快速电信号的外电光采样测量系统

建立了小型适用的外电光采样系统,利用增益开关半导体激光器产生的皮秒超短光脉冲做为取样门,以LiTaO₃电光探头作为电场传感器,实现了对梳状波电脉冲波形的光学采样测量,测量结果与用采样示波器测量的结果相符.分析了系统的主要性能,获得了25ps的时间分辨率及20mV/√Hz的电压灵敏度.实验分析了电光探头对系统测量精度的影响.同时用该系统测量了共面微带传输线的传输特性.     

快速耦合光纤过程与半导体激光器电光特性实验的研究

详细地介绍了怎样快速耦合半导体激光器所发射激光与普通光纤输入端端面的方法,使耦合效率尽可能达到最大,并使用简单的方法测量了光纤的剩余长度或者测量光速,最后给出据测量半导体激光器电光特性曲线可准确方便地获得阈值电流的方法。     

超快光电测量技术

本文综述了近年来趔快光电测量技术的新进展,其中包括扭快光电材料的特性、高速光电器件的基本原理,着重介绍了若干主要的用快光电测量技术．     

超快光电测量技术

本文综述了近年来趔快光电测量技术的新进展，其中包括扭快光电材料的特性、高速光电器件的基本原理，着重介绍了若干主要的用快光电测量技术．     

砷化镓高速集成电路内部电信号的光探针直接取样

本文介绍了电光取样技术原理报道了砷化镓高速集成电路内部电信号在片直接电光取样测量系统,它的时间分辨率优于20ps,空间分辨率优于3μm.通过对砷化镓共面波导的测量证实该系统可以对砷化镓高速集成电路内部电信号进行在片直接电光取样测量。     

电光采样(EOS)法测量超短电子束束团长度中的模拟计算与误差分析

随着高能物理的发展, 高能量正负电子对撞机, X射线自由电子激光器, 先进的同步光源等, 都需要产生高流强超短脉冲的相对论电子束团. 于是, 亚皮秒电子束束团诊断成为加速器物理新发展的关键技术, 电子束长度的监测是其中的一部分. 电光采样(EOS)法测量超短电子束团长度有非侵入、非破坏、实时测量的特点, 具有较好的应用前景. 本文介绍该方法的原理, 通过模拟计算分析电子束束团与探测光间距、电子束电场与电光晶体晶轴夹角、探测光偏振方向与电光晶体晶轴夹角等实验参数与束团长度测量的关系, 做系统误差分析, 对实际实验有指导意义.     

电光相对旋转角度测量实验

利用晶体的电光效应可实现2个同轴转动物体之间的相对旋转角度的测量．本文介绍了实验装置和实验原理，并以电光晶体LiNIbO2，为实例，阐述了测量方法．     

电光腔倒空激光二极管抽运Nd:YAG锁模激光器

设计了一个简单的直腔。将电光腔倒空与激光二极管端面抽运Nd：YAG半导体可饱和吸收镜锁模激光器结合，实现了锁模脉冲的产生、放大和输出。在连续抽运功率5W的条件下。获得了脉冲宽度为11ps的锁模单脉冲输出和脉冲宽度为200ns的调Q脉冲输出，腔倒空单脉冲能量为30nJ，重复频率为10Hz。连续锁模运转时单个锁模脉冲的能量约为2nJ。利用腔倒空将单脉冲的能量提高了15倍左右。文章详细讨论了腔倒空脉冲及调Q脉冲的产生机理，并分析了加在电光晶体上的高压电脉冲以及偏振片的偏振度对腔倒空脉冲及调Q脉冲的影响。     

一种高调制度宽线性范围太赫兹电光取样技术

本文提出了一种新型的具有高调制度和宽线性范围的太赫兹电光取样装置.该设计采用与传统45°偏置电光取样装置类似的光路,将电光晶体的输出光一分为二,通过适当调整两组四分之一波片和检偏器的取向,就可以实现调制度的大幅提高.采用琼斯矩阵理论,对光在该电光取样装置中的传播行为进行详细的研究,给出了输出信号的解析表达式,为有效提高调制度提供理论依据.结果表明,在调制度大幅提高的情况下,这种新型电光取样装置能够保持传统45°偏置电光取样装置的宽线性范围的优点.     

电光晶体调谐的外腔反馈半导体激光器

报道一种用电光晶体实现快速调谐和凋制激光频率的方法.在Littrow型外腔反馈半导体激光中插入LiNbO3晶体,利用LiNbO3晶体的电光效应,通过改变晶体电压来调节激光器的有效腔长,可以对激光频率进行快速的调谐和调制.采用该方法,自制外腔反馈半导体激光器的调谐频率可达到2 kHz,它的调谐范围为350 MHz,激光频率调谐系数约为1.06 MHz/V,用饱和吸收光谱观测频率调谐的效果.快速激光频率调制可以应用在稳频技术上,将外腔反馈半导体激光器调制在5～100 kHz频率下,均获得了87Rb原子D2线的饱和吸收光谱的色散信号,并实现了激光频率在饱和吸收峰上的长期稳定.     

