慢电子与氦原子弹性碰撞截面的计算

本文计算了氦原子的有效核电荷和慢电子在氦原子场中的畸变波函数,并用单电子波函数和含有关联作用的双电子波函数,分别计算了氦原于对慢电子弹性散射的 S、P、d、f分波相移、分波截面、微分散射截面、散射总截面和动量转移截面。计算中考虑到了入射电子与靶原子间的极化作用和交换作用。计算结果表明,在慢电子散射问题中,极化与交换作用很重要,必须予以考虑。除此以外,靶原子中电子波函数的准确程度对计算结果的影响也很大,也必须注意。利用比较准确的含有关联作用的双电子波函数计算的结果较之用简单的单电子波函数计算的结果有明显的改进,前者与实验结果符合得很好。     

低能电子与Kr、Xe弹性碰撞截面的计算

本文利用原子的解析波函数,导出了电子与第四,五周期元素原子相互作用势的解析形式,并用文献提出的物理模型与计算方法,对低能电子被Kr和Xe散射的截面进行了计算,得到了入射电子能量从0.01eV到100eV范围内弹性散射总截面,动量转移截面和微分散射截面的大量数据。计算结果与实验符合得很好。同时利用计算的结果,对低能电子被惰性气体原子散射的规律性进行了探讨。     

Si2++H碰撞过程的物理分析

文中应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞过程,计算了随入射离子能量变化的电子俘获、电离总截面及电子俘获到特定末态的截面,分析了计算结果并定性解释了这些截面随能量的变化规律.     

Breit相互作用对类氦离子亚稳态1s2s3S1电子碰撞激发截面的影响

利用新近发展的基于全相对论扭曲波方法研究电子-离子碰撞激发过程的计算程序,通过对Breit相互作用的考虑,计算了类氦等电子序列离子从亚稳态1s2s3S1激发2s电子到n=2,3壳层的电子碰撞激发截面;研究了不同入射电子能量时Breit相互作用对碰撞激发截面的影响,进一步总结了沿等电子序列变化时,Breit相互作用对截面影响的一般规律.部分计算结果与实验结果进行了比较,得到了很好的一致性.     

Breit相互作用对类氦离子亚稳态1s2s 3S1电子碰撞激发截面的影响

利用新近发展的基于全相对论扭曲波方法研究电子-离子碰撞激发过程的计算程序,通过对Breit相互作用的考虑,计算了类氦等电子序列离子从亚稳态1s2s³S₁激发2s电子到n=2,3壳层的电子碰撞激发截面;研究了不同入射电子能量时Breit相互作用对碰撞激发截面的影响,进一步总结了沿等电子序列变化时,Breit相互作用对截面影响的一般规律.部分计算结果与实验结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 全相对论扭曲波方法 Breit相互作用 电子碰撞激发截面     

50-5000 eV电子被C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50-5000 eV的电子被4个复杂大分子C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即使是在几十电子伏的入射能量下, 修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好, 而使用未修正的可加性规则进行计算, 即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远. 分析表明, 未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的, 其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.     

慢电子与氧原子之间相互作用--光分解和散射的研究

利用R-矩阵方法进行了慢电子与氧原子之间相互作用的密耦计算.给出了光子能量从阈值到7eV范围内的氧负离子的光分解总截面,各个对称性分截面以及主要电离通道对分截面的贡献.并和已知的实验结果和理论计算结果进行了对比.同时计算了慢电子与氧原子弹性碰撞散射截面,并与试验结果和理论结果进行了分析比较.     

解析计算SM中电子混合链图传播下Compton 散射微分截面

采用电弱统一标准模型(SM), 对由参与电弱相互作用的各种混合圈构成的电子重整化链图传播子的构架方式作了详细分析, 并完成了有关解析计算, 进而获得了电子重整化链图传播子的解析计算结果. 作者又将此结果应用到Compton散射, 精确计算了电子混合链图传播下Compton散射微分截面的解析结果 . 此外, 作者还将计算结果与最低阶微分截面 和量子电动力学(QED)中电子链图传播下的Compton散射微分截面 做了具体的数值计算与对比分析, 发现 比 能更加精细的反应辐射修正效应.     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法.利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势,在100—1000eV内对电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算,并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准确得多,计算得到的动量转移截面及弹性积分截面在入射电子能量不低于200eV时也都比较接近实验值.     

