HL-2A装置偏滤器位形下氢和碳的粒子通量比

等离子体-壁相互作用通过各种机制释放粒子，主等离子体中杂质的数量限制了装置的性能。要深入认识杂质释放的机制，测量和分析粒子通量非常重要。文献[1]中详细描述了用光谱方法测量托卡马克等离子体中来自局部表面的向内的杂质通量，文献[2]报道了用这种方法测定ASDEX装置ICRF加热条件下向内的铬的通量。     

3c-SiC中深杂质能级的A_1,T_2对称波函数

本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A_1,T_2对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。     

超高纯Nb_2O_5-BaO-B_2O_3玻璃的吸收曲线

一、前言为了搞清高折射率玻璃中常见的黄色产生的原因,作者制备了尽量排除了杂质的铅玻璃,并测定了其紫外透过极限,这在文献[1]中已作过介绍。     

追逐梦想——菲律宾之行有感

人的一生其实很简单——创造梦想和实现梦想。没有意识到这点的人只是在忙忙碌碌中彷徨、迷失；而理解了这点的人却在奋斗拼搏中自我升华。——题记[编者按]     

3c-SiC中深杂质能级的A1,T2对称波函数

本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A₁,T₂对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。 关键词：     

Kubo线性输运系数公式

在这篇短文中,作者对霍裕平等和陈式刚在文[1]—[4]中,提出的和争论的问题,陈述一些不同的看法。 关键词：     

Effect of excess Y_2O_3 addition on the physical properties of melt processed YBCO bulks

SincethediscoveryofhighTctemperaturesuperconductors,greatprogresshasbeenmadeinbothfundamentalresearchandpracticalapplications.Well-texturedYBCO[1—4]isoneofthemostimportantandpracticalhightemperaturesuperconductorsduetoitshighTcandhighJcinmagneticfield,especiallythehighlevitationforce,whichmakesitsapplicationspossible,suchasinmagneticbearing[5,6],flywheel[7—12],nocontactmagneticlevitationtransportsystem[13,14]andmotors[15,16].Itiswellknownthattheadditionof211to123makesonlyaslightdifferencei…     

单轴[110]应力硅电子迁移率

基于k·p微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构,获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上,考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射,采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明：单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[110]输运晶向中,张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强,由未受应力时的1 450 cm²·Vs^-1提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm²·Vs^-1.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小,而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著.     

光学环境科学应用

X831 2004032400 一种用于大气中杂质气体识别的新方法=New method forgas component analysis in air[刊,中]/申金媛(南开大学现代光学研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室.天津(300071)),苏晓星…//光电子·激光.—2003,14     

流体饱和蒸气压实验中杂质影响的修正

实验样品杂质对于高精度流体热物性实验有显著影响。本文以新环保工质1-氯-3,3,3-三氟丙烯[HCFO-1233zd(E)]的饱和蒸气压实验为例,细致讨论了样品纯化方法;通过气相色谱-质谱联用确定了杂质种类,以理想溶液模型为基础发展了饱和蒸气压杂质影响修正的计算方法,讨论了主要杂质种类对修正量的影响。提出了一种在杂质种类不能完全确定的情况下,合理确定饱和蒸气压杂质影响的方法。修正后的实验数据与已有的高精度饱和蒸气压实验数据具有较高的一致性。     

[Cu~ⅡEDTA]~(2-)与[Fe~Ⅱ(CN)_6]~(4-)反应产物的分子光谱研究

按1:1(摩尔比)混合[Cu EDTA]~(2-)和[Fe(CN)_6]~(4-)溶液(pH=8)时,得到一种深红棕色溶液。测定并讨论了此红棕色溶液的电予光谱和红外光谱,据此确定此溶液中生成了不太稳定的氰桥配合物——[EDTA Cu~Ⅱ—NC—Fe~Ⅱ(CN)_5]~(6-)。     

ZnSe-Mn、Cu场致发光薄膜的结构和性质

ZnSe和Ⅱ—Ⅵ族的其他化合物一样,有两种晶型:立方闪锌矿晶型和六角纤维锌矿晶型。在通常的条件下,块状样品的稳定态是具有固定晶格常数α=5.6686±0.0006A[1]的ZuSe闪锌相。α→β—ZnSe的相变温度不太固定,它取决于实验条件,文献[2]中曾得到有二种晶态的晶体。类似的现象在薄膜中[3]也观察到过。     

