连续激光二极管泵浦Nd：YVO4激光器的腔内倍频

报道连续激光二极管泵浦的Ｎｄ：ＹＶＯ４激光器的腔内倍频实验结果，比较了不同掺杂浓度的Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体的倍频输出功率，最大绿光输出功率为２２．２ｍＷ，光－光转换效率为３．５％，此外，还研究了腔内倍频的输出涨落特性。     

DH—LDA泵浦Nd：YAG激光器腔内倍频

用国产双异质结半导体激光列阵(DH-LDA泵浦Nd:YAG激光器进行腔内倍频,得到了0.6mW的535nm激光输出,倍频效率为2%;进行了不同脉宽,不同功率的高重复率泵浦实验,利用位相延迟匹配技术,得到了稳定的信频激光输出.分析计算了泵浦阈值,与实验结果基本一致.     

二极管激光侧面泵浦腔同人倍频Nd：YAG板条激光顺研究

用准连续６０Ｗ的二极管激光列阵侧面泵浦“之”字形Ｎｄ：ＹＡＧ板条激光器，当泵浦功率为４５Ｗ，脉宽为４００μｓ时，得到３．５ｍＪ的激光输出。用ＫＤ．Ｐ电光开关调Ｑ，得到１８ｎｓ、２ｍＪ的脉冲激光输出，用ＫＴＰ晶体作腔内倍频，得到１５ｎｓ、０．８５ｍＪ的二次谐波激光输出。     

激光二极管泵浦高效Nd：YVO4／KTP腔内倍频激光器

报道了激光二极管泵浦的高转换效率Ｎｄ：ＹＶＯ４／ＫＴＰ腔内倍频激光器，研究了泵浦光斑尺寸，谐振腔长，ＫＴＰ及Ｎｄ：ＹＶＯ４的温度对输出绿光效率的影响。在输出泵浦功率为６６９ｍＷ时，获得绿光输出功率１５４ｍＷ，光－光转换效率达２３％。     

二极管激光侧面泵浦腔内倍频Nd：YAG板条激光器研究

用准连续６０Ｗ的二极管激光列阵侧面泵浦“之”字形Ｎｄ：ＹＡＧ板条激光器，当泵浦功率为４５Ｗ，脉宽为４００μｓ时，得到３．５ｍＪ的激光输出。用ＫＤ＊Ｐ电光开关调Ｑ，得到１８ｎｓ（ＦＷＨＭ）、２ｍＪ的脉冲激光输出，用ＫＴＰ晶体作腔内倍频，得到１５ｎｓ、０．８５ｍＪ的二次谐波激光输出。在腔内无调Ｑ元件且腔长小于５ｃｍ时，于近阈值处得到单频绿光输出，而当泵浦功率稍大，腔内有数个纵模振荡时，观察到激光的反相态，并用数值模拟的结果对此作了解释。     

二极管泵浦高功率薄片激光器关键技术

固体激光器向高平均功率发展存在的最大问题是沉积在激光介质里的废热。废热的消除将导致热透镜、机械应力和退偏等效应，并由此造成光束质量的退化，激光功率的降低，甚至可能造成介质的断裂。采用薄片激光器设计可以允许介质具有高的泵浦功率密度而不产生显著的温度梯度，当泵浦区尺寸远大于薄片厚度时，热流可认为是沿厚度方向的一维分布。合理设计泵浦耦合结构，可以使薄片径向温度分布近似均匀，从而大大降低介质的热透镜效应和热致应力双折射。因此薄片激光器可以定标放大到很高的平均功率。     

162W二极管泵浦Nd：YAG腔内倍频激光器

高平均功率腔内倍频绿光激光器在许多领域都有非常广泛的应用，如用于高反射率材料的激光处理设备，材料的切割、钻孔和打标，医疗设备，燃料激光器或钛宝石激光器的抽运源，以及大型激光演示的光源等，国内外开展了许多这方面的研究工作，目前国外已获得平均功率300W的调Q脉冲绿光输出，国内最高水平是华北光电技术研究所输出功率120W的二极管泵浦腔内倍频绿光激光器。     

同步泵浦腔内倍频飞秒KTP光参量振荡器

采用光谱物理公司生产的，平均输出工为１．１Ｗ，脉宽为９０ｆｓ的再生锁模掺钛蓝宝石（Ｔｉ：Ｓａｐｐｈｉｒｅ）激光器作为泵浦源，ＫＴＰ作为非线性光学介质，以及ＢＢＯ作为腔内倍频晶体，制成了一台同上泵浦腔内倍频飞秒ＫＴＰ光学参量振荡器，其输出调谐范围５２８ｎｍ至５８６ｎｍ，最佳平均输出功率为２４０ｍＷ左右，脉宽约为１００ｆｓ。在无反馈伺服系统的情况下，该参量振荡器可维持振荡达三个小时。     

LD泵浦Nd∶YVO_4晶体KTP腔内倍频红光激光器

报道了激光二极管泵浦 Nd∶YVO4 晶体 , 临界相位匹配 KTP晶体腔内倍频红光激光器 .通过对激光晶体热效应的考虑 ,设计了热不灵敏腔 ,最大获得了 2 73 m W671 nm红光输出     

LD泵浦Nd:YVO4晶体KTP腔内倍频红光激光器

报道了激光二极管泵浦Nd∶YVO4晶体,Ⅱ临界相位匹配KTP晶体腔内倍频红光激光器.通过对激光晶体热效应的考虑,设计了热不灵敏腔 ,最大获得了273mW 671nm红光输出.     

