抗坏血酸在聚槲皮素修饰电极上的电化学行为

采用电聚合方法制备了一种新的聚槲皮素(PQu)修饰电极,并用循环伏安法研究了该电极的电化学行为。在pH=4.0的B-R缓冲溶液中有一对准可逆的氧化还原峰,实验表明聚槲皮素电极过程是2电子2质子的可逆反应。该膜对抗坏血酸有良好的电催化作用,氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4.76×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限达1.5×10-6mol/L。尿酸不干扰抗坏血酸的测定。     

离子液体修饰电极上氧氟沙星的电化学行为及测定

制备了1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BM IMPF6)室温离子液体修饰电极,用循环伏安法研究氧氟沙星在该修饰电极上的电化学行为,结果表明该电极过程受吸附控制。计算了电极过程的部分动力学参数:转移电子数n=2,电极有效面积A=0.0502 cm2。用方波溶出伏安法优化了测定参数,测定了浓度与峰电流ipa的线性关系,发现ipa与氧氟沙星浓度在5.0×10-7～6.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.8×10-7mol/L,样品回收率为93.2%～108.2%,可直接用于实际样品中氧氟沙星含量的测定。     

槲皮素在聚L-络氨酸修饰电极上的电化学行为及测定

采用电聚合方法制备了聚L-络氨酸修饰电极。利用循环伏安法(CV)探究了pH值、扫描速率对槲皮素电化学行为的影响。用差分脉冲伏安法(DPV)对槲皮素进行测定。结果表明:聚L-络氨酸修饰电极在pH值为6.0的磷酸盐缓冲溶液中对槲皮素表现出良好的电催化能力。在6.21×10~(-5)～6.9×10~(-4) mol/L范围内槲皮素的浓度与相应的检测信号呈现出良好的线性关系,线性方程为:I(10~(-6) A)=-1.034 8-0.099 39c(10~(-4) mol/L),线性相关系数R=-0.987 87,检出限为2.07×10~(-5) mol/L(S/N=3)。电化学分析方法简易快捷、重现性和稳定性高。     

对乙酰氨基酚在石墨烯和离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定

制备了石墨烯和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(Gene-BMIMPF6/GCE),运用循环伏安法研究了对乙酰氨基酚(PT)在该复合修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液中,PT在复合修饰电极上出现一对明显的氧化还原峰,在20～260mV/s的扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,PT浓度在6.0×10-7～8.0×10-5mol/L范围内与峰电流Ipa呈线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-7 mol/L。采用该法对PT进行加入回收测定,回收率为96.9%～101.2%。     

对乙酰氨基酚在离子液体修饰碳糊电极上的电化学行为及其测定

用亲水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸作修饰剂制备了离子液体修饰碳糊电极(IL/CPE).在pH4.78的Britton-Robinison缓冲溶液中,用循环伏安法和方波伏安法研究了对乙酰氨基酚在IL/CPE上的电化学行为.研究表明,IL/CPE对对乙酰氨基酚的氧化还原反应有良好的电催化作用.在方波伏安曲线上,对乙酰氨基酚的氧化电流与其浓度在8.0×10<'-7>～2.0×10<'-4>mol/L范围内呈线性关系,检出限为3.0×10<'-7>mol/L(S/N=3).建立了测定片剂中对乙酰氨基酚含量的新方法.     

细胞色素C在离子液体修饰电极上的电化学行为

分别合成了疏水和亲水性咪唑类离子液体,并制备了相应的两种离子液体修饰的玻碳电极。循环伏安法测量结果显示,细胞色素C在离子液体修饰的玻碳电极上的电子传递过程为一扩散控制的准可逆反应,表明咪唑类离子液体也可用作细胞色素C电子传递的有效促进剂。电化学交流阻抗谱的测量结果得到了与循环伏安相同的结论。     

抗坏血酸在离子液体修饰玻碳电极上的电化学行为

利用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(BMIMBF4)对玻碳电极(GCE)进行修饰,制备了BMI-MBF4/GCE电极.在0.1mol/L的磷酸盐缓冲溶液中,采用循环伏安法研究了抗坏血酸在BMIMBF4/GCE电极和裸玻碳电极(GCE)上的电化学行为.结果表明,pH=5.7的磷酸盐缓冲溶液为最佳测定底液,最佳富集时间为120s;BMIMBF4/GCE对抗坏血酸的氧化反应有很好的电化学催化作用.抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在2.0×10-4～1.0×10-2 mol/L的范围内呈良好的线性关系,相对标准偏差为4.53%(n=5).     

