表面复合速度对于锗的光电导光谱分布的影响(一)

以不同波长的光分别照射半导体时,虽然各入射光的能量都相等,但所能产生的光电导却因波长而异。也就是说,以光电导对波长所作的图线——即光电导光谱分布——并不是一条与波长轴相平行的直线,而是一条有一定形状的曲线。事实上,半导体的光电导光谱分布一般都有一个峰值,位于该半导体的本征吸收带的长波限附近;光电导自峰值向长波方面迅速下降,向短波方面也有某种程度的下降。     

扫描速度对于太赫兹时域光谱系统信号品质的影响

太赫兹时域光谱技术是太赫兹技术的一个重要研究方向,较低的扫描速度一直是限制其应用的瓶颈。对比了不同扫描速度下太赫兹时域系统光谱系统信号的品质。发现信号品质因扫描速度提高而恶化,其程度和锁相放大器的时间常数密切相关。实验结果发现,系统中噪声主要是从电路中引入的。     

光电导天线辐射阻抗特性模拟分析(英文)

针对连续太赫兹光电导天线辐射功率较低的缺点,利用有限积分方法对三种常用的光电导天线,包括偶极天线、蝶形天线和螺旋天线,进行数值模拟并分析比较其辐射阻抗特性.仿真结果表明,偶极天线的辐射阻抗与偶极长度、宽度、电极间隙以及传输线宽度有关,且在其谐振频率存在峰值阻抗,适用于特定频率的太赫兹波辐射.蝶形天线和螺旋天线在所研究的太赫兹波段具有近似稳定的辐射阻抗,广泛应用于宽带领域.对带有交叉电极的电极间隙进行计算,结果表明由交叉电极引入的附加电容降低了天线的高频阻抗.     

用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命

研究了光谱成分不同的激发光和不同表面条件下锗和硅在触针下分布电阻的光电导衰退。对体寿命为τ的半导体,当用贯穿光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子分布均匀,分布电阻的改变随时间t的变化服从△R=△R₀e^-t/τ的规律;当用白光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子的分布很不均匀,衰退服从△R=△R₀t^-1/2e^-t/τ的规律。但当表面复合速度大时,不管激发光的成分为白光或贯穿光,总是在体内激发的非平 关键词：     

微粒大小及其分布的光电复合检测

叙述一种新的光电复合测量技术，它集ＣＣＤ摄像显示，微机信息采集与处理，光不投影放大，显微镜目视判读为一体，可对微粒大小及其空间分布实行多通道测量，观察和分析。     

聚丁二炔(Polydiacetylene)晶体中的光电导性

以聚丁(对甲苯硫酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯(Polylp-toluene sulphonate ester of 2,4-hexadiyne-1,6-diol)(PDA-TS)为例,研究了聚丁二炔(PDA)单晶中的光电导性;在分析了双分子成对复合的Onsager模型的局限性之后,提出了一个新的载流子被光产生的模型,并用它较好地解释了稳态光电流I_ph对入射光子能量?ω依赖关系。     

光电导过程中陷阱的影响

从理论上提出光折变材料中光电导过程的陷阱作用机制，给出了载流子的光激发，复合及俘获过程的动力学方程，得到了陷阱作用下的光生量子效率的解析表达式，实验上，对掺杂不同浓度的Ｃ６０（Ｃ７０）的ＰＶＫ薄膜的光生载流子量子效率随光强度的变化关系进行了测量，得到了与理论预测相一致的结果。     

X光断层摄影的光电处理(二)

<正> 三、不滤波的模拟运算方法从本节开始,介绍用光电模拟运算(处理)实现断层摄影的各种技术。本节将介绍一种不包括滤波操作的方法。虽然由它重建的结果图形并不清晰,不是一种理想的方法,但其中的     

步进扫描时间分辨光谱及其在太阳电池光电导上的应用

建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱，并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命.实验选取三种典型的硅太阳电池(单晶硅样品1、多晶硅样品2和多晶硅样品3 )，发现其瞬态光电导的上升和衰退曲线可以分别用两个简单的指数函数描述.由于有复合中心的参与，复合过程中少数载流子的寿命比产生过程中的寿命短.为验证实验结果的可靠性，采用了提取样品少数载流子的体寿命和计算其有效扩散长度两种方法.通过与太阳电池暗伏安特性和负载特性研究相结合，进一步分析和讨论了少数载流子寿命与短路电流、开路电压和转换效率的关系.同时探讨了步进扫描时间分辨光谱实验的其他用途. 关键词： 步进扫描 时间分辨 硅太阳电池 瞬态光电导     

表面增强喇曼散射(SERS)光谱中影响增强效应因素的实验研究(Ⅱ)

本文用三种光子能量的激光光源,对吸附于经电化学预处理的粗糙银电极表面的吡啶分子进行了SERS光谱的实验研究.绘出了SERS光谱谱线强度与入射光子能量和电极外加电位的关系.发现电极外加电位影响吸附分子的能级,并对SERS光谱的电荷迁移激发理论作了改进,从而可定性解释实验结果.     

