一种新型的四阶低抖动带双控制环路CMOS锁相环

设计了一种四阶低抖动带双控制环路压控振荡器的锁相环（PLL）。该锁相环在恒定的反馈参数下,压控振荡器压频增益几近恒定。锁相环的所有部件都设计在同一芯片上,电路设计基于0．35μmCMOS工艺。HSPICE仿真结果显示,所设计的锁相环路具有很好的抗噪声性能,工作在800MHz频率范围内,整个相位抖动小于4ps rms。     

一种用于高速锁相环的新型CMOS电荷泵电路

提出了一种适用于高速锁相环电路的新型CMOS电荷泵电路。该电路利用正反馈电路提高电荷泵的转换速度，利用高摆幅镜像电流电路提高输出电压的摆动幅度，消除了电压跳变现象。电路设计和H-SPICE仿真基于BL 1．2μm工艺BSIM3、LEVEL=47的CMOS库，电源电压为2V，功耗为0．1mW。仿真结果表明，该电路可以很好地应用于高速锁相环电路。     

一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计

描述了基于P型CSL(Current Steer Logic)架构压控振荡器的低功耗射频锁相环设计.其鉴频鉴相器模块采用预充电模式,具有高速、无死区等特点;电荷泵模块在提高开关速度的基础上,改进了拓扑结构,使充放电电流的路径深度相同,更好地实现了匹配;为了达到宽调谐范围的目的,电荷泵模块采用1.8 V电源电压,而压控振荡器模块采用3.3 V,这样可充分利用电荷泵的输出电压范围实现宽调谐.电路设计基于0.18μm 1P6M CMOS工艺,芯片实测结果显示,锁相环工作在940 MHz～2.23 GHz的频率范围内,功耗低于15.2mW,芯片面积为750μm×400μm(不包括10).     

一种高速CMOS电荷泵锁相环设计

文章描述了一种高速CMOS电荷泵锁相环设计与仿真。电路设计基于TSMC 2．5V 0．25μm CMOS工艺。用Cadence Artist Analog对电路仿真的结果显示,用它可以实现快速锁定和较低的功耗。     

用于高速CMOS图像传感器的锁相环模块

随着CMOS图像传感器(CIS)向片上系统化、高度集成化方向发展,片内锁相环(PLL)成为系统不可或缺的片上时钟模块,而高速高集成的CIS对PLL的高频时钟输出能力提出了新的挑战。介绍了一种基于0.13μm CIS工艺设计的电荷泵PLL模块,该模块工作于1.5V电压,利于控制功耗;具备压控振荡器(VCO)电流自偏置和自校准技术,可提供最高频率为480MHz的输出信号和更好的噪声性能;多种输入输出倍频可选功能使其能够满足多样化的片上时钟生成需求,提高可复用性。仿真结果表明,当实现12倍频且输出频率为480MHz时,该PLL模块输出信号的均方根周期抖动为837fs,功耗为2.817mW,满足高速CIS对时钟速度的需求,同时保证了输出时钟的低噪声和模块本身的低功耗。     

一种宽频带CMOS高速锁相环

基于55 nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL)。PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换。VCO采用分段式结构,实现了8.7~12.5 GHz的宽频率范围。分段结构中,每个频段的频率增益Kvco较低,实现了良好的相位噪声性能。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该PLL的最高工作频率为12.5 GHz,锁定时间为小于2.5 μs,相位噪声为-106 dBc·Hz-1@1 MHz。     

高速CMOS锁相环

高速ＣＭＯＳ锁相环曾庆贵锁相环（ＰＬＩ－）的工作原理早在３０．年代就提出来了，但是只有在各种锁相环集成电路相继上市之后，它在电子技术各个领域才得到日益广泛的应用。现在锁相环已成为电子设备中常用的一种基本部件。在高速ＣＭＯＳ７４系列中也开发了几种ＰＬＬ...     

一种高精度低功耗CMOS RC振荡器

一般情况下,RC振荡器利用电阻电容充放电时延产生振荡,所产生的频率受电源电压、环境温度,以及组成振荡器的各种元器件的电学特性的影响较大.文章提出一种可大大降低上述各种因素影响的高精度CMOS RC振荡器.仿真计算及实际流片测试结果均表明,该CMOS RC振荡器具有较高的频率稳定性.     

