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采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3~5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3~5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10~(-2)Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3~5μm红外波段检测气体,红外制导等领域. 相似文献
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透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用 总被引:1,自引:0,他引:1
阐述了氧化铟锡(ITO)薄膜的气敏特性及其导电扩散阻挡作用,对ITO气敏薄膜及扩散阻挡层薄膜的制备过程、测试方法和应用进行了研究讨论。 相似文献
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一透光率高电阻率低的透明导电薄膜,在飞机、航天飞行器和太阳能光伏电池诸方面,都有重要应用.具体地说,可用作电光显示器件的透明电极;超大口径电光快门透明电极;飞行器上防霜加热玻璃窗;防反射多层膜以及特制毛玻璃等.透明导电薄膜,有各种制备材料及制膜方法.制备材料有金、钢等纯金属和金属氧化物.金属氧化物中,目前最好的材料为SnO2和In2O3等.获得透明导电膜的方法,通常有下列几种.1.蒸熏法把S?... 相似文献
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“桃李春风一杯酒,江湖夜雨十年灯”。——(宋) 黄庭坚《寄黄几复》
这是另外一个“十年一瞬间”的故事!也是一项“美丽的错误”! 相似文献
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制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO3)的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜,并研究了其光电特性。EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti的存在,薄膜的掺杂具有良好的均匀性及一致性。由原子力显微镜测试可知,在一个5μm×5μm的扫描区域内,样品的表面粗糙度(RMS)较小,为1 nm量级。ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85%,其功函数接近于金的功函数(5.2 eV左右),远高于目前商业化的ITO的功函数(4.5~4.7 eV)。由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势垒高度有着直接影响,较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力,因此采用ILTO作为光电器件的阳极将有望改善器件的性能。 相似文献
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本文分别采用磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法两种方式, 对高价态差元素V掺杂ZnO薄膜进行研究. 实验研究结果表明: V的掺入并未改变ZnO的生长方式, 所制备的薄膜都呈(002)择优生长; 随着衬底温度增加, VZO薄膜的结晶质量逐步改善, 当衬底温度超过280 ℃时薄膜的结晶质量恶化; 在280 ℃时获得的VZO薄膜电阻率最低3.8×10-3 Ω·m, 500-2000 nm平均透过率高于85%. 理论模拟结果表明: V以替位形式掺入ZnO六角纤锌矿晶格结构中, 费米能级进入导带, 材料表现出n 型半导体的特性, 导电电子主要由V 3d及O 2p电子轨道提供. 理论计算结果与实验结果的一致性, 表明VZO薄膜具有作为高效Si基薄膜太阳电池透明导电薄膜的应用潜力. 相似文献
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采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了Hf∶ ZnO (HZO)薄膜,研究了氧气流速和退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响.为了提高薄膜的结晶性,将制备的薄膜在800℃下退火30 min,并自然冷却到室温.测试、分析了退火后薄膜的微观结构和光电性能.研究发现,随着氧气流速从0增加到0.6 mL/min,薄膜的致密度逐渐增大,电阻率逐渐降低,而当氧气流速继续增大到0.8 mLL/min时,薄膜的结晶性恶化,电阻率突然升高.氧气流速为0.6 mL/min时制备的薄膜光电性能最佳,利用傅里叶红外光谱仪和霍尔测试仪进行测试,得到薄膜在3~5 μm波段的平均透过率为83.87%,电阻率为1.66×10-2 Ω·cm,载流子迁移率为13.4 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为2.82×1019 cm-3.利用X射线衍射仪进行测试,发现薄膜样品具有ZnO的六方纤锌矿结构,并沿(002)方向择优生长,通过扫描电子显微镜可以看到薄膜表面生成致密均匀的球状结构颗粒.这种薄膜可以用作3~5 μm波段的透明窗口. 相似文献
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本文采用脉冲激光沉积法于不同沉积温度与衬底制备了一系列的La0.05 Sr0.95 TiO3(LSTO)单晶透明导电薄膜.实验主要研究了高温高氧压条件下沉积的LSTO薄膜的结构及电、光学性质.它们具有良好的外延结构,表现出很好的透明、导电性质.对电阻率拟合发现其导电机制符合电子.电子散射机制.由于制备条件与其它多种钙钛矿型氧化物薄膜一致,可广泛集成应用.用其作为电极所制备的PbZr0.52 Ti0.48O3(PZT)外延铁电电容器,具有很好的电滞回线和透光性. 相似文献
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本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2超导薄膜.首先在MgO(111)基片上化学气相沉积一层B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理.退火后得到的MgB2薄膜在MgO(111)基片上呈随即取向生长,Mg、B原子比接近于1∶2.4;薄膜表面光滑致密,晶粒粒度约为0.5μm.电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为38K,转变宽度仅为0.1K.毕恩公式计算结果显示MgB2薄膜的临界电流密度在0T、10K时高达2×107A/cm2. 相似文献
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With a correlation of nonequilibrium carriers relaxation and coherent phonons displacive excitation, the coherent optical phonon oscillations in YBa2Cu3O7-δ thin films excited by femtosecond laser pulse are simulated theoretically. It is revealed that as the oxygen concentration decreases, the coherent phonon oscillations become easier to be observed due to the decrease of the local coupling between the carriers and the lattice vibrations in the CuO2 plane. 相似文献
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我们对高温超导YBa2Cu3O7(YBCO)薄膜样品在超导转变温区微波表面电阻RS随温度变化的初步测量结果.利用介质谐振器方法,分别测量了由镀银高纯铜标准试样和脉冲激光淀积方法制备的高温YBCO超导薄膜为下底板的谐振器品质因素随温度变化的数据.通过对镀银高纯铜标准试样和RS为零的谐振器数据分析,得到谐振器参数随温度变化的曲线.由有高温YBCO超导薄膜组成的谐振器Q值随温度变化数据得到YBCO薄膜样品超导转变温区微波表面电阻的变化.讨论了YBCO超导薄膜的微波表面电阻测量结果. 相似文献
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本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导微波滤波器实用的需要. 相似文献
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The microstructure of the laser-ablated YBa2Cu3O7 (YBCO) thin film deposited on heated (100) SrTiO3 substrate was examined by transmission electron microscope. The par-ticles on the film mainly consist of CuO and few CuYO2. Most of these non-superconducting particles nucleate on or near the surface of the film and protrude about 100-400 nm in height, A large amount of a-axis YBCO grains also exist in the film, which nucleate at the substrate surface and grow perpendicularly above the c-axis YBCO film. The YBCO thin film deposited under low oxygen pressure has very different microstructure compared with YBCO thin film deposited under high oxygen pressure. 相似文献