强耦合超导体临界温度的上限

一、关于提高超导临界温度T_c的问题,最近引起了广泛的兴趣,不少作者从理论上探讨决定T_c的重要材料参数以及T_c的上限问题.吴杭生等将超导体分为两类:A类及B类.两类超导体以文献[4]中给出的T_c级数公式收敛半径Λ为界:当λ<Λ时为A类,T_c主要由电-声子耦合常数λ决定;而当λ>Λ以时,为B类,T_c主要由λ     

关于强耦合超导体临界温度公式的讨论

关键词：     

探索高临界温度超导体

一、临界温度需要而且也是可能提高的超导体问世已经六十年了．对其机制的认识和使之变成有应用价值的新材料还只是近二十年的事．超导体虽然受到要求在极低温度下工作的限制,但由于它具有独特的性质,使它在某些方面的应用显示出无可匹敌的优越性,而受到人们重视．在电力工程上,若建立强场的磁体或者与强磁体大电流有关的设备（如电机）,使用普通的良导体,不仅消耗巨大的能量,更重要的是由于发热而带来的冷却散热问题,?...     

磁性超导体的临界温度理论

本文将文献[1]中的理论推广到磁性超导体的情形,研究了自旋涨落对超导临界温度的抑制作用,给出了磁性超导体的临界温度的级数展开公式为其中系数b_0、b_4、b~2…仅仅是库仑赝势μ和电子-自旋涨落耦合常数λ_s的函数.〈ω~(2n)〉、(ω~(2n))分别为有效声子谱α~2F(ω)和有效自旋涨落谱略α_m~2F(ω)的偶次矩.本文同时还给出了上述公式与数值解的比较的数字结果,并求出电声子耦合强度的临界值为μ与λ_s之和.     

高临界温度超导体的探索

本文将在［１］,［２］的基础上进一步介绍探索高温超导体的有关问题．第一节介绍电子－声子机构的有关问题．第二节介绍界面超导性、非晶态材料超导性和颗粒超导性等一些目前感兴趣的问题．第三节介绍激予超导性．弟四节介绍其它新机构．一、电子－声子机构超导性关于超导电性的理论是基于如下认识：金属中处于费密面附近具有相反动量和自旋的两个电子,由于和晶格之间相互作用而互相吸引,形成电子对,结果在临界温度Ｔｃ之?...     

高临界温度超导体研究进展介绍

1987年2月20日,中国科学院物理研究所赵忠贤、陈立泉等获得新的Ba基氧化物超导体,经过多次反复实验,表明该超导体的起始转变温度高达100K以上,从而在高临界温度超导体研究方面又一次获得重大突破. 新的超导体的主要成分包括钡、钇、铜、氧四种元素[Ba_xY_(5-x)　Cu_5　O_5(3-y)]。样品的制备采用了新的工艺和新技术[1].超导转变温度的测量采用标准四引线电阻法和低频交流互感法.图1是采用这两种方法得到的超导转变曲线.由图1可以看出,样品的电阻起始转变温度在100K以上(电阻由线性变化过渡到非线性变化时的温度在 110K附近),中点转变温…     

η－配对超导体的临界温度

本文研究具有非零中心动量的η－配对超导系统．用吸引的Ｈｕｂｂａｒｄ模型描述传导电子（或空穴），并认为其能量被限制在化学势范围内．利用平均场方法求出了零温度能隙△（０）和临界温度Ｔｃ同掺杂浓度δ的关系以及２△（０）／ｋＢＴｃ的值．我们的结果在相当宽的掺杂浓度范围内同有关的高Ｔｃ实验相符合．     

强耦合超导能隙与临界温度的比值

本文采用McMillan的实能隙函数模型求解Eliashberg能隙积分方程在T-Tc《Tc和T《Tc时的解,得到了决定强耦合超导能隙△_0(T)与临界温度Tc比值的表示式式中,0K能隙△_0(0)与Tc比值,对BCS理论的修正参数A、(?)的表示式由下式给出而系数K_1,K_2只依赖于有效声子谱α~2(ω_q)F(ω_q)的形式.     