激光工作物质

TN244 2004064075 BiB_3O6晶体的喇曼光谱=Raman spectra of bismuth triborate BiB_3O_6 crystal[刊,中]/滕冰(青岛大学物理系.山东,青岛(266071)),胡小波…∥光电子·激光.—2004,15(6).—734-738 对BiB_3O_6晶体(BIBO)的喇曼光谱进行了研究。BIBO的振动模分为外模和内模,外模总数是2A 5B,内模数是11A 10B。运用分子位置群分析的方法分析内模,BIBO的内模归属于[BO_3]三角形和[BO_4]四面体的振动模,[BO_3]和[BO_4]共享O原子。外部振动起源于Bi~(3 )、[BO_3]基团的平移模与[BO_3]基团的天平动。图2表2参9(于晓光)     

纳米晶粒团聚GaN纳米线A1(LO) Raman峰的非对称展宽

氮化镓(GaN)是一种直接带隙Ⅲ～Ⅴ族半导体化合物,具有较宽的禁带宽度(Eg=3.4eV),较高的热稳定性,以及抗辐照等特性[1-4],是制备近紫外和蓝光光电子器件、高速微电子器件的理想材料.制备低维纳米结构,研究其物理性质既是理解低维量子现象的要求,也是未来纳米电子器件发展的需要.近年来,很多小组已经通过不同的方法成功地制备出GaN纳米棒、纳米线等一系列一维材料.这些方法包括碳纳米管辅助的方法[5]、电弧放电的方法[6]、激光刻蚀的方法[7]、升华法[8]、高温分解法以及化学气相沉积(CVD)[9-15].其中CVD方法以其制备过程简单,制备材料晶…     

高温STM研究氧化物表面结构取得重要进展

在各种扫描探针显微术 (ＳＰＭ)中 ,扫描隧道显微术 (ＳＴＭ)的分辨率最高 ,利用ＳＴＭ已经在半导体和金属表面结构的研究中取得许多重要的结果 .但通常的ＳＴＭ不能用于不导电的氧化物表面结构的研究 ,从而使氧化物表面结构的研究远远落后于半导体和金属表面结构的研究[1] .近几年来英国牛津大学Ｃａｓｔｅｌｌ等[2— 4 ] 发展了高温ＳＴＭ ,使氧化物样品的温度可以达到 2 0 0— 5 0 0℃ ,此时氧化物有足够的导电性 ,从而可以得到原子级分辨率的ＳＴＭ像 ,取得了氧化物表面结构研究的重要进展 .用ＳＴＭ研究表面结构时 ,样品上的偏压可正可…     

ZnS型交流粉末场致发光材料的制备

场致发光材料的制备方法由于经济利益的原因,关键性的详细情节常常是不公开发表的,同时也由于对发光体的结构包括杂质缺陷的性质还缺乏确切的了解,因此在制备材料方面也就没有找到一个按照需要进行设计而主要不是依赖于经验的方法。虽然各种方法都不一样,但都遵循着前人某些基本研究的成果。这些成果主要可以归纳为Kröger[1-3]Riehl[4-5]关于ZnS发光化学方面的工作和ZnS场致发光激发机理是碰撞离化[6]。     

区熔硅单晶中一种位错源

用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。 关键词：     

用对切透镜作偏振光干涉实验

菲涅耳、阿喇果在1817年曾作一系列实验广泛研究偏振光干涉的条件,其结论归纳为菲涅耳——阿喇果定律,其要点为1.两个正交的相干偏振光不能发生干涉; 2.两个平行的相干偏振光以与自然光相同的方式发生干涉; 3.自然光的两个正交偏振态的分量,即使把它转到一个方向,也不能发生干涉. 文献[2]、[3]分别提供了偏振光干涉的实验方法.但文献[2]中提供的是在杨氏     

直流三极溅射法制备CuInS2 薄膜

采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS₂薄膜, 其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS₂气体. 本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS₂薄膜结构和成分的影响, 其中CuInS₂薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2 μm. 通过对CuInS₂薄膜的EPMA, X射线衍射测试分析表明, 最佳的CuInS₂薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150, 250和350 ℃)的条件下制备获得, 并且其结构被确认为黄铜矿结构. 通过实验结果计算出CuInS₂薄膜层有约为8.9%的C杂质含量.     

静电场作用下α一LiIO_3单晶中子衍射增强现象的理论解释

本文根据(1)在偏振锥光下,用显微镜观察到α-LiIO_3单晶中层状缺陷在静电场作用下的变化;(2)静电场对a-LiIO_3单晶的X射线形貌象的影响;(3)用X射线双晶衍射测得α-LiIO_3单晶晶格参数的不均匀性,指出α-LiIO_3单晶在静电场作用下中子衍射增强现象是由于晶体中的空间电荷(载流子、杂质离子和空位)在宏观尺度缺陷处富集,造成晶格参数有一定梯度。我们对通常计算中子布喇格散射截面的玻恩近似,引入消光修正,得到畸变晶格中子衍射强度公式,可以解释文献[4—6]中观察到的各种现象。