半导体激光器在医学上的应用

半导体激光器于１９６２年问世以来，在很多领域有了迅速的发展。近年来，国际上各种波长的激光二极管的报道令人目不暇接，从而半导体激光器在医学上的应用也随着波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的光纤导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展起来。半导体激光器具有体积小、重量轻、成本低、波长可选择等优点，在眼科、矫形、皮肤、肿瘤、牙科、妇科、泌尿科和普外科等都有应用。尤其是半导体激光器作为激光针灸与原来的中医针灸理论中的腧穴、经络理论相结合，成为一种新兴的激光针灸仪。本文主要叙述了激光与生物组织的相互作用以及半导体激光在基础医学中的一些具体应用。     

激光在汽车工业中的发展现状与应用

介绍了近年来激光技术在汽车工业中的几项重要应用，详述了激光在诸如激光焊接、激光打标、激光热处理和激光切割等有关汽车工业技术中的应用状况，同时对汽车工业中所用激光类型进行了归类。最后综述了半导体激光器泵浦全固态激光器以及短脉冲和超短脉冲激光的应用前景。     

激光器在半导体工艺过程中的应用

随着集成电路图形的缩小,以激光器为基础的半导体工艺过程日益重要。由于对激光与材料相互作用和激光技术的进展有了进一步的了解,新的工艺方法有希望得到应用。本文评论了激光器在集成电路工艺中的传统应用,并注意到开发的工艺规程及其前景。激光器在半导体工艺中的应用不断增长。根据大量新的研究成果来推测,这种增长趋势在将来还要加快,在缩小器件尺     

全固态高压脉冲电源在半导体光刻光源中的应用

简要回顾了半导体光刻的发展历程以及准分子激光作为光源在半导体光刻中的需求。简述了高压脉冲电源的基本原理及应用,介绍了全固态高压脉冲电源的结构和特点。着重阐述了全固态高压脉冲电源在光刻用准分子激光器和EUV光源中的应用。大功率半导体开关结合多级磁脉冲压缩开关的全固态脉冲电源有效替代传统基于闸流管的高压脉冲电源,实现了光刻光源高重复频率下的长寿命运行。介绍了中国科学院安徽光学精密机械研究所近十年来,在准分子激光器的全固态高压脉冲电源研究上的相关进展。最后,对未来半导体光刻光源对全固态脉冲电源的需求进行了展望。     

大功率半导体激光合束进展

经过近30年的发展,半导体激光器已由信息器件逐步发展成为能量器件,特别是大功率高光束质量半导体激光器,已从泵浦光源过渡成为直接作用光源,并部分应用在加工及国防领域。本文介绍了大功率半导体激光单元发展现状,分析讨论了各种激光合束技术及相应的合束光源,介绍了长春光机所在激光合束方面所做的部分工作,提出了我国半导体激光产业建设及发展的几点建议,并对半导体激光技术的发展新动向进行了展望。随着单元亮度的提升和合束技术的成熟,大功率半导体激光源作为间接光源和直接作用光源将在国防和工业领域大放异彩。     

半导体激光器系统输出混沌激光研究进展

混沌激光由于其类噪声的随机性和优良的抗干扰性,广泛应用于混沌保密通讯、激光雷达、光学检测等方面,而且半导体激光器自身体积小且结构稳定,成为产生混沌激光的主要激光器之一。但是,常规光反馈结构的半导体激光器系统输出的混沌激光信号带宽较窄且存在延时特征,这严重影响了混沌激光的应用。针对半导体激光器系统的上述问题,本文综合介绍了降低延时特征和优化混沌激光带宽的研究进展,对混沌保密通讯十分重要的混沌激光的同步性研究进展和半导体激光器系统输出的混沌激光在应用方面的研究进行了总结,并最终对半导体激光器系统输出的混沌激光的未来发展与应用前景进行展望。     

2 kW半导体激光加工光源

针对激光加工在金属材料焊接、熔覆、表面硬化等工业领域的应用,考虑到半导体激光器体积和重量小、效率高、免维护、成本低以及波长较短等特点,设计了功率达2 kW的半导体激光加工光源。在大通道工业水冷条件下,采用48只出射波长分别为808,880,938,976 nm的传导冷却半导体激光阵列作为发光单元,最终研制出了2 218 W高亮度光纤耦合模块。此高亮度模块可以实现柔性加工,直接应用于金属材料焊接、熔覆、表面合金化等工业领域,对于半导体激光器在工业领域的应用具有重要意义。     

一种五波长半导体激光生物组织辐照仪

采用GaAlAs单量子阱半导体激光器和LD泵浦的Nd:YVO4－KTP倍频激光器等研制了国内首台可从光导纤维输出5种波长的半导体激光生物组织辐照仪,该仪器已在激光生物医学领域投入应用．     

