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在0—10T磁场范围内,系统地测量了YBa2Cu3O7-δ外延薄膜处于磁场平行和垂直膜面两种情况下的R-T曲线和I-V曲线, 并对该样品的不可逆线和磁通玻璃线作了直接的比较.结果表明, 由不同约化电阻率判据给出的不可逆线和磁通玻璃线遵守相同的H∝(T(0)-T(H))n 关系.对于不可逆线, n=3/2,对于磁通玻璃线,n=4/3.不可逆线的位置不仅与判据有关而且与测量电流密度也有关,磁通玻璃线位于不可逆线的下方.探讨
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本文通过脉冲激光沉积法制备了不同厚度(80nm、320nm、1000nm和2000nm)的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜,对它们的剩余应力和临界电流特性进行了对比研究.通过系列的激光显微Raman光谱和磁化曲线测量分别获得了薄膜剩余应力和磁化临界电流密度(Jc)对薄膜厚度的依赖关系.结果显示超导薄膜内剩余应力越小,Jc越高.对于中等厚度的薄膜样品(320nm和1000nm),其膜内剩余应力较小,同时由其特征的磁通匹配场大小推知在该厚度范围内的样品具有较高的线性缺陷密度,从而显示出较高的Jc值. 相似文献
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银为隔离层、工作频率为35GHz和模式为TE_(011)的铜谐振腔研究YBa_2Cu_3O_(7_δ)超导厚膜的毫米波表面电阻。应用电泳技术在银衬底上沉积YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜,经机械加工和精细的表面抛光后作为圆柱型腔的两端面。测量两瑞面为YBa_2Cu_3O_(7_δ)厚膜的腔和铜腔的Q值,计算得到35GHz,77K温度下YBa_2Cu_3O_(7_δ)导厚膜的表面电阻R_5为21.88mΩ,低于同样条件下纯铜的值。YBa_2Cu_3O_(7_δ)从正常态经过T_c进入超导态,穿透深度的变
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应用X射线三晶衍射对LaAlO3衬底上生长的YBa2Cu3Oy薄膜中的应力水平、存在的主要缺陷,以及薄膜与衬底的失配和取向关系等进行了研究。结果表明,薄膜在衬底上几乎完全松弛,应力很小,薄膜存在较严重的晶格取向差缺陷,这是影响薄膜晶体结构完整性的主要因素。此外,衬底与薄膜在垂直于表面和平行于表面方向都存在取向差。
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利用瓦特计技术,研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)烧结样品和粉末熔化法(PMP)织构样品在77K和50Hz交变磁场下的交流(ac)损耗(?)实验结果表明,ac损耗(?)同外磁场振幅H_m之间遵从幂函数规律:(?)∝H_m~n对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的烧结样品:(1)当H_m<40Oe时,这样低的磁场已穿透弱连接的晶粒边界网络,导至晶粒间的损耗,(?)∝H_m~(1.6)(2)当40Oe≤H_m<170Oe时,中等磁场破坏了晶粒间的耦合,并且磁通穿进了晶粒内,引起不完全穿透的晶粒内损耗,(?
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本文系统性地研究了长期的水环境对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导体的影响.我们的研究发现,YBCO块体的水腐蚀从表面开始,发展到内部.测试中发现YBCO与水反应生成Y2BaCuO5、毒性BaCO3、CuO等,而这个腐蚀行为似乎是从晶粒中提取Ba和Cu,并将Y浓缩到晶粒中心.在77 K温度下,未与水接触的样品的临界电流密度达到22500 A/cm2,而浸入水中50小时的样品仅为6000 A/cm2(甚至低于前者的三分之一).不仅如此,受腐蚀过后的YBCO块的磁化率也严重减弱.虽然临界转变温度并未有较明显的改变,但水腐蚀对YBCO超导的影响无疑是非常致命的,因此,我们建议在相关设备的使用或储存过程中应注意水的来源并杜绝与之接触. 相似文献
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在中国原子能科学研究院新建的宽角(~30°)Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪上,在入射中子能量从10直至150meV的范围内,测量了几种不同氧含量的YBa2Cu3O6+δ样品的中子非弹性散射能谱。结果表明:(1)在δ=0和0.2时,在60至150meV能量范围内,发现有强的高频模存在,当其温度高到Nel点(~410K)以上直至466K时,没有观察出高频模强度的减弱。而δ=0.78和0.97时,在75至150meV能量范围内,散射强度在测量误
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采用脉冲激光沉积技术(PLD)在LaAlO3(100)单晶衬底上外延生长YBa2Cu3O7-δ-Y2O3多层薄膜,用X射线衍射技术(XRD)分析薄膜的物相结构和外延特性,通过原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌.本文主要研究了最佳工艺参数下交替生长多层YBCO-Y2O3膜的超导性能.结果表明,YBa2Cu3O7-δ-Y2O3薄膜为纯c轴取向外延生长,临界电流密度Jc(H=0或H//C)均高于纯YBCO薄膜,纳米Y2O3起到磁通钉扎中心作用. 相似文献
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基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较.
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa2Cu3O7-δ和Y0.9Eu0.1Ba2·Cu3O7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),Jc(T)和Ueff(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa2Cu3O7-δ相比,Y0.9Eu0.1·Ba2Cu3O7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。
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通过制备(YBa2Cu3O7)1-x(V2O5)x(0≤x≤0.15)复合材料,获得了一系列典型的弱连接的颗粒超导体,其中以dR/dT-T关系中呈现出双峰转变为主要特征。第一峰代表晶粒的超导转变,第二峰代表颗粒系统超导长程序的形成。对于具有双峰转变的样品,其临界电流密度一致地符合ic~(1-t)n,n=1.6.这一行为与三维Josephson结网络系统的渗流行为相一致;对于不具有双峰转变的系统,临界电流密度随温度的变化尽管也可以用jc~(1-t)n描述,但是幂指数n明显地大于1.6,且随样品的不同而离散地分布。本文还对产生这种离散的原因进行探索和分析。
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