米吐尔在离子液体修饰碳糊电极上的电化学行为及其测定

用离子液体1-庚基-3-甲基咪唑六氟磷酸([HMIM][PF6])作修饰剂制备了离子液体修饰碳糊电极(IL/CPE).在0.5 mol/L HAc-NaAc(pH=4.8)缓冲溶液中,采用循环伏安法(CV)和方波伏安法(SWV)研究了米吐尔在该修饰电极上的电化学行为,建立了测定米吐尔的新方法.研究表明,米吐尔在IL/CPE上的氧化、还原峰电位差比其在裸碳糊电极(CPE)上的小,而峰电流却显著增加,说明IL/CPE对米吐尔有电催化作用;共存物对苯二酚干扰米吐尔的测定,通过方波伏安法可以消除其干扰.在方波伏安曲线上,米吐尔的还原峰电流与其浓度在1.0×10-7 ～2.0×10-5 mol/L范围内呈线性关系,检出限为3.0×10-8 mol/L.该法可用于照相废液中米吐尔的测定.     

百草枯在碳纳米管与离子液体复合修饰电极上的电化学行为及测定

制备了碳纳米管(MWCNTs)和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(MWCNTs-BMIMPF6/GCE),并采用红外光谱(IR)分别对MWCNTs、BMIMPF6及MWCNTs-BMIMPF6进行了表征。运用循环伏安法研究了百草枯(PQ)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH7.0的PBS缓冲溶液中,PQ在MWCNTs-BMIMPF6/GCE上出现2对明显的氧化还原峰,在20~200 mV/s扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程受扩散控制。计算了电极过程的部分动力学参数:电极有效面积A=0.156 4 cm2,百草枯在pH7.0的PBS缓冲液中的扩散系数D=7.0×10-5cm2/s。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,发现峰电流Ipa1与PQ浓度在7.729×10-7~9.660×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.576×10-7mol/L。采用该方法对实际水样进行检测,增敏回收率为93%~104%。     

吡虫啉在聚L-酪氨酸修饰电极上的电化学行为及其测定

采用循环伏安法研究了吡虫啉在制备的聚L-酪氨酸修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH 8.5的NH3.H2O-NH4C l缓冲溶液中,吡虫啉在聚L-酪氨酸修饰电极上的电化学行为是受扩散控制的不可逆电还原过程,转移电子数和质子数均为2,扩散系数D=5.15×10-5cm2.s-1。吡虫啉的还原峰电流与其浓度在5.0×10-7~8.0×10-5mol.L-1范围内呈良好的线性关系,线性方程为Ip(A)=2.435×10-6+0.809 5c(mol.L-1),r=0.998 6,检出限为2.36×10-7mol.L-1,样品测定回收率为94%~103%。     

双氯芬酸钠在石墨烯和室温离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定

运用循环伏安法研究了双氯芬酸钠(DS)在石墨烯(Gene)和室温离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极上的电化学行为。DS在该复合电极上于0.65V处有一不可逆氧化峰。在40～200 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程是受扩散控制。测定了部分电极过程参数,优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,DS浓度在1.0×10-7～1.0×10-4mol/L范围内与峰电流Ipa呈良好线性关系,检出限为8.0×10-8mol/L(S/N=3),加标回收率为95.7%～101.7%。     

2-氨基酚在离子液体-壳聚糖复合修饰电极上的电化学行为及其测定

本文采用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)和壳聚糖(Chi)作为修饰剂,制备了新型修饰电极BMIMPF6-Chi/GCE,采用该修饰电极研究了2-氨基酚(OAP)的电化学行为,并对其进行了分析检测。实验结果表明,在pH=6.5的PBS缓冲液中,OAP于0.197V处出现一个明显的氧化峰,逆向扫描无还原峰,说明OAP在该电极上的电化学行为是不可逆的。OAP氧化峰电流与扫速的1/2次方在40～280 mV.s-1的范围内呈良好的线性关系,表明该电极过程受扩散控制。在最佳实验条件下,OAP峰电流与其浓度在4.0×10-7～2.0×10-4mol.L-1范围内呈良好的线性关系,Ipa(μA)=-0.534-18.424c(10-4mol.L-1),R=0.999,检出限1.4×10-7mol.L-1(S/N=3),回收率为96.8～103.7%。     

对氨基苯酚在石墨烯-离子液体复合物修饰电极上的电化学行为研究

使用石墨烯(Graphene,GR)和离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([BMIM] PF6)作修饰剂,通过壳聚糖(CHIT)成膜,制备了石墨烯-离子液体复合物修饰电极([BMIM] PF6 - GR - CHIT/GCE).在0.1 mol/L磷酸盐缓冲液中,采用循环伏安和微分脉冲伏安法研究了对氨基苯酚在[...     

