离子溅射在物质微观组织结构研究中的应用

离子溅射自１８５２年被Ｃｒｏｖｅ［１］研究以来,至今已发展成为一种用途颇广的技术．如清洁固体表面、溅射淀积薄膜、制作微电子线路、加工光学器件、侵蚀金相样品及制作透射电子显微镜薄箔样品等．后两者现已成为研究物质微观组织结构的手段之一．四十年代末,有人用溅射法侵蚀锻件的“流线”,五十年代初,溅射法已被用来制备透射电镜样品．１９６０年Ｐａｕｌｕｓ和Ｒｅｖｅｒｃｈｏｎ［２］用装有离子枪的装置,制备锰?...     

高灵敏度的低温量热原理及其在吸收谱测量中的应用

能隙中态密度的分布状况对晶态或非晶态半导体的电学和光学性质影响很大［１］．研究半导体材料能隙中态密度分布的最直接和最简单的方法是测定它们的吸收光谱．但是,当光子能量低于吸收边以后,样品的吸收系数变得很小．加上大多数非晶态半导体材料样品的厚度为微米量级,它们对光的吸收量就更小了,用通常的测量方法很难测出它们的吸收谱［２］．我们利用低温量热原理在波长为０．４—５．２μｍ的范围内直接测定了ａ－Ｓｉ?...     

制备透射电子显微镜金属薄膜样品的自动控制装置

一、前言Ｈｅｉｄｅｎｒｅｉｃｈ[１］于１９４９年首先用３×０．１２毫米的铝片做成薄膜,并用透射电子显微镜进行了观察．由于当时对电子衍衬成象认识不清,用透射电镜研究金属薄膜的工作停顿了一段时期,直到五十年代后期才蓬勃开展．当时大多采用窗法制备金属薄膜,为了解决样品在电解抛光减薄时面积迅速缩小的问题,在样品四周涂一层清漆进行绝缘,或采用一对尖阴极,使样品表面的电流密度分布有利于中心的减薄．这种方法....     

分光光度法测定海产品中微量镉

本文在文献［１］基础上,研究了在六次甲基四胺－ＫＮＯ３－ＨＮＯ３存在下,镉与二甲酚橙显色反应的最佳条件。在ｐＨ＝６．２～６．４范围内,镉与二甲酚橙配合物的最大吸收波长λｍａｘ＝５７８．４ｎｍ,摩尔吸光系数为１．６×１０４Ｌｍｏｌ－１ｃｍ－１,镉含量在０．５～６μｇｍＬ－１范围内符合朗伯比耳定律,检测限为０．００７μｇｍＬ－１,回收率在９０％以上,方法简便,灵敏度高,用于样品分析取得满意结果。     

新的光干涉实验——多光束等厚干涉测薄膜厚度

多光束等厚干涉条纹具有干涉条纹锐细的优点,可以大大提高干涉法计量的精确度．目前已经有以下几方面的应用：１．测量厚度在ｌμｍ以下的薄膜厚度;２．检查高级光学平面的质量,研究接近平面的晶体表面和金属表面的形状和特性［１］;３．测量液体的折射率［２］;４．测量μｍ以下的细丝的直径和光学特性（例如人造纤维的直径和折射率）．也已生产了基于本原理的商品仪器．根据科学技术的发展,我们设计了一个实验──用多?...     

新实验技术在材料研究中的应用讲座 第十六讲 半导体晶体缺陷显微镜研究中的若干方法

一、引言用显微镜研究晶体缺陷的发展可分为两个方面：其一是采用各种专用显微镜［１］,例如,根据泽尼克（Ｚｅｒｎｉｋｅ）原理［２］制造的位相衬度显微镜（它能把物体产生的位相衬度转换成可见的强度衬度）,和根据诺玛斯基（Ｎｏｍａｒｓｋｉ）原理制造的微分干涉衬度显微镜［３］等．其二是在样品的制备和处理方面主要是寻找优秀的腐蚀剂．每种晶体都有一系列的腐蚀剂［４］,而且还在不断出现新型的腐蚀剂．用于半导体?...     