表面增强喇曼散射(SERS)光谱中影响增强效应因素的实验研究(Ⅲ)

本文研究了苯甲酸水溶液的pH值,电极外加电位对银电极表面吸附苯甲酸SERS光谱表面增强效应的影响。实验结果表明,苯甲酸以—COO~-根负离子吸附于银电极表面。通过改变溶液的pH值,使苯甲酸吸附于粗糙银电极表面,溶液pH值影响电极表面吸附苯甲酸的面密度,电极外加电位影响—COO~-根离子与银电极间的电荷迁移,电极外加电位也影响苯甲酸在粗糙银电极表面的吸附。     

MEH-PPV/CdSe纳米复合器件的光电导特性的研究

以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2个峰的位置基本上与MEH-PPV和CdSe纳米晶的吸收峰的位置相对应,这说明CdSe纳米晶和聚合物MEH-PPV的吸收对光电流都有贡献,主要是由于CdSe纳米晶和MEH-PPV界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强,且MEH-PPV器件光谱的响应范围更宽。     

三硫化二锑多晶薄膜的光电导性

本文对Sb₂S₃多晶薄膜光电导机构进行了实验研究,肯定了晶粒间层在其中起着主要作用。文中介绍了所做的几个实验,并进行了分析和讨论。     

硅藻土表面羟基的漫反射红外光谱(DRIFT)研究

运用傅里叶变换漫反射红外光谱（DRIFT）及氘化技术,研究了硅藻土的表面羟基结构及其在热处理中的变化。     

温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响

研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式。实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低。其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的。     

BaO掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响(二)

为了有效地抑制Gd BCO超导块材在生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,在前期工作的基础上,本文采用顶部籽晶熔渗生长工艺,通过在固相先驱粉中添加不同含量的Ba O粒子成功地制备出了一系列高性能的单畴Gd BCO超导块材,并且对样品的微观形貌以及临界电流密度进行了研究和分析.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品中的Gd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)固溶体(Gd123ss)相呈现出减少的趋势,并生成了纳米量级的Gd123ss,这对GdBCO超导样品中存在的Gd/Ba替换起到了很好的抑制作用,使得样品中的GdBa_2Cu_3O_(7-δ)(Gd123)超导相有所增加;同时当样品中BaO的添加量在2 wt%—4 wt%之间时,样品的临界电流密度在一定程度上得到了有效提高.     

表面增强拉曼光谱研究聚乙烯咔唑(PVK)在银表面的吸附状况

ＰＶＫ表面增强光谱及粉末拉曼光谱的对比分析表明,ＰＶＫ分子是通过杂五环和邻 双取代苯环同衬底银表面吸附的,且ＰＶＫ分子与银原子之间存在电荷转移。     

Super S_(25)与New S_(25)光电阴极的光谱响应特性的数值模拟

根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式 ,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种SuperS2 5阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟 ,得到了这些阴极的有关特性参量 ,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的NewS2 5光电阴极特性的比较 ,揭示了两种SuperS2 5光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法 ,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义     

GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法, 系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111) 表面的几何及电子结构. 研究发现, 硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111) 表面稳定存在, 并呈现蜂窝状六角几何构型. 形成能计算结果证明了其实验制备的可行性. 同时发现硅烯、锗烯与GaAs表面存在共价键作用, 这破坏了其Dirac电子性质. 进一步探索了利用氢插层恢复硅烯、锗烯Dirac电子性质的方法. 发现该方法可使As-中断面上硅烯、锗烯的Dirac电子性质得到很好恢复, 而在Ga-中断面上的效果不够理想. 此外, 基于原子轨道成键和杂化理论揭示了GaAs表面硅烯、锗烯能带变化的物理机理. 研究结果为硅烯、锗烯在半导体基底上的制备及应用奠定了理论基础.