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本文讨论了光栅光谱仪的透射率反常和偏振响应问题,指明了光谱仪的这些特性对光谱测量产生的影响。使用90°旋光器测量喇曼散射偏振谱时,信噪比有时可提高几倍,与使用扰偏器相比,可提高1倍。在退偏度测量中,所获得的结果与其它方法相近。 相似文献
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对LP-MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较,发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的蓝移。考虑应变和限制效应的理论计算结果与实验吻合较好。加入GaAs薄张应变层的InAs量子点的LO模和TO模发生了更大程度的蓝移,同时无InP盖层的样品观察到应变的部分释放。 相似文献
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在室温和液氮温度下,用氩离子激光器的5145Å激光激发,测量了蒽单品的喇曼散射谱,其喇曼活性主模振动的实验值和理论值符合的较好。计算了旋转振动的均方振幅,并对低波数振动喇曼谱的温度效应进行了讨论。 相似文献
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首次观测到 CH_4—CH_4碰撞诱导的转动喇曼谱具有清晰的转动解析结构。主要谱线为373cm~(-1),401cm~(-1),432cm~(-1)和460cm~(-1)。实验是在393k 和38.8Atm 压力下进行的。 相似文献
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三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱 总被引:1,自引:0,他引:1
采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中,除观测到二级Raman散射峰LO1+LO2以外,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷b/a的分析表明,随着晶格有序度的增加,b/a值减小。这是因为:一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的,另一方面,还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。 相似文献
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利用U(5)群链描述三原子分子振转谱的对称性质,并用群论方法计算了CO_2分子喇曼散射的跃迁矩阵元,给出了它的振动与转动喇曼散射截面.结果与实验较好地符合. 相似文献
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本文概述了表面增强喇曼散射在以下几个领域中的应用:催化和热分解过程中的中间产物和产物探测,及这些产物的热稳定性分析;金属腐蚀问题中,各种防腐剂的防腐蚀性能分析,及表面络合物研究;生物分子的构型变化、成分;界面行为的研究;痕量分析;光电器件(半导体光电化学器件,光电倍增管等)表面特性及组分分析;固态材料表面化学性质和形态结构信息的获得,等等。 相似文献
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本文提出了一种测试新的喇曼增益介质——被扩散进石英光学纤维中氮——的受喇曼散射的方法。文中讨论了阈值条件,谱线宽度与泵浦功率间关系。观测了在低于单模光纤截止波长时的输出模式。实验中还观察到微弱的氮分子和石英分子间的耦合模式。 相似文献
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从室温至180℃测量了BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的偏振喇曼谱,在X(ZZ)Y几何配置下发现了三条频率分别为986,1204和1480cm~(-1)的新谱线.根据喇曼散射截面的温度依赖关系,确认这些新谱线对应二阶喇曼散射,而A_1(TO)谱中位于275和514cm~(-1)处的非对称宽峰则属于一阶喇曼散射.在此基础上,对立方相BaTiO_3的喇曼谱和结构相变机制进行了讨论.通过比较BaTiO_3与Ce:BaTiO_3喇曼谱随温度的变化,发现掺Ce降低了BaTiO_3晶体的Curie温度,与介电系数的测量结果相符. 相似文献
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