二氧化硅吸附铝离子的X射线光电子能谱(XPS)表征

用X射线光电子能谱技术研究了不同pH条件下二氧化硅对铝离子的吸附作用。在pH分别为3.74、4.25和4.88条件下,吸附在二氧化硅表面的铝离子的Al2p电子结合能依次为74.30、74.90、75.10eV。根据Al3 在水溶液中的一级水解常数pK1=4.99,认为在pH=3.74条件下,吸附在二氧化硅表面的铝离子的形态为Al3 ,而在其余两种pH条件下表面铝离子的形态为Al(OH)2 。     

有机锡化合物的光电子能谱研究

本文研究了五种有机锡化合物的光电子能谱图，讨论了影响锡原子内层ｄ轨道电子结合能化学位移的几种因素，比如，取代基的影响，基团电负性的影响。     

有机锡化合物的光电子能谱和质谱研究Ⅲ

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ）和质谱（ＭＳ）研究了１２种有机锡化合物。通过ＸＰＳ和ＭＳ讨论了化合物中取代基对锡内层电子的影响及对ＳｎＯ键的影响。结果表明ＸＰＳ和ＭＳ对有机锡化合物某些化学键性质的讨论具有互补性。     

The Bonding of Dibenzyldithiocarbamate Metal Complexes by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

Core orbital binding energies for N 1s and S 2p_3/2, in the metal chelates of dibenzyldithiocarbamic acid M(DBDTC)_n for n=2, M=Cu(II) and Zn(II), and for n=3, M=Bi(III), have been measured using x-ray photoelectron spectroscopy. The nature of the spectral peaks and the core binding energies indicates that the nitrogen atom in the DBDTC is not intramolecularly bound with the metal as had been previously suggested. The relatively high binding energies for the N 1s orbitals indicate planar geometry for the ligands, and the form to reasonably represent their structure, which agrees with previous infrared studies.     

X射线光电子能谱在炼油催化剂中的应用

X射线光电子能谱(XPS)能给出固体材料表面元素的定性、定量和化学态信息,是炼油催化剂最重要的表征手段之一。对XPS在加氢催化剂、超深度脱硫吸附剂、稀土改性Y型分子筛等典型炼油催化剂研究中的应用作了阐述和举例说明。对Mo(W)-Co(Ni)/Al₂O₃(SiO₂)型硫化态加氢剂,阐述了其无水无氧转移方法;总结了S(2p),Mo(3d),W(4f),Co(2p)和Ni(2p) XPS谱的识别、分峰拟合方法及各元素的典型化学态,从而获得活性金属的硫化度及催化剂硫化不完全原因。对S Zorb超深度脱硫吸附剂,介绍了利用XPS激发的ZnLMM俄歇峰获得Zn存在形式的方法,并研究了吸附剂的破碎机理和失活原因;通过XPS和氩离子刻蚀XPS研究了S元素在吸附剂表面及其随深度的分布情况;利用原位XPS研究了待生剂中含S和含Ni物种在临氢条件下的转化行为,为吸附剂再生条件的选择提供支持。对铈离子改性Y分子筛,通过分析XPS定量结果和Ce(3d)化学态研究了铈离子在改性Y分子筛中笼内外的存在情况,结果表明液相法比固相法利于铈离子向分子筛内迁移。     

X射线光电子能谱在配合物研究中的应用及其研究进展

通过研究内层电子结合能及其氧化态的变化,X射线光电子能谱(XPS)可以鉴别元素种类和价态、测定元素的相对含量、了解中心离子与配位原子的相互作用和验证量子化学理论。XPS已成为研究配合物中配位位点、电荷分配和配合物结构的有力工具。     

PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析

利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,苝环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;CO键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。     

液相外延碲镉汞薄膜表面氧化特性的光电子能谱研究

利用X射线光电子谱对液相外延HgCdTe薄膜表面氧化特性进行了 研究,对经不同工艺过程处理的HgCdTe表面进行了测量、分析,结果表明碲镉汞表面经溴 无水乙醇溶液腐蚀后,再用乳酸 乙二醇溶液对表面进行处理,可获得氧化物极少甚至无氧 化的HgCdTe表面.说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性.  关键词：     

