V掺杂ZnO团簇的结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了V原子单掺杂和双掺杂(ZnO)12团簇的结构和磁性质。我们考虑了三种掺杂方式：替代掺杂,外掺杂和内掺杂。单掺杂时,替代掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,外掺杂团簇是最稳定结构。团簇磁矩主要来自V-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Zn和O原子上也产生少量自旋。V原子掺杂团簇的总磁矩与掺杂位置有关,说明V掺杂(ZnO)12团簇在可调磁矩的磁性材料领域有潜在应用价值。     

V掺杂ZnO团簇的结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了V原子单掺杂和双掺杂(ZnO)_(12)团簇的结构和磁性质.我们考虑了三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂.单掺杂时,替代掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,外掺杂团簇是最稳定结构.团簇磁矩主要来自V-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Zn和O原子上也产生少量自旋.V原子掺杂团簇的总磁矩与掺杂位置有关,说明V掺杂(ZnO)_(12)团簇在可调磁矩的磁性材料领域有潜在应用价值.     

Co掺杂碲化锌团簇结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Co原子单掺杂和双掺杂(ZnTe)12团簇的结构和磁性质。考虑了两种掺杂方式：替代掺杂和间隙掺杂。不管是单掺杂还是双掺杂,间隙掺杂团簇都是最稳定结构。Co掺杂团簇的磁性依赖于Co原子周围环境。最重要的是,我们指出替代双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。     

Co掺杂碲化锌团簇结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Co原子单掺杂和双掺杂(ZnTe)12团簇的结构和磁性质。考虑了两种掺杂方式：替代掺杂和间隙掺杂。不管是单掺杂还是双掺杂,间隙掺杂团簇都是最稳定结构。Co掺杂团簇的磁性依赖于Co原子周围环境。最重要的是,我们指出替代双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。     

Ni掺杂ZnO团簇的结构和磁性质

采用第一性原理方法研究Ni原子单掺杂和双掺杂（ZnO）₁₂团簇的结构和磁性质.考虑替代掺杂、外掺杂和内掺杂三种掺杂方式.研究发现：不管是单掺杂还是双掺杂,外掺杂团簇都是最稳定结构.Ni原子之间的磁性耦合由直接的Ni-Ni反铁磁耦合和Ni和O原子之间通过p-d杂化产生的铁磁耦合这两种相互作用的竞争来决定.最重要的是,外双掺杂和内双掺杂团簇都存在铁磁耦合,在纳米量子器件有潜在的应用价值.     

Fe掺杂ZnTe团簇结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Fe原子单掺杂和双掺杂（ ZnTe）12团簇的结构和磁性质。我们考虑了替代掺杂和间隙掺杂。不管是单掺杂还是双掺杂,间隙掺杂团簇都是最稳定结构。团簇磁矩主要来自Fe－3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Zn和Te原子上也产生少量自旋。最重要的是,我们指出间隙双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件有潜在的应用价值。     

Fe掺杂ZnTe团簇结构和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Fe原子单掺杂和双掺杂(ZnTe)12团簇的结构和磁性质。我们考虑了替代掺杂和间隙掺杂。不管是单掺杂还是双掺杂,间隙掺杂团簇都是最稳定结构。团簇磁矩主要来自Fe-3d态的贡献,4s 和4p 态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Zn和Te原子上也产生少量自旋。最重要的是,我们指出间隙双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件有潜在的应用价值。     

Cr掺杂ZnSe团簇稳定性和磁性质

本文采用密度泛函理论研究了Cr原子单掺杂和双掺杂(ZnSe)_(12)团簇的结构、电子性质和磁性质.考虑了三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂.单掺杂时,外掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,内掺杂团簇是最稳定结构.团簇磁矩主要来自Cr-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Zn和Se原子上也产生少量自旋.结果显示Cr原子间的磁性耦合是短程相互作用.     

Ni掺杂II-VI族团簇的稳定性和磁性质

本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Ni原子单掺杂和双掺杂II-VI族(ZnTe)12和(ZnSe)12团簇的稳定性和磁性质。研究发现,Ni掺杂增强了团簇的稳定性。团簇磁矩主要来自Ni-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Te、Se原子上也产生少量自旋。Ni原子之间的磁性耦合是短程相互作用。最重要的是,两种双掺杂团簇都存在铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。     

钒掺杂硫化锌团簇稳定性和磁性质研究

本文采用密度泛函理论研究了V原子单掺杂和双掺杂(ZnS)12团簇的几何结构和能量稳定性。我们考虑了三种掺杂方式：替代掺杂,外掺杂和内掺杂。单掺杂时,替代掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,外掺杂团簇是最稳定结构。团簇磁矩主要来自V-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Zn和S原子上也产生少量自旋。结果显示V原子间的磁性耦合是短程相互作用。相邻V原子之间的磁性耦合由直接的V-V反铁磁耦合和两个V和S原子之间通过p-d杂化产生的铁磁耦合这两中相互作用的竞争来决定。     

C掺杂ZnO纳米线的磁性研究

运用第一性原理方法研究了C掺杂ZnO纳米线的电子性质和磁性质.研究发现C原子趋于替代纳米线表面的O原子.所有掺杂纳米线显示了半导体特性.纳米线的总磁矩主要来源于C原子2p轨道的贡献.由于杂化,相邻的Zn原子和O原子也产生了少量自旋.在超原胞内,C、Zn和O原子磁矩平行排列,表明它们之间是铁磁耦合.铁磁态和反铁磁态的能量差达到了186meV,表明C掺杂ZnO纳米线可能存在室温铁磁性,在自旋电子学领域有很大应用前景.     

First-principle study on magnetic properties of Mn/Fe codoped ZnS

We studied the magnetic properties of Mn/Fe codoped ZnS comparatively with and without defects using first-principle calculation. The calculated results indicate that the Mn/Fe codoped ZnS system tends to stabilize in a ferrimagnetic (FiM) configuration. To obtain a ferromagnetic (FM) configuration, we consider the doped system with defects, such as S or Zn vacancy. The calculated results indicate that the doped system with Zn vacancy favors FiM states. Although the FM states of the doped system with S vacancy are more stable than the FiM states in negative charge states, the FM states are not stable enough to exist. Finally, we replaced an S atom by a C atom in the doped system. The C atom prefers to substitute the S atom connecting Mn and Fe atoms. The formation energy of this defect is −0.40 eV, showing that Mn/Fe/C codoped ZnS can be fabricated easily by experiments. Furthermore, the FM state was lower in energy than the FiM state by 114 meV. Such a large energy difference between the FM and FiM states implies that room temperature ferromagnetism could be expected in such a system.     

First-principles study on the magnetic property of C-doped wurtzite ZnS

We have studied the structure, electronic and magnetic properties of wurtzite (WZ) ZnS semiconductor doped with one or two C atoms using first-principles calculations. The moderate formation energy implied that C-doped ZnS could be fabricated experimentally. The total magnetic moment of the 72 atom super cell was 2.02μB, mainly due to the 2p component of the C atom. Electronic structures showed ZnS doped with C atom was p-type half-metallic ferromagnetic (FM) semiconductor and hole mediation was responsible for the ferromagnetism. The large energy difference (154 meV) between the FM and antiferromagnetic (AFM) state implied room-temperature ferromagnetism for C-doped WZ ZnS, which has great potential in spintronic devices.