Compact diode-pumped Nd:YVO4 intracavity-doubled red laser at 671 nm

A design of diode-pumped high efficiency Nd:YVO₄/LBO laser with a compact linear cavity was reported. Employing a type-II noncritical phase-matched LBO crystal, we generated 520 mW of 671 nm in single transverse mode at 6 W of incident pump power, the optical conversion efficiency being 8.7%.     

二极管泵浦Nd:YAG薄片激光器技术研究

固体激光器向高平均功率发展的最大障碍是激光介质的热效应.采用薄片激光介质可以实现热流近一维分布,因而是解决固体激光器热效应的有效手段之一,但许多因素都会影响薄片的一维热分布.对薄片热分布的主要影响因素进行的计算分析表明,在均匀泵浦条件下,泵浦区径向温度的均匀性不仅和泵浦区面积与薄片厚度之比有关,而且和冷却区与泵浦区的相关尺寸有关.采用均匀耦合技术并合理设计薄片的散热冷却结构以实现热流近一维分布,用平均功率336 W的激光二极管阵列泵浦一块NdYAG薄片,获得了平均功率超过120 W的准连续激光输出.     

100W二极管泵浦Nd:YAG薄片激光器

 报道了一台高效率二极管泵浦Nd:YAG薄片激光器，采用高效均匀泵浦耦合技术，在峰值功率1.008kW，占空比25％, 电-光效率大于45%的二极管激光阵列泵浦下，用一块1mm厚的Nd:YAG薄片激光介质，获得了峰值功率404W，平均功率101W的准连续激光输出，光-光效率达到40%，电-光效率超过18%。     

高功率半导体泵浦固体激光器输出特性的研究

通过实验详细测量了水温、工作电流对二极管激光器发射波长的影响;采用光线追踪法模拟计算出在不同泵浦参数下半导体泵浦光在NdYAG棒内的分布情况,得到了圆周上泵浦模块的个数,泵浦光发散角等因素对泵浦光分布均匀性的影响.采用直接泵浦方式,分别设计了二种不同功率水平的半导体泵浦的NdYAG固体激光器聚光腔,得到了170和800 W的输出功率,并对激光器的输出特性进行详细测量,最大光-光转换效率达37%,电-光转换效率约为16%.     

Q-switching of a diode-pumped Nd : YVO4 laser with GaAs nonlinear output coupler

Passive Q-switching of a diode-pumped Nd : YVO₄ laser was demonstrated using GaAs as an output coupler and as a saturable absorber. When pumped with a 3-W diode laser at 809 nm, the highly compact laser produced 12-μJ pulses of 2.2 ns in duration at 1.064 μm in a single transverse mode, corresponding to a peak power of 5.6 kW.     

高平均功率固体激光及其大气传输

固体激光器是一种具有重要应用背景的高功率激光器,对包括激光波长、光束发射口径、发射功率、光束质量等在内的激光器参数的选择进行了分析,研究了大气介质的光学性质、激光大气传输效应以及激光辐射与靶目标的耦合机制与耦合效率等因素的影响.相关结果表明100 kW的固体激光器的综合效能可与2～3倍平均输出功率的DF化学激光器相当,这说明高平均功率固体激光器是一种具有潜在优势和良好发展前景的高功率激光器.     

强激光畸变波前的高精度重构

 高精度的波前重构，是实现对强激光波前畸变进行有效补偿与控制，提高光束质量的重要前提。先利用三个较远的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以均方根梯度来描述的低频成分；再利用两个较近的衍射面及输入面上的强度信息，重构出强激光波前的以随机分布描述的中高频成分。当波前畸变的低频幅度小于或等于2λ，中高频幅度小于或等于0.15λ时，算法具有良好的收敛性能。     

High power diode-pumped triply doped fibre laser

A triply doped fibre laser is demonstrated for the first time. Using the 805 nm and 975 nm output from two diode laser sources to simultaneously pump a 2.1 m Yb³⁺, Tm³⁺, Ho³⁺-doped silica fibre laser, a maximum output power of 4.3 W was generated at slope efficiencies of 21% and 11% with respect to the launched 805 nm and 975 nm pump light, respectively. Whilst a number of energy transfer upconversion processes at the current dopant concentration levels appear to have impacted on the overall efficiency of the laser, the use of two separately pumped sensitiser ions to excite a single lasant ion has been shown to be a successful approach. PACS 42.55.Wd; 42.55.Xi; 42.60.Lh; 42.60.Pk     

High power high beam quality diode-pumped 1319-nm Nd:YAG oscillator-amplifier laser system

This paper demonstrated a high power and high beam quality diode-pumped 1319-nm Nd:YAG master oscillator-power amplifier laser system. A thermally near-unstable resonator with four-rod birefringence compensation flat--flat cavity was adopted as the master oscillator. A solid etalon was inserted in the unidirectional ring resonator to compress the laser linewidth. Under a repetition rate of 500~Hz and pulse width of 160~\mus, the master oscillator delivers an average output power of 16.8~W at 1319~nm with linear polarisation, beam quality factor M^{2} = 1.16 and linewidth of 3.2~GHz. A double-pass power amplifier with two amplifier stages was employed for higher power scaling and the output power was amplified to be 25.9~W with M^{2} = 1.43.     

808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列

采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。