电子能谱法研究改性的聚丙烯纤维性能与结构关系

本文讨论了聚丙烯纤维(PPF)在Ar、N_2、O_2和空气等离子体作用时,改变时间和功率对PPF表面进行等离子体处理,发现处理后纤维的吸湿性变化很大,回潮率是未处理样品的120-400%,染色性能从5级提高到1级标准。这一变化的光电子能谱法研究结果表明:PPF表面的结构发生较大变化。表面大量引入含O、N极性基团。经谱图拟合可知,这些基团是亲水性的极性结构,应归属于C-OH、C=O、COOH、C-NH_2和CONH_2基团。     

X射线光电子能谱与13C核磁共振在生物质碳表征中的应用

近年来,生物质碳(biochar)作为新型吸附剂被广泛研究。但由于制备biochar的生物质原料和热解温度的不同,使biochar的结构和组成存在差异,从而影响其对污染物的吸附。目前关于biochar的结构和组成的研究还不够全面。因此,结合了能谱与光谱分析的手段,对biochar的结构和组成进行了深入的分析。选取木质类(柳树枝条)和草类(水稻秸秆)作为原料,分别在不同热解温度(300,450和600℃)下制得biochars,并对biochars样品进行元素分析、X射线光电子能谱分析(XPS)和固态13 C核磁共振(13 C NMR)研究,以阐明不同热解温度和生物质来源的biochars的结构和组成。结果显示:biochar的H/C,O/C和(O+N)/C的比值随着热解温度的升高而降低;草类biochar比木质类biochar具有更高的灰分含量和表面极性;木质类biochar的矿物主要分布在样品颗粒内部,其表面被有机质覆盖,而草类biochar部分矿物暴露在样品颗粒表面;13 C NMR显示低温制得的biochar主要由芳香碳、脂肪碳、羧基和羰基碳组成,高温制得的biochar主要由芳香碳组成,且低温制得biochars中,木质类biochars比草类biochars含有更高的木质素的残留碳结构,这是由于木质类biochars原材料中含有更高的木质素。     

准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究

利用光学显微镜和扫描电子显微镜对248 nm准分子脉冲强激光辐照的HgCdTe晶片表面进行了观察,观察到一些与红外波段内激光辐照HgCdTe晶片时大不相同的实验现象.研究表明,红外波段内1 064nm激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机制主要为光热作用,而紫外波段248 nm准分子激光对HgCdTe材料的损伤机制既包含光化学作用也包含光热作用.分析了准分子激光对晶体的机械破坏现象,同时对HgCdTe材料在激光辐照区的条纹产生机理进行了探讨,发现激光驱动声波理论模型比光学模型和热导波模型能更好地解释HgCdTe晶体表面的条纹现象.     

Ni3V2O8催化性能与X射线光电子能谱分析

文章采用微波加热,草酸盐共沉淀法制备了Ni3V2O8催化剂,并对催化剂进行了BET,XRD,H2-TPR,XPS,TEM和电导等技术表征,分析研究了Ni3V2O8催化剂的丙烷氧化脱氢(ODH)制丙烯催化性能与其表面物种的关系.XRD,TEM和电导实验结果表明本方法制得的Ni3V2O8催化剂晶粒均匀,平均粒径为30 nm,具有p-型半导体性质.TPR和XPS实验结果显示Ni3V2O8催化剂中,晶格氧可以较容易转换成未完全还原氧,使催化剂内各种价态的钒之间易于进行氧化还原反应并形成氧缺位,从而催化剂的表面含有较多未充分还原氧物种O-和V4 物种.催化活性结果显示当丙烷的转化率为18.60%,丙烯选择性达到60.02%,在相同转化率条件下,比文献报道的NiO和Ni3V2O8共存催化体系中的丙烯选择性高,说明Ni3V2O8催化剂中存在未充分还原的O-和V4 物种有利于提高丙烯的选择性.     

HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响

本征反射率是X射线衍射摇摆曲线计算机模拟的基础。用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。研究结果表明,横向组分不均匀性直接影响摇摆曲线的峰形,峰值反射率和半峰全宽随组分不均匀的增大而分别减小和增大,且与组分不均匀性的均方差近似成指数关系,但其积分反射率却基本保持不变;采用多层模型对具有线性组分梯度的HgCdTe半导体材料反射率的计算结果则表明,纵向组分梯度除导致反射率峰值强度下降外,还会引起摇摆曲线产生单边干涉效应,摇摆曲线的半峰全宽和干涉峰间距随组分梯度的增加而增大,而干涉峰间距与干涉周期之间的关系则随组分梯度的增加其偏离线性的程度增大。     

CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究

覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。     

紫外辐射加速老化高温硫化硅橡胶的X射线光电子能谱研究

高温硫化硅橡胶具有优良的电气性能、机械性能、憎水性而广泛应用于特高压输电线路,但亦会受外界环境的影响而老化,其抗紫外老化性能受到关注.课题组模拟户外紫外辐射环境,设计搭建了可调式紫外辐射加速老化试验箱,对A、B两个厂家的高温硫化硅橡胶样品进行了紫外辐射(0,500和1000 h)加速老化实验,重点对辐射前后的试样进行X...     

X射线衍射光谱和X光电子能谱研究直接甲醇燃料电池阳极催化剂

利用Ｘ射线衍射光谱和Ｘ光电子能谱研究了甲醇电催化氧化的Ｐｔ－Ｍｏ／Ｃ催化剂,发现该内化剂主要以０价态的Ｐｔ和氧化态的Ｍｏ存在,分析了甲醇在该催化剂的活化机理。     

A Structural Study of Some Metal Diethyldithiocarbamate Chelates by X-ray Photoelectron Spectroscopy

The diethyldithiocarbamate chelates of copper (II), lead (II) and tin (IV) have been prepared and characterized. Pure or nearly pure metal diethyldithiocarbamate (DEDTC) chelates could be prepared through recrystallization. The x-ray photoelectron spectra (XPS) for the recrystallized samples were obtained. Three different carbons (C Is) in the diethyldithiocarbamate molecule can be recognized through a computer deconvolution system. Sulfer 2p showed two peaks of spin doublet S 2p_1/2 and S 2p_3/2. Based on the XPS results we may conclude that the diethyldithiocarbamate ligand forms an unusual 4-membered chelate ring structure with the metal ion, both sulfur having bonding with the metal. The N in the DEDTC may also bind with the metal.     

355nm激光曝光SU-8胶的XPS谱和FT-IR谱研究

SU-8光胶因具有良好的光刻性能,并可获得稳定的高深宽比而在微加工领域得到了广泛的应用。众多研究采用不同的光源对其进行了多种光刻研究,本文应用355nm激光对SU-8胶进行曝光,分别采用XPS谱和FT-IR谱分析了SU-8胶与激光相互作用过程中,355nm激光对SU-8胶的作用以及反应前后主要成分含量、分子结构的变化,初步探讨了SU-8胶中激光曝光能量与透入深度的关系。     

GaAs（100）表面氧化的XPS 研究

用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 ,使其更容易被氧化     

Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD

Reproducible p-type phosphorus-doped ZnO （p-ZnO：P） films are prepared on semi-insulating InP substrates by metal-organic chemical vapour deposition technology. The electrical properties of these films show a hole concentration of 9.02 × 10^17 cm ^-3, a mobifity of 1.05 cm^2 /Vs, and a resistivity of 6.6 Ω.cm. Obvious acceptorbound-exciton-related emission and P-induced zinc vacancy （Vzn） emission are observed by low-temperature photoluminescence spectra of the films, and the acceptor binding energy is estimated to be about 125meV. The local chemical bonding environments of the phosphorus atoms in the ZnO are also identified by x-ray photoelectron spectra. Our results show direct experimental evidence that Pzn-2Vzn shallow acceptor complex most likely contributes to the p-type conductivity of ZnO：P films.