CMOS锁相环PLL的设计研究

在阅读大量锁相近十年发表的英文文献的基础上,对锁相环的设计及特性做了深入的分析,并对锁相环的主要部件相频检测器和压控振荡器的结构和特性做了比较和总结。     

一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路

设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz~2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。     

一种新的锁相环自调谐方案

提出了一种用数字和模拟电路的方法实现宽调谐范围,减小VCO增益的方案。该方案将宽调谐范围分成一系列相互重叠的子带,用数字调谐电路来设置安排正确的子带频率,结合模拟调谐,锁相环(PLL)能锁定到正确的频率值。深入讨论了方案的具体实现及相关问题,并实现了一个调谐范围为1.7~2.1 GHz,控制位为5位的自调谐锁相环。SpectreVerilog仿真表明,电路能够有效地工作,在20μs内完成自调谐,并自动切换到模拟调谐,且能工作在复位自调谐和信道切换自调谐两种工作模式,适合应用在全集成、宽调谐范围的VCO锁相环中。     

一种宽电源锁相环电路的设计与实现

在片内无电源调整电路的条件下，通过电路优化，设计并实现了一种在2．5～5．5V宽电源下稳定工作的锁相环(PLL)。测试结果较好地反映了设计的正确性，并提出了改进意见。     

一种用于高速同步数据采集设备的数字锁相环

介绍了一种适用于可编程逻辑器件、为高速同步数据采集设备提供可靠时钟解决方案的全数字锁相环电路。该电路采用路径延时环形数控振荡器，并具备时钟倍频和同步功能，最高工作频率可达100MHz，同步和频率锁定误差不超过1ns。采用标准硬件描述语言设计，可适用于各种可编程逻辑器件，具有简单灵活、可移植性强、易于控制的特点。     

低噪声CMOS环型压控振荡器的设计

应用增益补偿技术，设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器，该电路具有较低的压控增益，较好的线性，较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。     

一种应用于阵列TDC的低抖动锁相环设计

传统的PLL（Phase Locked Loop）电路受限于环路参数的选定,其相位噪声与抖动特性已经难以满足大阵列、高精度TDC（Time-to-Digital Converter）的应用需求.本文致力于PLL环路带宽的优化选取,采取TSMC 0.35μm CMOS工艺实现了一款应用于TDC的具有低抖动、低噪声特性的锁相环（Phase Locked Loop,PLL）电路,芯片面积约为0.745mm×0.368mm.实际测试结果表明,在外部信号源输入15.625MHz时钟信号的条件下,PLL输出频率可锁定在250.0007MHz,频率偏差为0.7kHz,输出时钟占空比为51.59%,相位噪声为114.66dBc/Hz@1MHz,均方根抖动为4.3ps,峰峰值抖动为32.2ps.锁相环的相位噪声显著降低,输出时钟的抖动特性明显优化,可满足高精度阵列TDC的应用需要.     

一种采用交错耦合VCO和高速前置分频器的频率合成器

文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器（VCO）和高速双系数前置分频器的锁相环（PLL）频率合成器设计方法。采用0．25μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCD比传统顺序连接的VCO速度快1．4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2GHz。该锁相环频率合成器在400MHz-1.1GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886ppm/℃,电源反射比为3．3％／V。     

一种530 MHz低功耗锁相倍频集成电路的研制

为适应星载测控系统小型化、集成化和低功耗的需要，根据国内集成电路工艺条件，设计并制作了一种特高频锁相倍频集成电路。其最高工作频率大于530MHz，功耗小于60mW。介绍了该集成电路的电路原理、工艺和版图的设计方法。     

一种基于CMOS工艺的电荷泵锁相环芯片的设计

实现一个电源电压为5 V时捕捉范围为41~110 MHz,为3 V时捕捉范围为25~58 MHz的电荷泵锁相环(CPPLL)。给出了系统设计组成各部分的门级或者晶体管级原理图与分析设计,重点在VCO部分的参数设计以及环路滤波器的参数设计。采用0.5μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre软件仿真证明,该系统具有良好的线性特性和捕捉时域特性。