溶胶—凝胶法制备CdS微晶掺杂TiO2／SiO2薄膜及其非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了两种硫化剂：硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。Ｘ射线衍射谱和拉曼光谱揭示了ＣｄＳ微晶镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率ｎ２＝－４．６７×１０－７ｅｓｕ。     

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

在低温Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下７００℃退火获得高质量的ＳＢＴ薄膜，其择优取向为（００８）和（１１５）．薄膜厚度约为２００ｎｍ．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为１０μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ，在１０１０次开关极化后没有显示任何疲劳，在５Ｖ直流电压下的漏电流密度约为４×１０－８Ａ／ｃｍ２，直流击穿电场约为２５０ｋＶ／ｃｍ．     

用改进的sol—gel法制备锆钛酸铅薄膜及其物相转化的研究

利用改进的ｓｏｌ－ｇｅｌ法,在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了ＰｂＺｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏ３（ＰＶＴ５０／５０）薄膜,采用了一种新的方法,从同一前驱体溶液行到了厚度各异的单一退火层,研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化,发现随着单一退火层度的降低,薄膜（１１１）取向的程度增大,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高,当单一退火层厚度降低到约为４０ｎｍ时,可行到高度（１１１）择     

双离子束溅射沉积薄膜的光学特性与激光损伤研究

对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作用了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响。制备了折射率接近于块材料的ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜，显著降低了ＴｉＯ２，ＺｒＯ２和ＳｉＯ２薄膜的光吸收损耗，ＴｉＯ２和ＺｒＯ２薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离束溅射沉积１．０６μｍ多层高反，是到了大于９９．５％的高反射率，经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

紫外脉冲激光烧蚀沉积Ta2O5薄膜过程的研究

对３５５ｎｍ激光烧蚀沉积Ｔａ２Ｏ５薄膜的过程进行了研究。由时间分辨四极质谱测得烧蚀Ｔａ２Ｏ５产生的正离子有Ｔａ＾＋，Ｏ＾＋，ＴａＯ＾＋和ＴａＯ２＾＋，中性粒子在Ｏ、Ｔａ、ＴａＯ和ＴａＯ２，并测定了它们的飞行时间谱，在不同压强的Ｏ２气氛下，由测得的时间分辨发光光谱表明，烧蚀产物在向基片飞行过程中发生了氧化反应。对沉积薄膜的组成分析表明，钽及其氧化物在基片上存在进一步氧化过程。     

光催化剂SO2- 4/TiO2和TiO2 的光谱行为比较

用ＩＲ、Ｒａｍａｎ和ＤＲＳ光谱研究了ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂和ＴｉＯ２光催化剂的光谱行为差别。结果表明,ＴｉＯ２光催化剂的表面只有Ｌ酸中心,而ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂表面既有Ｌ酸中心也有Ｂ酸中心。ＴｉＯ２的硫酸化有效地抑制了晶相转变和晶粒度的增加。与ＴｉＯ２相比,ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２光催化剂的锐钛矿相含量较多、晶粒较小、光谱吸收边蓝移,从而增大了光吸收阈值,增强了光生空穴和电子的氧化     

Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/YBa2Cu3O7-x双层结构的制备及其特性的研究

我们通过脉冲激光淀积的方法在Ｙ－ＺｒＯ２衬底上原位生长了Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成分,Ｘ衍射谱证实了两层薄膜为单取向生长,对Ｐｂ（Ｚｒ０．６Ｔｉ０．４）Ｏ３薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线,并对介电常数和损耗角正切值随频率变化进行了测量。     

锂离子注入对V2O5薄膜光吸收的影响

采用真空蒸发经热处理制备了Ｖ２Ｏ５薄膜,使用二电极恒流法从１Ｍ／ＬＬｉＣｌＯ４的ＰＣ电解质溶液向Ｖ２Ｏ５薄膜注入锂离子,形成ＬｉｘＶ２Ｏ５（０≤ｘ≤０．５４）,测量了Ｖ２Ｏ５薄膜近垂直反射和透射光谱,计算了光吸收系数。Ｘ射线衍射分析表明薄膜为微晶结构。吸收系数与光子能量关系曲线中存在两个不同的变化区域,光子能量较高部分,（αｈν）１２与ｈν有线性关系;较低部分,吸收光谱存在一个尾巴。这两个区域的分界能量取决于电子和锂离子的注入量。研究结果表明Ｖ２Ｏ５薄膜阳极电致变色起源于吸收边缘的移动,而阴极电致变色则来源于小极化子的吸收     

富勒烯在SiO2在SiO2—TiO2凝胶中的掺入及光谱特性研究

本工作以ＳｉＯ２－ＴｉＯ２凝胶体系为基质，选择合适的溶剂，采用特定的溶胶－凝胶工艺，成功地将纯的Ｃ６０和Ｃ６０／Ｃ７０混合物分别均匀掺入上述基质中，研究了吸收与荧光光谱特性，室温下观测到峰位置位于６６０ｎｍ附近的较强荧光带，对上光谱性质作了初步的解释。     

