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制备了1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BM IMPF6)室温离子液体修饰电极,用循环伏安法研究氧氟沙星在该修饰电极上的电化学行为,结果表明该电极过程受吸附控制。计算了电极过程的部分动力学参数:转移电子数n=2,电极有效面积A=0.0502 cm2。用方波溶出伏安法优化了测定参数,测定了浓度与峰电流ipa的线性关系,发现ipa与氧氟沙星浓度在5.0×10-7~6.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.8×10-7mol/L,样品回收率为93.2%~108.2%,可直接用于实际样品中氧氟沙星含量的测定。 相似文献
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采用电聚合方法制备了聚L-络氨酸修饰电极。利用循环伏安法(CV)探究了pH值、扫描速率对槲皮素电化学行为的影响。用差分脉冲伏安法(DPV)对槲皮素进行测定。结果表明:聚L-络氨酸修饰电极在pH值为6.0的磷酸盐缓冲溶液中对槲皮素表现出良好的电催化能力。在6.21×10~(-5)~6.9×10~(-4) mol/L范围内槲皮素的浓度与相应的检测信号呈现出良好的线性关系,线性方程为:I(10~(-6) A)=-1.034 8-0.099 39c(10~(-4) mol/L),线性相关系数R=-0.987 87,检出限为2.07×10~(-5) mol/L(S/N=3)。电化学分析方法简易快捷、重现性和稳定性高。 相似文献
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制备了石墨烯和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(Gene-BMIMPF6/GCE),运用循环伏安法研究了对乙酰氨基酚(PT)在该复合修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液中,PT在复合修饰电极上出现一对明显的氧化还原峰,在20~260mV/s的扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,PT浓度在6.0×10-7~8.0×10-5mol/L范围内与峰电流Ipa呈线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-7 mol/L。采用该法对PT进行加入回收测定,回收率为96.9%~101.2%。 相似文献
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用亲水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸作修饰剂制备了离子液体修饰碳糊电极(IL/CPE).在pH4.78的Britton-Robinison缓冲溶液中,用循环伏安法和方波伏安法研究了对乙酰氨基酚在IL/CPE上的电化学行为.研究表明,IL/CPE对对乙酰氨基酚的氧化还原反应有良好的电催化作用.在方波伏安曲线上,对乙酰氨基酚的氧化电流与其浓度在8.0×10<'-7>~2.0×10<'-4>mol/L范围内呈线性关系,检出限为3.0×10<'-7>mol/L(S/N=3).建立了测定片剂中对乙酰氨基酚含量的新方法. 相似文献
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利用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(BMIMBF4)对玻碳电极(GCE)进行修饰,制备了BMI-MBF4/GCE电极.在0.1mol/L的磷酸盐缓冲溶液中,采用循环伏安法研究了抗坏血酸在BMIMBF4/GCE电极和裸玻碳电极(GCE)上的电化学行为.结果表明,pH=5.7的磷酸盐缓冲溶液为最佳测定底液,最佳富集时间为120s;BMIMBF4/GCE对抗坏血酸的氧化反应有很好的电化学催化作用.抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在2.0×10-4~1.0×10-2 mol/L的范围内呈良好的线性关系,相对标准偏差为4.53%(n=5). 相似文献
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米吐尔在离子液体修饰碳糊电极上的电化学行为及其测定 总被引:4,自引:3,他引:1
用离子液体1-庚基-3-甲基咪唑六氟磷酸([HMIM][PF6])作修饰剂制备了离子液体修饰碳糊电极(IL/CPE).在0.5 mol/L HAc-NaAc(pH=4.8)缓冲溶液中,采用循环伏安法(CV)和方波伏安法(SWV)研究了米吐尔在该修饰电极上的电化学行为,建立了测定米吐尔的新方法.研究表明,米吐尔在IL/CPE上的氧化、还原峰电位差比其在裸碳糊电极(CPE)上的小,而峰电流却显著增加,说明IL/CPE对米吐尔有电催化作用;共存物对苯二酚干扰米吐尔的测定,通过方波伏安法可以消除其干扰.在方波伏安曲线上,米吐尔的还原峰电流与其浓度在1.0×10-7 ~2.0×10-5 mol/L范围内呈线性关系,检出限为3.0×10-8 mol/L.该法可用于照相废液中米吐尔的测定. 相似文献
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百草枯在碳纳米管与离子液体复合修饰电极上的电化学行为及测定 总被引:2,自引:1,他引:1
制备了碳纳米管(MWCNTs)和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(MWCNTs-BMIMPF6/GCE),并采用红外光谱(IR)分别对MWCNTs、BMIMPF6及MWCNTs-BMIMPF6进行了表征。运用循环伏安法研究了百草枯(PQ)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH7.0的PBS缓冲溶液中,PQ在MWCNTs-BMIMPF6/GCE上出现2对明显的氧化还原峰,在20~200 mV/s扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程受扩散控制。计算了电极过程的部分动力学参数:电极有效面积A=0.156 4 cm2,百草枯在pH7.0的PBS缓冲液中的扩散系数D=7.0×10-5cm2/s。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,发现峰电流Ipa1与PQ浓度在7.729×10-7~9.660×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.576×10-7mol/L。采用该方法对实际水样进行检测,增敏回收率为93%~104%。 相似文献