影响超导体临界温度的某些结构因素

本文提出了一个有关A-15化合物新的T_c经验公式:由此可见,一些结构因素对高临界温度超导体T_c的影响。     

Nb-Cu多层膜超导体临界温度的计算

对于Nb-Cu多层膜超导体临界温度T_cns的无调节参数数值计算表明,在充分考虑多层膜体系的周期性特点之后,在层厚d>30?的范围内邻近效应的理论和实验符合较好。计算结果和实验的比较还表明:T_cns-d关系中存在阻尼振荡行为;界面电子结构可能只在d<30?的范围内对T_cns有明显的影响,并且强异质界面对Nb的(NV)有加强作用。 关键词：     

有机超导体的临界温度已达117K

高温超导体的转变温度Ｔｃ 正沿着三条路线被提高 .其一是铜氧化合物超导体 ,从 1986年发现镧系的ＬＳＣＯ和钇系的ＹＢＣＯ ,至 1993年Ｔｌ 2 2 0 1超导体的Ｔｃ 已达到 133Ｋ ,而在加压的条件下 ,Ｈｇ系的Ｔｃ 可达 16 4Ｋ .其二是轻主族元素化合物 ,以 2 0 0 1年发现的Ｔｃ～ 4 0Ｋ的ＭｇＢ2 为代表 .其三是有机超导体 ,1979年发现的第一个电荷转移盐有机超导体 ,其Ｔｃ 在 1Ｋ以下 ,后来这类材料的Ｔｃ 提高到约10Ｋ[1,2 ] .1991年在碱金属Ａ掺杂的Ａ3 Ｃ60 大块超导体中 ,观察到的Ｔｃ 为 18Ｋ .近年来 ,美国贝尔实验室等一些研究机构 …     

有效声子谱对超导体临界温度的影响

本文由超导体强耦合能隙方程出发,对64种有效声子谱求得了近3500个临界温度的数值解。它们说明,在谱面积A不变时,T_c具有条件极值(T_c/A)_max。T_c主要取决于α²F(ω)上峰的位置及其面积,与峰的宽度关系不大。控制<ω>及<ω²>两个参量时,用双δ谱来代替L谱所产生的误差为3.2％。本文分析并澄清了文献中关于“λ=2极限”的争论。 关键词：     

国际高临界温度超导体会议在北京召开

国际高临界温度超导体会议于1989年9月 5日至8日在北京大学召开.来自苏联、南朝鲜、日本、美国等10个国家的48名专家与国内的341名科技工作者共聚一堂,就高临界温度超导体研究的有关问题进行了广泛的交流和讨论.中国科学院院长周光召致开幕词,国家科学技术委员会副主任朱丽兰、北京大学校长吴树青出席了会议. 超导现象是在1911年发现的某些材料在低温下电阻完全消失的特殊现象.它不仅表现了物质的一种新的特征伏态,对人类认识物质世界的基本规律有着重大意义,而且在许多领域内有实际应用.但是,从1911年到1986年,已知的上千种超导材料都要在2…     

λ小的超导体临界温度理论(Ⅰ)

本文在Einstein谱情形,从Eliashberg方程导出了一个超导临界温度公式。在μ^*=0时,把它和Eliashberg方程的数值解进行了比较。在λ<Λ区域,它们符合得相当好。 关键词：     

λ小的超导体临界温度理论(Ⅲ)

在本文中,作者将前文得到的T_c公式与Eliashberg方程数值解和实验值进行了比较,在小λ区域,它们符合得很好。 关键词：     

λ小的超导体临界温度理论(Ⅱ)

本文在有效声子谱不加限制的情况下,利用文献的方法,从Eliashberg方程导出了适用于小λ区域的T_c公式。 关键词：     

离子注入超导体PdCu中的氢分布和超导临界温度

制造超导体钯铜合金的新方法是把铜注入钯,然后在室温下电解,将Pd-Cu合金再在液氮温度下注入氢,这样所得到的超导结构H/Pd₅₅Cu₄₅≈0.7可以达到最高的超导临界温度为17K。由于氢的浓度对该系统超导性的存在是关键,因此,我们仍用¹⁵N的共振核反应法研究这类合金中氢分布及其对超导临界温度的影响和作用。从而对探索这类超导体新方法提供有意义的信息。 关键词：     

高临界温度超导体在低温下的正常态性质

高临界温度超导体在低温下的正常态性质在超导转变温度以上，超导体处于正常态，这时电荷载流子运动伴随损耗，像通常正常金属那样存在一定的电阻．铜氧化合物高临界温度超导体（以下简称高温超导体）的正常态是二维性质的，载流子在铜氧平面内移动容易，而在二个铜氧面之...