亚微米分辨力的软X射线全息实验研究

早在１９５２年，Ｂａｅｚ［１］就把全息术的思想推广到Ｘ射线领域。可是在以后长达２０年的时间里，虽然有许多关于Ｘ射线全息术应用潜力的讨论，但是在实验上没有取得大的进展，主要是缺少高亮度的Ｘ射线源［２］。直到７０年代初期，这种状态才被打破。首先Ａｏｋｉ和Ｋｉｋｕｔａ以及他们的合作者进行了一系列的实验。他们用微聚焦Ｘ射线管和同步辐射源，以化学纤维和红血球为样品，记录了一维Ｘ射线无透镜傅里叶变换全息图和Ｘ射线同轴全息图，重现时获得了４μｍ的分辨力。１９８６年，Ｈｏｗｅｌｌｓ等［３］在Ｂｒｏｏｋｈａｖｅｎ…     

光纤相干光通信

光纤通信在近十几年来得到了迅速的发展．有人讲,可以说它已经走过了三代,即第一代的短波长（０．８５μｍ）多模光纤通信,第二代的长波长（１．３３μｍ）多模光纤通信以及第三代的长波长（１,３３～１．５５μｍ）单模光纤通信~（［１］）．目前,第一代光纤通信已经实用化,第二代正在走向实用化,而第三代则正处于开发之中．但是到目前为止,除少数几个国家的少数几个研究机构之外,不管是已经实用的还是正处于开发的,....     

高效率低阈值Nd：S－FAP晶体激光特性

测量了新型晶体Ｎｄ：Ｓ－ＦＡＰ［Ｎｄ：Ｓｒ＿５（ＰＯ＿４）＿３Ｆ］的吸收光谱特性，它具有宽的有效吸收带，在５７５．０ｎｍ和８０５．４ｎｍ处有二个强的吸收峰．用可调谐染料激光器测量了５７５．０ｎｍ处的吸收系数为１９．７ｃｍ￣（－１），用波长为５７５．０ｎｍ的的染料激光作泵浦源，实现了１．０５９μｍ的全偏振光输出，最低闽值为２．５ｍＪ，斜效率为４９％。用ＫＴＰ倍频获得的绿光的波长为０．５２９５μｍ，峰值半宽度为１．０ｎｍ。     

硅键合SOI平面光波导探索

本文分析了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ和ＤＷＢ／ＳＯＩ结构的性能特点。尝试用ＤＷＢ／ＳＯＩ材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品，并测试了１．１５μｍ和１．５２３μｍ激光的ＴＥ和ＴＭ模的传输损耗。１．５２３μｍ光的ＴＥ模的最小传输损耗已达０．２７ｄＢ／ｃｍ。说明ＤＷＢ／ＳＯＩ材料是一种有潜力的光波导材料。     

高山宇宙线粒子电磁簇射的研究

在海拔３２００ｍ高山,用一台有效体积为４５×４５×１４ｃｍ３的多板云室,测量了宇宙线贯穿粒子的电磁簇射几率,传递能量范围为０．４－２ＧｅＶ．获得了８０１个有用事例,得到选入的高山宇宙线粒子在１．２５ｃｍ厚铅层中产生电磁簇射的平均几率是［４．６２±０．７６］×１０－3,大于由理论和加速器实验数据推出的μ,Ρ。π±的电磁簇射几率．用统计方法对实验结果进行了分析．     

电解抛光制备透射电镜样品方法的评述

电子显微镜在金属、合金及固体材料的研究中日益得到广泛的应用．为了成功地使用电镜进行研究,第一步是作出合格的供观察用的样品,而制样技术自身的进展又能动地扩展了电镜研究的深度和广度,促进了物质微观组织结构的研究．因此我们应该重视这项技术,使其不断发展．制备透射电镜样品最关键的步骤为减薄,它是将厚度为几十至几百微米的薄片减薄至出观一个或数个孔,在这些孔的周围有能透过电子的薄箔．此薄箔的厚度?...     

场反向角收缩等离子体实验(FRP-1)

场反向角收缩等离子体,是一种轴向拉长的轴对称非圆截面环形位形的紧凑环等离子体［１］．通过位于直管中等离子体柱内捕获的反场磁力线与外场磁力线连接而建立．其特点是β值较高,线圈结构简单,等离子体形成、加热和燃烧区分开．这种新近发展起来的磁约束途径,已取得了较大的进展［２］．一、装置（ＦＲＰ－１）工作原理直径为１２ｃｍ的石英放电管外围着直径为１３ｃｍ、长为５５ｃｍ的单匝主放电线圈,分为八段,两端分?..     