双酚A在纳米金-离子液体复合修饰电极上的电化学行为及测定

该文制备了纳米金-离子液体修饰电极(GNP-[BMIM]PF6/GCE),用红外光谱对GNP和[BMIM]PF6进行了表征.采用交流阻抗法研究了GNP-[BMIM]PF6/GCE的表面电化学特性,同时研究了双酚A(BPA)在该修饰电极上的循环伏安行为.结果表明,BPA在该修饰电极上出现1个氧化峰,无还原峰,为不可逆电化...     

多巴胺在聚铬黑T修饰玻碳电极上的电化学行为及其测定

制备了聚铬黑T修饰玻碳电极,研究了多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为。实验结果表明,在pH 4.0磷酸缓冲溶液中,聚铬黑T薄膜对多巴胺的电化学氧化具有明显的催化作用。此外,实验中观察到铬黑T膜能分离检测DA、抗坏血酸(AA)和尿酸(UA)三者的电化响应,DA与AA和UA之间的电位差达到210 mV和170 mV。利用差示脉冲伏安法(DPV)测定DA,其线性范围为0.1~200μmol/L,检出限为0.02μmol/L。该法已成功用于DA注射剂的含量分析,结果令人满意。     

氯霉素在过氧化聚多巴胺修饰电极上的电化学行为及测定

利用多巴胺(DA)的自聚反应在玻碳电极(GCE)表面形成聚多巴胺(PDA)膜,将聚多巴胺修饰电极浸入碱溶液中进行电化学处理,制得过氧化聚多巴胺修饰电极(OPDA/GCE)。通过方波伏安法直接测定氯霉素在OPDA/GCE上的电化学响应信号,得到待测溶液中氯霉素的浓度。对多巴胺的自聚时间、氯霉素在修饰电极上的电化学性质、测试条件、溶解氧的影响及去除方法等进行考察。结果表明,氯霉素在OPDA/GCE上的还原峰电流与其浓度在3.0×10-6~1.1×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为7.8×10-7mol/L,牛奶和蜂蜜样品的加标回收率分别为83.4%~94.1%和91.5%~108.6%。该修饰电极制备方法简便易行、成本低、便于批量制备,用其检测氯霉素操作简单、选择性好。     

氧氟沙星在聚L-色氨酸修饰电极上的电化学行为及测定

氧氟沙星(ofloxacin,OFL)又名氟嗪酸,是第3代喹诺酮类药物,通过作用于细胞DNA螺旋酶的A亚单位,抑制DNA的合成和复制导致细菌死亡,具有高效广谱抗菌作用,是治疗呼吸道、泌尿道、肠道、皮肤、关节及软组织等感染的有效药物,而大剂量的服用可发生结晶尿,若不调整剂量,会使肝、肾功能减退、血药浓度增高等,因此测定药物中OFL的含量有重要意义.     

离子液体和KGM修饰电极上的直接电化学

将血红蛋白固定在用室温离子液体和魔芋葡甘聚糖(KGM)水凝胶修饰的玻碳电极上,其循环伏安扫描显示一对可逆的氧化还原电流峰,克式量电位(-0.38V,vs.SCE)随溶液pH值的增大而负移,呈良好的线性关系,斜率为51 mV/pH,表明在离子液体和KGM共同修饰的电极上包埋在魔芋葡甘聚糖水凝胶中的血红蛋白发生了直接可逆的电子传递反应,并伴随有一质子的迁移过程.此外,还考察了该血红蛋白修饰电极对O2还原反应的电催化性能.     

L-色氨酸在聚甲基红膜修饰电极上的电化学行为及其分析研究

用循环伏安法制备了聚甲基红膜修饰玻碳电极(PMRE/GCE)。研究了L-色氨酸(L-Trp)在该修饰电极上的电化学行为,探讨了不同缓冲溶液、pH以及扫描速率等的影响。实验表明:在pH=5.5的HAc-NaAc支持电解质中,L-Trp在PMRE/GCE上的电化学氧化反应是一不可逆过程,于0.783V(vs.SCE)处产生一灵敏的氧化峰,峰电流大大增加。氧化峰电流与L-Trp的浓度在2.0×10-6~1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.0×10-7mol/L,样品检测平均回收率为100.16%。     

土霉素在碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究及其测定

研究了土霉素 (OTC)在 MWNT修饰电极上的伏安行为 ,优化了测定参数 ,在此基础上建立了一种直接测定土霉素的电化学分析方法。还原峰电流与土霉素的浓度在 2× 1 0 - 7～ 5× 1 0 - 5mol/L之间有很好的线性关系。开路富集 2 min后的检出限为 5× 1 0 - 8mol/L。用此方法测定了土霉素片剂中土霉素的含量 ,结果满意