c=13．398(2)(A|。),β=104．217(3)°,V=1022．2(3)(A|。)3,Z=4,Dc=1．379 mg／m3, F(000)=448,μ=0．112 mm-1．结构由直接法解出,用全矩阵最小二乘法修正,最终偏离因子R=0．0498,wR=0．101．该分子由一个苯并吡喃环组成．通过与文献中已知3R-7-羟基蜂蜜曲霉素的熔点及旋光度对照,确定其绝对构型为3S．其初步抑菌实验结果表叫,3S-7-羟批蜂蜜曲霉素菌在每纸片200μg的剂量下对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus)没有表现出抑菌活性．     

p型透明导电氧化物CuCr1-xCaxO2的制备与光电性质研究

系统报道了铜铁矿CuCrl-xCaxO2单相多晶材料的制备和光电性质研究结果、X光衍射(XRD)以及电导的测量．结果表明，适当的Ca^2取代Cr^3+不改变材料的晶体结构，但能显著提高材料的导电性能，χ=0．06的原始Ca^2+掺杂样品在室温的电导率达到3．2×10^-2S／cm，几乎比不掺杂样品的电导率提高了近3个数量级．所有掺杂样品的电导率随温度的变化曲线在200～300K，很好地符合Arrhenius关系，其Seebeek常数均为很大的正数，这表明所有样品均为典型的P型半导体，其热激活能为0．27～0．36eV.     

BF分子A1Π→X1Σ+带系与b3Σ+→a3Π带系的Franck-Condon因子计算

在双原子分子核运动的波动方程中，计入分子的振转相互作用项，得出的波函数除与振动量子数有关外，还与转动量子数有关．用该波函数编程序计算了BF分子A¹Π→X¹Σ⁺带系和b³Σ⁺→a³Π带系的Franck-Condon因子．计算中转动量子数的取值由J=0取至J=200，结果适用于低温、高温和强激波条件． 关键词：     

N-甲硝胺异构化和分解反应机理和动力学的理论研究

在QCISD(T)/6-311+G*//B3LYP/6-311+G*水平上详细地研究了N-甲硝胺(CH3NHNO2)异构化和分解反应的势能面， 探讨了其反应的可能机理． 计算结果表明， 四个最低能量的反应通道是：(i) N-NO2键断裂通道，(ii) CH3NHNO2先异构化为CH3NN(OH)O(IS2a)， 然后IS2a异构化为其它异构体，(iii) HONO消除通道，(iv) CH3NHNO2先异构化为CH3NHONO(IS3)， 然后IS3通过N-ONO或O-NO键断裂而分解． 用CTST理论计算了这些反应的最初反应步(决速步)的反应速率常数， 得到这些决速步在298-2000 K的阿仑尼乌斯公式为k6(T)=1014:8e-46:0=RT ，k7(T)=1013:7e-42:1=RT ，k8(T)=1013:6e-51:8=RT 和k9(T)=1015:6e-54:3=RT s-1． 在503-543 K时计算的总包反应速率常数和实验测得的速率常数吻合很好．通过分析这些反应的速率常数， 发现在低温下CH3NHNO2异构化为CH3NN(OH)O的反应是主要通道， 而在高温下N-NO2键断裂和CH3NHNO2异构化为CH3NHONO的通道与异构化为CH3NN(OH)O的反应通道竞争．     

惠斯通电桥的应用

1利用电桥平衡条件判断复杂电路中的等电势点有些电路看似非常复杂，求等效电阻较为困难．如能找出其中的等电势点，便可快速求解出等效电阻．例：如图1所示，已知R1-R3-R5=7Ω，R2=R4=5Ω，R6=6Ω，求RAB解此题的关键是对凡的处置问题。因为R；R4一R。R3，所以，U；、一U。，故可将儿断开或短接，很快可得出：R。。一（R；＋2将伏安法与惠斯通电桥相结合测电阻教科书用优安法测电阻，其优点是直观、简D便．但无论是电流计外1接法还是内接法，都会出现较大的系统误差．教材中介绍，为了精确测定未知电阻、可采用惠斯通电桥法测量，…