Al~(10+)的电子碰撞电离及有关过程

用扭曲波方法计算Al~(10+)基态在Is~22s的Is,2s电子和第一激发态Is~22p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较. 关键词：     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则,使用Roothaan-Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势,在300-1000 eV内若干个能量点处计算了电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.比较的结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得微分散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多;同时,计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确度.     

Nb,Ag原子的K壳层和L壳层电离截面的理论计算

电子离子碰撞电离截面是模拟激光等离子体的超热电子的能谱和产额的主要过程之一.基于相对论性的电子离子碰撞的K壳层电离截面理论,计算了Nb、Ag的K壳层和L壳层电子碰撞电离截面,结果和最近的文献实验数值和其它理论数值进行了比较,计算结果比其它模型更加准确,与最近的实验结果也吻合较好,该结果可用来模拟激光等离子体的超热电子能谱和产额.     

包含激发-自电离的类锂离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似,计算了类锂离子的电子碰撞激发-自电离截面和总电离截面,与紧耦合计算及实验数据比较,得到了比较令人满意的结果。同时给出计算各种离子内层激发截面的一般公式。     

电子碰撞Ga,As, Pt,W和Au原子Lα X射线产生截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究了L壳层的相对论效应和离子效应对快电子碰撞电离Lα X射线产生截面的影响.通过在BELL模型中引入相对论效应和离子效应,基于相对论性的L壳层的电子碰撞电离截面的理论,计算了Ga,As,Pt,W和Au的L壳层电子碰撞电离截面,并将其转化成Lα X射线产生截面,计算结果表明考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的Lα X射线产生截面结果明显优于BELL的计算结果,并和最近的文献实验数值 关键词： 快电子 Lα射线')" href="#">Lα射线 电离截面 相对论效应     

电子碰撞激发的全相对论扭曲波理论和计算

给出计算高荷离子的电子碰撞强度的全相对论曲波Ｂｏｍ理论和有关高剥离离子电子碰撞激发截面的计算结果。并将计算结果和其他工作进行了比较。     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程.本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响.研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程.使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

类氖氙离子LMn双电子复合模拟谱

在双电子复合过程发生的能量范围内,发射X光子的原子过程除双电子复合过程外还有辐射复合、共振激发、共振复合以及直接激发原子过程. 本文使用相对论组态相互作用方法计算了这些过程的截面,比较了在双电子复合过程发生的能量范围内这些原子过程的截面与双电子复合过程截面,探讨了这些过程对双电子复合过程的影响. 研究结果表明,辐射复合截面随入射电子束能量的增大迅速减小,在双电子复合能量范围内几乎为一常数,可以作为本底来处理;共振激发和共振复合过程对双电子复合过程的影响可以忽略不计;当入射电子束能量高于靶离子的第一激发能时,电子碰撞直接激发截面与高Rydberg态的截面连成一片,随着入射电子束能量的增加,电子碰撞直接激发截面越来越大,这时必须考虑直接激发过程. 使用相对论组态相互作用方法计算了类氖氙离子的双电子复合截面,其结果与已有的部分实验和理论结果很吻合.     

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机理的可能性.     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则，使用Roothaan-Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光 学势，在300—1000eV内若干个能量点处计算了电子被O₂及CF₄分子 散射的微分截面、 弹性积分截面及动量转移截面，并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 比较的结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得微分 散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多；同 时，计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此，在复光学势中采用 束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确 度. 关键词： 电子散射 可加性规则 微分截面 弹性积分截面     

Ca原子4s2-4s4p电子碰撞激发特性

基于全相对论扭曲波（RDW）电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了Ca原子基态3p64s2 1S0到激发态3p64s4p 3P0,1,2 1P1精细结构能级的碰撞截面,总结了在不同入射电子能量下碰撞截面的变化规律。目前计算中,细致考虑了电子关联效应和Breit相互作用,计算结果与已有的理论计算进行比较,对实验值的相对误差较小。