亚微米MOSFET的计算机模拟

本文阐述了在考虑载流子能量输运的基础上建立起来的亚微米MOSFET的数值模型.在计入能量弛豫时间和量子沟道展宽效应的基础上提出一种改进的迁移率模型.数值结果表明理论和实验符合得相当好.     

功率MOSFET在开关电源中的应用

开关电源具有小型、高效、轻量等特点,广泛应用于工业类和消费类产品中,表1给出了其应用领域。 表1 开关电源应用领域     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

VHF高压双栅功率MOSFET的研制

采用硅栅结构的自对准离子注入工艺,研制成功了源漏击穿电压ＢＶＤＳ为１２０Ｖ、输出功率５．１Ｗ、功率增益８ｄＢ、跨导６５０ｍＳ、截止频率ｆＴ为２７０ＭＨｚ的高压双栅功率ＭＯＳＦＥＴ器件。介绍了器件结构参数和工艺参数的设计,给出了计算机数值分析结果。     

功率MOSFET的数值模拟

功率UMOS结构相对于功率VDMOS结构的电压限制,通过对源漏沟道区掺杂不均匀的器件进行二维和两种载流子的数值模拟进行了比较;还对两种器件表面和体内的电场分布进行了比较;预估了UMOS由Si/SiO_2界面附近高电场强度引起的碰撞电离所导致的击穿电压下降现象。     

利用新一代功率MOSFET——QFET改进开关电源的性能

新型功率MOSFET——QFET带有低通态电阻和栅极电荷。利用MOSFET——QEFT开关能够提高开关电源的效率。     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

如何确定功率MOSFET的适用性

功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高,以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率（di／dt）,增强了寄生电感的负面作用,导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重,因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平,同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力,因此无需外加成本高昂的保护电路。     

动力源于不断创新——IR公司推出FlipFET^TM功率MOSFET

因拥有六角蜂巢式功率MOSFET技术而居业界领先地位的,著名功率半导体器件供应商国际整流器公司(IR),近日又推出了全新的FlipFET~(TM)功率MOSFET器件,开创了新一代芯片级封装器件结构的新技术。为配合该产品在中国的推出,IR公司于8月8日在北京香格里拉饭店专门举     

低温下功率MOSFET的特性分析

文章完成了对功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）闽值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试，并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析．从实验结果中．我们发现阀值电压随温度的降低略有升高；而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数，所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。     

超小体积功率MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild）推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压（〈20V）便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

绝缘体上硅MOSFET的特性

本文介绍了绝缘物上硅(SOI)MOS晶体管预计具有的一些特性。简单的定性模型分析结果表明,如果采用全耗尽薄膜,可以改善各种参数,如亚阈值斜率、热电子效应和短沟道效应。     

MOSFET发展中的革命阶跃

SGS-THOMSON微电子公司是世界上第四大的MOSFET供应商,它正推出一种全新的MOSFET工艺,这种工艺将晶体管呈带状布局在芯片上,代替了传统的单元几何形状。尤其是,这种工艺将器件的导通电阻降低了20％。由于明显降低了漏-栅极电容,所以还能改进动态性能。这十年,此新工艺代表着一个里程碑,在其他有名的制造商的晶体管中占首位。而且,推出两种新型的TO-220和TO-247封装,为用户提供的产品,除了MOSFET本身性能提高了以外,功率密度也明显增加。     

Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件

Intersil公司最近将一种功率驱动芯片与两款MOSFET结合到同一封装设计 ,命名为 EnduraISL6571 Synchro FET,采用 QFN封装方式。该产品显著减少了面板空间 ,简化其设计结构 ,也降低了制造成本。该器件结合了补偿式 MOSFET驱动器、同步半桥转换器和肖特基二极管 ,采用小型热效能封装。其设计可将 DC/DC转换器的工作频率提升至 1 MHz/phase,从整体上减少印刷电路板的空间。ISL6571 CR采用 QFN封装 ,在 4,999～ 9,999数量范围的定购单价为 2美元。相关设计、评估板和电路设计也可提供。Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件…