短波红外激光在光电侦察与反侦察中的应用

分析了磷化体半导体激光器、掺铒光纤激光器、掺铒固体激光器和基于光学参量振荡器的固体激光器等4种典型短波红外激光器的技术特点与现状,叙述了它们在光电主动侦察和反侦察中的应用。为了满足军用光电系统对激光设备的小型轻量化要求,如何提高半导体激光器、光纤激光器和掺铒固体激光器输出功率/能量,已经成为短波红外激光器发展的主流方向。指出基于光学参量振荡器的固体激光器在远距离选通观察、闪光成像雷达和激光损伤方面的优势依然非常明显,还应进一步提高激光输出能量和激光重复频率。     

光学在大型几何尺寸测量中的应用

介绍了几种光学原理在大型几何尺寸测量中的应用．讨论的内容包括：多波长、双波长合成波长绝对距离干涉测量；激光频率分裂干涉测量；线性调频绝对距离干涉测量；相位板激光准直；旋光激光准直；半导体激光动态定位等．文章介绍了测量系统的工作原理，并讨论了测量精度和应用前景     

用半导体激光器改进测量金属扬氏模量实验

本文介绍了一种用半导体激光器改进测金属扬氏模量实验的方法，提高了测量精度，简化了操作过程，节省了实验装置。     

基于外腔反馈二极管线阵列的smile效应测量方法

采用外建激光谐振腔,在低于原芯片阈值的电流激励下对LDA的每个发光点进行单独测量,从而分析整个半导体激光阵列(LDA)的smile效应。实验中利用镀膜反射率大于半导体前腔面的外腔镜形成外腔半导体激光器。在外腔中插入曲面平行于p-n结的柱面镜,使只在光轴上的发光点与外腔镜形成外腔激光器,降低该发光点的激光阈值,从而使其在正常的阈值以下的电流激励下输出激光,在平行于p-n结的方向移动柱面镜,可以逐个对半导体激光器中的发光点进行选择测量,从而获得LDA smile效应的测量值。测量中的低电流激励产生的热量对芯片寿命没有影响,对LDA的发光点的单个测量也避免了其他发光点对CCD的影响。     

The junction voltage saturation and reliability of semiconductor lasers

This paper reports theoretical and experimental work on the dependence of semi-conductor laser operation on junction voltage saturation. The relation between junction voltage saturation and the reliability of semiconductor lasers is discussed.     

不同波长激光辐照对痢疾杆菌生物学效应的影响

分别采用功率密度为1.7W/cm²、照射剂量为2000J/cm²的Ar⁺激光与LD激光辐照高耐药性的志贺氏福氏痢疾杆菌,波长较短的Ar⁺激光(488nm)所引起细菌的致死率与药敏实变率明显高于波长较长的LD激光(808nm),即波长较短的Ar⁺激光的辐照导致细菌耐药性显著降低.     

激光防护技术的发展现状

为了对抗日趋严重的激光致盲威胁 ,世界各国加速发展激光防护技术 ,并已取得了相当大的进展。本文综述激光防护技术的发展现状     

复合阶段激光吸收区等离子体的欧拉空间特性

对利用电子传热区与激光吸收区复合机制产生Ｘ光激光的情况进行了比较．研究了激光吸收区等离子体在欧拉空间中的特性，并估计了最佳激光沉积能量，激光吸收区质量．     

小功率He——Ne激光管模式的研究

本文通过对三只激光管模式的测定,阐述共焦球面扫描干涉仪的基本原理,对获得的实验数据进行计算研究,分析得出三个激光管中三号激光器综合质量最好。     

超短光脉冲发生器的研制

本文叙述了用半导体激光器产生光脉冲的基本原理,介绍了用电脉冲驱动AlGaAs/GaAs双异质结激光器产生ps光脉冲的线路原理及实验结果。     

光强、频率对强激光场中的多原子分子离子增强电离行为的影响

通过利用短时指数传播子的对称分割和快速傅里叶变换,数值求解一维含时薛定谔方程,研究了一维多原子分子离子在超强脉冲强激光场中的增强电离(EI)行为,给出了激光强度和频率对增强电离的影响.计算表明随着激光频率的增加,增强电离的临界键长变小,电离概率 也减小;随着激光强度的增加,电离概率增加,当强度增加到一定值时,就不再出现增强电离现象. 关键词： 强激光场 分子离子 增强电离     

关于热电子发射理论的评述(Ⅰ)——对氧化物阴极的半导体模型的批判

二十多年来,我们从实践中发现,氧化物阴极的理论与实际之间存在着很多矛盾。本文从逸出功测量、吸收光谱、超额钡浓度、晶格结构、表面能级、涂层导电率、涂层电位分布、薄膜和厚涂层发射的比较、中间层电阻、发射的不均性、闪变噪声、脉冲电流不稳定性、电火花等方面的实验和论证,说明氧化物阴极并不是以超额钡为施主的电子型半导体。提出了表面发射中心的观点,并用它解释了氧化物阴极中的许多现象。