Fe-Ni-BaTiO3复合材料的介电行为及其机理研究

利用金属铁、镍(Fe与Ni保持mol比为22∶78不变)与钛酸钡复合，在保护气氛下成功烧结制备了高介电常数Fe-Ni-BaTiO₃复合陶瓷材料，并研究了该复合材料的电导和介电性能及其物理机理.分析结果表明，由于渗流效应，随着陶瓷中金属含量的增加，材料经历了绝缘体—导体突变.同时，在渗流阈值附近，材料的介电常数有了极大的提高.当金属体积含量为0.23时，即在绝缘体向导体转变的渗流阈值附近，复合材料的介电常数达到了22000，为同条件下制备的纯钛酸钡陶瓷体介电常数的12倍，同时材料的介电 关键词： 3')" href="#">Fe-Ni-BaTiO₃ 渗流理论 介电性能 Maxwell-Wagner效应     

非线性正常导体-绝缘体无规网络渡越指数的研究

考虑在渗流阈值附近弱非线性正常导体与绝缘体所构成的无规网络在任意d维空间的非线性渡越行为.系统由正常导体浓度为p,且满足弱非线性电流密度(J)电场(E)关系:J=σ1E+χ1|E|βE和浓度为1-p的绝缘体(σ2=0)构成.在略高于正常导体渗流阈值pc时,复合系统的有效响应可表示为〈J〉=σe〈E〉+χe|〈E〉|β〈E〉,当线性响应与非线性响应两者可相互比较时,此时的电流密度和电场强度被分别称为渡越电流密度|Jc|和渡越电场|Ec|,且发现略高于渗流阈值pc时具有幂指数关系:|Ec|～(p-pc)M(β 关键词：     

聚吡咯-钛酸钡复合材料的制备和吸波性能

通过化学氧化法在乳液聚合体系中合成了聚吡咯. 然后以脱脂棉作为模板使用溶胶-凝胶法合成了钛酸钡微带. 以合成的两种材料作为基体相按不同的比例制备了聚吡咯-钛酸钡复合材料. 复合材料的结构形貌和性能通过红外、X射线衍射、扫描电镜以及网络分析仪检测. 使用PNA3629D网络分析仪测定复合材料在S和C波段的复数介电常数和微波损耗. 研究了钛酸钡和聚吡咯的质量比对复合材料吸波性能的影响. 提出了聚吡咯-钛酸钡复合材料的吸波机理.     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.     

溶胶-喷雾法制备多壁碳纳米管增强氧化铝基复合材料及性能研究

采用溶胶-喷雾制备了多壁碳纳米管增强氧化铝基球形复合粉体,采用放电等离子真空快速烧结成型.SEM分析测试结果表明,多壁碳纳米管在氧化铝基体中呈网络分布,且主要位于晶界处,少量呈穿晶分布.复合材料性能分析测试结果表明,当多壁碳纳米管的质量分数为0.5%时,复合材料的维氏硬度相对纯的氧化铝提高了32.6%;热扩散系数在不同测试温度下相对纯氧化铝的平均提高幅度为27.2%.此外,当多壁碳纳米管质量分数达到0.5%时复合材料呈导体,根据渗流导电理论拟合得到实验制备复合材料的渗流阈值为0.32 wt.%,说明多壁碳纳米管在氧化铝基体中分散良好.     

Ti-Al_2O_3金属陶瓷的渗流模型

用渗流理论讨论了Ti-Al_2O_3金属陶瓷的显微结构同宏观电导率的关系,发现渗流模型结果与实验结果是一致的。该Ti-Al_2O_3金属陶瓷的渗流阈值为(Ti的临界百分含量)ω~*=0.16,其临界指数即为三维连续渗流的临界指数值。     

BaFe0.4Sn0.6O3/BaBiO3负温度系数复合热敏陶瓷阻抗分析

以BaBiO₃为导电相,BaFe_0.4Sn_0.6O₃为高阻相,采用固态反应法制备了不同BaBiO₃含量的BaFe_0.4Sn_0.6O₃/BaBiO₃负温度系数(NTC)热敏复合陶瓷.为获得在渗流阈值(即BaBiO₃含量为12 mol%)前后复合陶瓷的内部导电机理,对复合陶瓷进行了阻抗分析.分     

梯度分布球颗粒复合介质的介电特性和光吸收特性

研究球形颗粒复合介质沿颗粒半径方向有梯度分布的有效介电响应和光吸收性质,利用微分有效偶极距近似方法计算有梯度分布球颗粒的等效介电常数.数值计算结果表明,对于一般的球形粒子,介电常数随半径按幂指数规律变化时,系统的有效介电常数随指数n的增大而减小;而对金属球形粒子,则存在等离子体共振吸收峰,且随参数mw和mv的增大,其位置将发生红移.这为复合材料的制备提供了一种新的理论依据.     

Co／BaTiO3纳米复合薄膜的PLD法制备

纳米金属一陶瓷复合薄膜是纳米金属颗粒嵌埋在介质载体中形成的一种复合材料。在此体系中纳米金属的小尺寸效应、表面界面效应、量子尺寸效应、量子隧穿效应及陶瓷基体的高介电常数及介电强度，赋予此体系独特的光学特性。如高的三阶非线性光学极化率、超快的三阶非线性响应时间及高三阶非线性系数等，在电子器件和光学材料方面有着潜在的应用前景，引起了国内外学者的极大兴趣。     

孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷，并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明：孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数，提高了静水压优值，并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测；晶粒尺寸增加，多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加，并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷，当烧结温度为1300℃时，孔隙率为34%，d关键词： 多孔PZT陶瓷 静水压优值 压电性能 介电性能