电光可调谐有限脉冲响应滤波器设计

为得到高矩形度、低旁瓣、电光调谐逆向可导及通带带宽可调的电光可调谐滤波器,在x切y传的钛扩散铌酸锂(Ti∶LiNbO3)波导上,对周期性分布的N级叉指电极组提供分立电压V,产生周期性电场,实现似TE模与似TM模的偏振转换,进而实现滤波功能。该结构构成有限脉冲响应(FIR)网络,网络传输矩阵H(z)与电压V具有一一对应关系。利用z变换原理,运用待定系数法求解H(z),从而推导所需电压值V,实现了电光调谐逆向可导。加入不同电压,可以实现自由光谱范围(FSR)内不同通带宽度的可调谐滤波特性。通过仿真验证,该算法是可行的。当N为17时,边模抑制比(SMSR)可达到25dB。并且滤波曲线的矩形度随着叉指电极组级联级数N的增大而增大。     

Modelling Laser-Based Table-Top THz Sources: Optical Rectification,Propagation and Electro-Optic Sampling

A model describing the generation of THz pulses by optical rectification and the detection of THz pulses by electro-optic sampling is presented. The model is comprehensive and mostly analytical: physical phenomena such as dispersion, group velocity mismatch, multiple reflections and diffraction are represented by one dimensional transfer functions. The model is compared with experimental results and shows good agreement with experiments. It is shown that including diffraction is crucial for retrieving the details of the THz spectrum.     

亚微米外部电光检测技术

将固浸透镜技术与电光检测技术相结合,建立了具有亚微米空间分辨率的外部电光检测系统,通过使用GaAs半球作外部电光探头,用数值孔径为0.3的显微物镜对波长为1.3μm的探测光束进行聚焦,得到了半峰全宽直径为0.7μm的聚焦光斑,成功测量了微带线上10kHz的正弦波信号,验证了系统的线性响应特性,并得到了6mV/√Hz的电压灵敏度。     

Analysis of Phase Measurement Errors in Electro-Optic Holography

This paper presents the results of an error analysis in electro-optics holography. These errors include phase measurement errors due to the linear phase shifter errors in static electro-optic holography, and phase measurement errors due to the errors in the vibrating bias amplitude and phase in dynamic electro-optic holography. Through the error analysis, we found that the phase shifting errors in static electro-optic holography are twice as large as those in the conventional 4-bucket phase shifting algorithm, and the phase shifting errors in dynamic electro-optic holography are similar to those in the 4-bucket phase shifting algorithm.     

高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果.其中8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达28kV,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明,开关输出电磁脉冲无晃动,电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达560A,电磁脉冲重复率108Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lockon状态下的实验结果,测试了GaAs开关工作于lockon状态下的光能、电场阈值关键词：光电导开关 lockon效应 高功率超快电脉冲     

Mutual Action of Optical Activity and Electro-Optic Effect and Its Influence on the Electro-Optic Q-switch

In this paper, we have studied the mutual action of the optical activity and the electro-optic effect, and its influence on the electro-optic Q-switch. The birefringence (g₃₃/n₀)(/n₀)² resulting from the mutual action is calculated. In the polarization light interferometric experiment setup, the outgoing light intensity expression is given by I = A²₀ cos² (/)(g₃₃/n₀)l – ] + (/)[(–2) + (g₃₃/n₀)(/n₀)²]l, for the optically active crystal on which the voltage is applied.We discuss the influence on the turn-off and turn-on states of the Q-switch caused by the mutual action term (g₃₃/n₀) /n₀)², and the advantage and disadvantage of the two work-manners of the Q-switch (i.e., step-up manner and step-down manner). The synthetic properties of La₃Ga₅SiQ₁₄ electro-optic Q-switch are described in comparison to KD₂PO₄ and LiNbO₃ Q-switches.     

Direct Fabrication Methods of Surface Relief Electro-Optic Gratings in Azo-Polymer Films

Two fabrication methods of surface relief electro-optic (EO) gratings in azo-polymer films are described: surface deformation by a continuous wave laser and laser ablation by a pulse laser. In the fabrication process, the periodic intensity modulation of laser beams is formed by an interference fringe or a phase mask. The surface relief EO grating is fabricated by poling the surface relief grating (SRG) after the SRG fabrication process. The linear dependence of an applied voltage in the modulation efficiency of the first-order diffraction beam is observed. The proposed methods are effective for highly-efficient surface relief EO grating fabrication.     

电光调制在被动综合孔径成像探测中的应用

介绍了一种新型被动综合孔径成像探测方法:视场辐射信号被接收和放大后,通过电光幅度调制将其幅度和相位信息加载到光波上,经光纤传输在末端形成阵列,通过光学系统直接成像,将视场实时恢复出来.该方法可实现工作在微波、毫米波和太赫兹波段的高分辨力实时成像探测的目的.深入分析了电光调制器在综合孔径成像探测中的应用,建立电光调制模型,讨论了在小信号调制下的电光幅度调制近似理论.通过数值计算与仿真分析,得到综合孔径成像探测中电光调制器的调制信号强度限制的有关结论.结果表明,利用上变频电光调制技术和光信息处理,所得到的成像仿真图的半峰全宽和信噪比性能都优于传统的基于下变频技术的成像仿真结果.     

温度对铌酸锂电光相位调制特性的影响

利用折射率椭球基本理论对线性电光效应进行了分析,对单轴晶体铌酸锂电光相位调制器的温度特性进行了研究。通过计算机进行数值模拟计算,分析了加电场时光通过LiNbO3电光调制器后出射光的相位变化与温度间的关系,得出在横向和纵向调制中温度对相位改变的影响。研究发现,无论在横向还是在纵向调制下,入射光偏振方向不同但其各自受温度影响的相位变化趋势大体一致,即随着晶体中温度的增加而增大。计算结果表明,LiNbO3电光调制的最佳使用方案为：电场沿x主轴方向施加,入射光偏振方向为感应主轴x’方向,且LiNbO3电光调制器粟用横向相位调制方式。