通过版图优化减少漏电流

随着微细化技术的发展,晶体管的漏电流将急剧增大。以往已经出现过各种减少漏电流的电路技术,如电源门控技术等。在此次的DAC中,不需要依靠特别的电路技术,通过优化版图减少漏电流的EDA工具受到了关注。这就是BlazeDFM公司的漏电流优化工具BlazeMO(见图A-1)。以往,也曾出现过通     

应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善

应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si₃N₄层应力值、SiO₂层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NMOS器件性能的影响,优化了工艺条件。结果表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(I_dsat-I_off)较传统NMOS器件提高了6%。     

STI场区加固NMOS器件总剂量效应

基于0.18 μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。     

总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究

对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究.研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性.同时,小宽长...     

铝电解电容器漏电流回升现象的研究

漏电流回升是铝电解电容器常见的早期失效。研究其失效机理后发现,除工艺等方面的因素外,国内许多公司在产品老练分选中对漏电流内控过宽是造成这一早期失效的重要原因。在产品可靠性研究的基础上提出了严格内控减小漏电流回升的措施。     

条形列阵激光器侧向隔离研究

对条形激光器漏电流进行了理论分析,结果表明,漏电流占注入电流的比例随着激光器条形台面宽度的增大而降低,因此实验中采用宽条形台面激光器。同时根据理论分析做对比实验得出,在不增加非辐射复合情况下,隔离槽与台面越近越能充分发挥其减小漏电流的作用,这样阈值电流密度降低,最佳工作点的功率效率提高。     

MOSFET栅漏电流噪声模型研究

随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显.栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注.由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理.在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围.     

TPL7407L：七路高压大电流NMOS驱动器方案

TI公司的TPL7407L是七路高压大电路NMOS晶体管阵列,每路输出电流高达600mA,输出电压40V,输出漏电流小于10nA,控制逻辑1．8V-5．0V。主要用于混合电力汽车电池管理、电动汽车充电器、马达控制、太阳能逆变器、家用电器、打印机、示波器、通信/服务器电源等。     

LabVIEW在绝缘子漏电流检测中的应用

描述了一种基于LabVIEW的绝缘子漏电流检测方法。LabVIEW是在通用计算机平台上,用户根据自己的需求定义和设计仪器的测试功能。小波变换是信号分析处理的一种重要方法。应用LabVIEW小波工具包,通过小波变换可以对原始信号进行消噪处理,经过消噪后的信号明显得到改善。通过软件分析得到泄漏电流有效值、超过一定幅值的脉冲峰值和脉冲频度、温度、湿度等数据。借助LabVIEW设计噪声分析软件,使得噪声分析更加精确,并大大缩短了测试和信号处理周期。     

光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制

论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理。通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理。从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个方面提出了避免或减少银离子迁移的控制措施。     

静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术

分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构.它们都是通过改变SRAM各个端点的电压来实现的,在降低漏电流的同时,对SRAM器件性能也有一定的影响.基于UMC 55 nm CMOS工艺,对几种方案进行了仿真,并在理论分析的基础上,指出未来发展的趋势.     

应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响

针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(V_ds=1 V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2 kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。     

GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析

高温存储试验后某种ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化,确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因,为高温下ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。     

TFT-LCD高温光照漏电流改善研究

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19pA下降到5.1pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。     

CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究

嵌入式Flash Memory要求低的工作电压．采用反应离子刻蚀技术，用CF4气体在低功率下对硅片做预处理，再热生长薄氧化层，从而在氧化层中引入F，降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV，隧穿电流增加，从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率．     

基于直流漏电流检测的光伏汇流箱系统

以C8051F020型单片机为控制中心,采用一种通过检测光伏直流系统对地漏电流来探测光伏回路正负极接地电阻和判断光伏回路接地故障支路的新方法,研制出新的光伏直流接地探测系统。利用光伏汇流的电流检测功能,寻找出光伏阵列电流数值不同的支路,结合探测光伏回路正负极接地电阻,从而发现光伏阵列回路的对地故障。该方法无须给光伏支路施加任何信号,对光伏系统无任何不良影响,检测结果不受分布电容的影响,检测电路相对简单。     

CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究

嵌入式Flash Memory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率.     

基于测试向量中不确定位的漏电流优化技术

众所周知,CMOS电路测试时由漏电流引起的漏电流功耗在测试功耗中处于重要地位.降低测试时的漏电流对于延长需要周期性自测试的便携式系统电池寿命、提高测试的可靠性和降低测试成本都至关重要.文章首先分析了漏电流的组成,和与之相关的晶体管的堆栈效应.然后,我们提出了一种基于测试向量中不确定位(X位)、使用遗传算法优化集成电路测试时漏电流的方法.实验结果证明在组合电路和时序电路测试中该方法能够在不影响故障覆盖率的条件下,有效优化测试时电路的漏电流.     

基于扩展卡尔曼滤波的低压配电网漏电流监测

针对传统低压配电网漏电流监测方法中存在的监测误差较大且监测耗时较长等问题,提出基于扩展卡尔曼滤波的低压配电网漏电流监测方法.采用小波变换方法提取漏电流低频信息,将小波变换离散化处理,降低提取特征的冗余程度,完成低压配电网漏电流高频特征提取;采用一阶泰勒展开式扩展卡尔曼滤波技术,将其转变为线性空间方程,引入前馈控制概念,...