热透镜光谱技术及其应用

热透镜光谱技术是七十年代出现并发展起来的一种新的激光光谱技术．主要用于气体、液体的微弱吸收的测量和分子弛豫过程的研究［１］．它与激光光声光谱技术［２］一样也是一种高灵敏度的热－光光谱方法．这种方法的依据是热透镜效应．热透镜效应首先为Ｊ．Ｒ．Ｗｈｉｎｎｅｒｙ等人干１９６４年观察到［３］．他们把有机液体放在氦氖激光器的谐振腔中,研究它们的喇曼光谱时发现,由于样品的加入,激光束发生散焦或浮散现象;?...     

六维空间的晶态──准晶态

１９８４年,Ｄ．Ｓｈｅｃｈｔｍａｎ等人报道了在急冷的Ａｌ－Ｍｎ合金的约２μｍ大小的晶粒中,用电子衍射发现了一种除显示出二次和三次对称性图象外,还出现了五次对称的图象．该图象斑点明锐,具有与晶格平移不符的点对称群ｍ３５,他们称之为二十面体相［１］．此后,立即引起了巨大的反响,国内外的报刊杂志纷纷报道和评论了这个惊人的发现［２－５］。经典晶体学不允许有五次对称．五次对称破坏了点阵的平移对称性,因?...     

用快速放电泵浦的可见及紫外激光器

１９６７年Ｓｈｉｐｍａｎ［１］将Ｂｌｕｍｌｅｉｎ快速放电装置应用于Ｎ２分子激光器,１９７６年Ｂｕｒｎｈａｍ［２］又将它成功地用于准分子激光器,致使Ｂｌｕ－ｍ１ｅｉｎ快放电系统成为紫外和可见激光器的重要泵浦源之一．这吸引了许多研究者,从而使快放电泵浦技术日臻完善,相继出现了具有各种预电离类型的高气压器件［３－１０］．有力地推动了可见、紫外及真空紫外激光器［６－１０］的发展．准分子激光器和Ｎ２分?...     

一种简便而稳定的用于光学和电学实验的恒温器

为研究物质在低温下的光学性质,我们在Ｇ．Ｈ．Ｌｅｓｃｈ等人［１］设计的低温光学实验用恒温器的基础上作了改进,设计了一具光学和电学实验用低温恒温器（图１）．既保持了［１］中恒温器的结构简单的优点,又提高了恒温精度,还使样品能在光路中作适当调节．样品架由整块黄铜做成（图２）．它具有较大的热容和较好的导热性,当样品需要加电压时,可在样品架与样品（例如晶体）间用厚０．０６ｍｍ的聚四氟乙烯薄膜作电的绝?...     

利用光学倍频效应判定粉末样品的非中心对称性

一、引言关于晶体的对称性的研究,通常是使用Ｘ射线衍射技术．在确定晶体的结构时,判定其对称中心存在与否,是重要的问题之一．但是由于弗里德尔（Ｆｒｉｅｄｅｌ）定律的存在,使得通常的Ｘ射线衍射技术不可能判定反演中心是否存在．利用Ｘ射线反常散射强度统计试验法［１］或者使用帕特森（Ｐａｔｔｅｒｓｏｎ）分析法［２］,能够消除由于弗里德尔定律所引起的空间群的不确定性．不过这些方法很烦琐,工作量又大,而且在?...     

薄膜干涉条纹定域的确定

薄膜干涉条纹定域的确定，文献［１］～［４］等已有讨论．其中［４］较简单直观。本文在直角坐标系中推出定域中心曲面方程，作适当近似与文献［１］、［４］的结果相同，并在此基础上对条纹定域深度进行了讨论     

电阻法测定Al-Si合金膜电迁移激活能

铝膜中加入１—３％Ｓｉ,能提高集成电路中铝布线的抗电迁移能力和防止使结短路的蚀坑形成．ＶａｎＧｕｒｐ研究了含硅量分别为０．３％和１．８％、厚度为０．５μｍ的Ａｌ－Ｓｉ合金膜的电迁移激活能,用平均失效时间方法求得电迁移激活能为０．３１—０．３２ｅＶ,与含硅量无关．Ｂｌａｃｙ研究了含硅量为０．７９％,１．９％和３％、厚度为０．７０—０．７３μｍ用０．８μｍ厚的磷硅玻璃覆盖的Ａｌ－Ｓｉ膜的?...