超大规模集成电路中的CVD薄膜淀积技术

介绍了在超大规模集成电路制造工艺中 ,用化学气相 (CVD)方法淀积各种薄膜的反应机理和特性 ,及这些薄膜在器件制造工艺中的应用。     

超大规模集成电路和微组装技术

本文研究了在多层陶瓷基板上利用硅作为衬底的硅-硅包装技术。这种硅-硅和多层陶瓷基板的微组装技术,可以消除IC芯片与衬底之间的热失配。同时可充分利用硅IC技术进一步细线化。随着ASIC、BiCMOS、VLSIC的迅速发展,将使今后的封装及微组装向多腿及小问距方向发展。     

硅超大规模集成电路技术和发展

本文介绍了国际上硅超大规模集成电路技术和产品的发展状况,阐述了硅超大规模集成电路关键技术和产品特点及其发展趋势,对我国集成电路同行将起借鉴作用。     

MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用

氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0．18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。     

超大规模集成电路快速热处理技术

本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.     

超大规模集成电路的作用及展望

本文阐述了初级集成电路至超大规模集成电路的发展概况,介绍了大规模集成电路在通讯、控制系统、信息系统中的应用。还扼要地叙述了大规模集成电路对设备安装技术的影响,且对其在未来的通讯网中将起到越来越大的作用作了恰当的估计及展望。     

超大规模集成电路(VLSI)中的CMOS技术

CMOS集成电路已经有10年以上的工艺历史,可以说它的成功在于CMOS的低功耗性。由于PMOS和NMOS的共存,降低了集成度并增加了工艺的复杂性,从而提高了制造成本,这同NMOS LSI相比,可认为CMOS在VLSI化中有决定性的不利条件。终而,尽管NMOSLSI采用各种电路办法,譬如动态型电路和内部时(?)同步型电路等,但在功耗和噪声容限等方面正在接近于极限,而且随着电路的改良,工艺也变得非常复什了。而CMOS电路一方面保持了低功耗,高噪声容限,宽的工作电压和宽的工作温度区这样的CMOS本质特点,另一方面也正在迅速不断地提高集成度。     

控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI) 再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.     

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路     

超大规模集成电路的CVD薄膜淀积技术

介绍了在超大规模集成电路制造工艺中,用化学气相（ＣＶＤ）方法淀积各种薄膜的反应机理和特性,及这些薄膜在器件制造工艺中的应用。     

超大规模集成电路的平坦化技术

介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术 ,通过对双层布线中复合膜(CVD- Si O2 膜和 SOG膜 )的回刻 ,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比 (aspect ratio)条件下 ,在双层金属膜之间的层间介质膜上获得了好的台阶覆盖性。     

国外大规模和超大规模集成电路制造中的精细图形加工技术

本文就国外最近取得重要进展的两种光学投影光刻系统及几种典型的电子束扫描曝光系统的结构,工作原理作了一般性介绍。着重列出了器件制造者和掩膜制造者所关注的系统性能,使用情况及图表。讨论了图形加工技术的发展趋向。     

超大规模集成电路生产中的超纯水系统

随着集成电路技术的不断发展，对生产所需纯水水质要求理镐，本文系统介绍了超大规模集成电路生产中的超纯水质水质指标，典型制备流程，输送管材以及超纯水制备系统的发展。     

碳和氮原子在氧沉淀中的作用

本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制,指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳－硅－氧、氮对－硅－氧复合体,它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心,促进氧沉淀的生成．文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核,而碳原子因条件而异,既可参与氧沉淀的成核,也可参与氧沉淀的长大．研究表明,高碳样品,在低于９００℃的热处理时,碳原子参与氧沉淀的长大,可显著降低氧沉淀引起的体积应变能,促进氧沉淀的长大;高于９００℃的热处理,碳原子可不参与氧沉淀的长大．但如果不经过高温预处理,由于在低温热历史中,碳原子已参与氧沉淀胚核的形成     

超大规模集成电路生产线在武汉开工

据《中国电子报》2006年7月3日报道:中共中央政治局委员、湖北省委书记俞正声于6月28日在武汉东湖高新区宣布:中部地区第一条超大规模集成电路生产线正式开工建设。武汉芯片厂主要采用12英寸/90纳米及以下技术生产逻辑芯片,如DSP、STB芯片、网络芯片、通讯芯片、多媒体处理芯片     

大规模—超大规模集成电路制造中的电子束蒸发技术

铝膜(或其它金属薄膜)通常是在真空条件下,加热蒸发铝材料并淀积到基片(硅片)表面形成的。传统的蒸发技术都是采用钨丝作为加热体,使铝熔化产生蒸汽蒸发,由于钨原料和钨丝的碱法生产使钨丝中不可避免地带进了大量的对半导体器件极为有害的钠离子,用钨丝加热蒸发时一起进入铝膜,在以后的合金化(?)热处理过程中又进入二氧化硅层和硅表面层。     

专用超大规模集成电路在LED显示系统中的应用

自1976年蒙特利尔奥运会采用了第一块黑白视频显示屏以来，各种大屏幕特别是LED显示屏得到了迅猛发展，在现代信息社会中更是随处可见。在这些显示系统中，应用了大量的不同种类的集成电路作为驱动芯片。本文叙述了运用于LED显示系统中的超大规模集成电路的强大功能。     

低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用

本文概述了低介电常数材料(Low k Materials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用.指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景.