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采用循环伏安法研究了吡虫啉在制备的聚L-酪氨酸修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH 8.5的NH3.H2O-NH4C l缓冲溶液中,吡虫啉在聚L-酪氨酸修饰电极上的电化学行为是受扩散控制的不可逆电还原过程,转移电子数和质子数均为2,扩散系数D=5.15×10-5cm2.s-1。吡虫啉的还原峰电流与其浓度在5.0×10-7~8.0×10-5mol.L-1范围内呈良好的线性关系,线性方程为Ip(A)=2.435×10-6+0.809 5c(mol.L-1),r=0.998 6,检出限为2.36×10-7mol.L-1,样品测定回收率为94%~103%。 相似文献
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运用循环伏安法研究了双氯芬酸钠(DS)在石墨烯(Gene)和室温离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极上的电化学行为。DS在该复合电极上于0.65V处有一不可逆氧化峰。在40~200 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程是受扩散控制。测定了部分电极过程参数,优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,DS浓度在1.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内与峰电流Ipa呈良好线性关系,检出限为8.0×10-8mol/L(S/N=3),加标回收率为95.7%~101.7%。 相似文献
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本文采用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)和壳聚糖(Chi)作为修饰剂,制备了新型修饰电极BMIMPF6-Chi/GCE,采用该修饰电极研究了2-氨基酚(OAP)的电化学行为,并对其进行了分析检测。实验结果表明,在pH=6.5的PBS缓冲液中,OAP于0.197V处出现一个明显的氧化峰,逆向扫描无还原峰,说明OAP在该电极上的电化学行为是不可逆的。OAP氧化峰电流与扫速的1/2次方在40~280 mV.s-1的范围内呈良好的线性关系,表明该电极过程受扩散控制。在最佳实验条件下,OAP峰电流与其浓度在4.0×10-7~2.0×10-4mol.L-1范围内呈良好的线性关系,Ipa(μA)=-0.534-18.424c(10-4mol.L-1),R=0.999,检出限1.4×10-7mol.L-1(S/N=3),回收率为96.8~103.7%。 相似文献
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多巴胺在聚铬黑T修饰玻碳电极上的电化学行为及其测定 总被引:3,自引:1,他引:2
制备了聚铬黑T修饰玻碳电极,研究了多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为。实验结果表明,在pH 4.0磷酸缓冲溶液中,聚铬黑T薄膜对多巴胺的电化学氧化具有明显的催化作用。此外,实验中观察到铬黑T膜能分离检测DA、抗坏血酸(AA)和尿酸(UA)三者的电化响应,DA与AA和UA之间的电位差达到210 mV和170 mV。利用差示脉冲伏安法(DPV)测定DA,其线性范围为0.1~200μmol/L,检出限为0.02μmol/L。该法已成功用于DA注射剂的含量分析,结果令人满意。 相似文献
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氯霉素在过氧化聚多巴胺修饰电极上的电化学行为及测定 总被引:1,自引:0,他引:1
利用多巴胺(DA)的自聚反应在玻碳电极(GCE)表面形成聚多巴胺(PDA)膜,将聚多巴胺修饰电极浸入碱溶液中进行电化学处理,制得过氧化聚多巴胺修饰电极(OPDA/GCE)。通过方波伏安法直接测定氯霉素在OPDA/GCE上的电化学响应信号,得到待测溶液中氯霉素的浓度。对多巴胺的自聚时间、氯霉素在修饰电极上的电化学性质、测试条件、溶解氧的影响及去除方法等进行考察。结果表明,氯霉素在OPDA/GCE上的还原峰电流与其浓度在3.0×10-6~1.1×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为7.8×10-7mol/L,牛奶和蜂蜜样品的加标回收率分别为83.4%~94.1%和91.5%~108.6%。该修饰电极制备方法简便易行、成本低、便于批量制备,用其检测氯霉素操作简单、选择性好。 相似文献
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用循环伏安法制备了聚甲基红膜修饰玻碳电极(PMRE/GCE)。研究了L-色氨酸(L-Trp)在该修饰电极上的电化学行为,探讨了不同缓冲溶液、pH以及扫描速率等的影响。实验表明:在pH=5.5的HAc-NaAc支持电解质中,L-Trp在PMRE/GCE上的电化学氧化反应是一不可逆过程,于0.783V(vs.SCE)处产生一灵敏的氧化峰,峰电流大大增加。氧化峰电流与L-Trp的浓度在2.0×10-6~1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.0×10-7mol/L,样品检测平均回收率为100.16%。 相似文献
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土霉素在碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究及其测定 总被引:9,自引:0,他引:9
研究了土霉素 (OTC)在 MWNT修饰电极上的伏安行为 ,优化了测定参数 ,在此基础上建立了一种直接测定土霉素的电化学分析方法。还原峰电流与土霉素的浓度在 2× 1 0 - 7~ 5× 1 0 - 5mol/L之间有很好的线性关系。开路富集 2 min后的检出限为 5× 1 0 - 8mol/L。用此方法测定了土霉素片剂中土霉素的含量 ,结果满意 相似文献