富勒烯在SiO_2与SiO_2－TiO_2凝胶中的掺入及光谱特性研究

本工作以ＳｉＯ_２和ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２凝胶体系为基质，选择合适的溶剂，采用特定的溶胶一凝胶工艺，成功地将纯的Ｃ_（６０）和Ｃ_（６０）／Ｃ_（７０）混合物分别均匀掺入上述基质中．研究了吸收与荧光光谱特性．室温下观测到峰置位于６６０ｎｍ附近的较强荧光带．对上述光谱性质作了初步的解释．     

ICP—AES测定核纯海绵锆中17个杂质元素方法的研究

应用ＩＣＰ－ＡＥＳ法，对核纯海绵锆中１７个杂质元素的测定进行了试验研究。取样量１００ｍｇ时，Ａｌ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ和Ｚｎ的测定范围是１０μｇ／ｇ－３２００μｇ／ｇ。回收率为９５．２％－１０６．５％。     

SnO2超微粒薄膜的界面电子转移研究

用ＰＥＣＶＤ方法制备了ＳｎＯ２超微粒薄膜,此薄膜表面吸附很多氧,而且人对醇敏感,测量不同醇（甲醇、乙醇、正丙醇、乙二醇）的敏感性质和对薄膜者红外光谱测量,发现薄膜表面化学吸附Ｏ２＾２－、Ｏ２＾－、Ｏ＾－成为敏感活性中心是电子转移的桥梁。建立了电子转移的模型：表面Ｏ２＾－主要夺取醇中的质子,Ｏ＾－主要与醇中β－Ｃ上的Ｈ（与α－ＣＯＨ反式共平面）作用。醇的最终产物是醛类。解释了ＳｎＯ２超微粒薄膜作为传     

SnO2：TiO2混合物薄膜在丙酮蒸气中的气敏光谱

本文研究了ＳｎＯ２：ＴｉＯ２混合物薄膜在丙酮蒸气中的气敏光谱，并给予理论解释。利用在低浓度时，透射峰随气体浓度增加而蓝移，可制成对低浓度丙酮气体敏感的光纤传感器。     

ICP－AES测定核纯海绵锆中17个杂质元素方法的研究

应用ＩＣＰ－ＡＥＳ法，对核纯海绵锆中１７个杂质元素的测定进行了试验研究。取样量１００ｍｇ时，Ａｌ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ和Ｚｎ的测定范围是１０μｇ／ｇ—３２００μｇ／ｇ。回收率为９５．２％—１０６．５％。     

电场对Au—Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和变角Ｘ射线光电子谱（ＶＡＸＰＳ）技术研究了Ａｕ－Ａｇ／ＳｉＯ２体系在直流电场作用下，Ａｕ，Ａｇ电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化，观察到较低温度下Ａｕ，Ａｇ聚集状态的显著变化，发现电迁移过程中Ａｕ－Ａｇ薄膜与ＳｉＯ２基底之间存在界面化学反应，膜层中Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ等元素的化学状态发生了相应的变化，这些结构表明ＳｉＯ２表面上Ａｕ－Ａｇ复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩     

VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究

报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究，结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２℃条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ＾２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变，响应时间，５０ｎｓ，恢复时间≈２００μｓ。     

偶氮基染料掺杂薄膜的双光子图象存储

研究了偶氮基染料掺杂薄膜ＭＯ－ＰＶＡ和ＥＯ－ＰＶＡ的双光子存储特性。在对薄膜用Ａｒ＾＋激光作预激发下实现了Ｈｅ－Ｎｅ激光的红光存储。获得了实时和短时存储照片。光电记录存储曲线，分析了双光四能级系统的存储机制。实现确定了最佳预激发功率约为０．２８Ｗ／ｃｍ＾２，最小Ｈｅ－Ｎｅ光可存储功率密度低于０．２Ｗ／ｃｍ＾２。     

SO2-4/TiO2固体酸的红外和拉曼光谱研究

用ＩＲ、Ｒａｍａｎ光谱研究了ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２固体酸在不同烧温度下的结构、晶相转变和表面酸中心。结果表明,ＳＯ＾２－４与ＴｉＯ２表面的结合为螯合式双配结构。当烧结温度小于５００℃时,ＳＯ＾２－４／ＴｉＯ２样品具有较高的结构稳定性,晶相结构以锐钛矿为主,表面Ｂ酸位数目约是Ｌ酸位数目的２倍,当烧结温度大于５００℃时,随着烧结晶度的升高,表面结合的ＳＯ＾２－４逐渐流失,晶相从锐钛矿转变为金红石,表面Ｂ酸位减少并消失。     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。