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相似文献
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1.
基于HCN波形数据的等离子体密度计算方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
介绍了从HCN波形信号中获取基准电平、零相位点时间信号的方法,在此基础上计算出等离子体密度。通过将信号调理与采集设备共地、根据HCN信号相位最大可能变化率来排除干扰,通过动态地计算基准电平来改进处理结果。  相似文献   

2.
JT-60U装置上的FBI程序是运行于UNIX操作系统下综合的等离子体参数计算系统,该程序已在HL-2A装置上采用了,其主要计算模块的功能是使用等离子体边界外的电磁测量信号,利用丝电流方法识别等离子体边界。程序引进时最大程度地考虑了两个装置电磁测量系统、装置尺寸结构和线圈系统的不同而进行了修改。  相似文献   

3.
为了对HL-2A装置等离子体放电过程提供直观的观测,我们研制了一项新的诊断手段,即等离子体可见光成像系统(TTV),这种诊断是近年来发展的先进诊断和测量方式,目前在国外托卡马克装置上得到了广泛的应用,而在国内托卡马克装置上则是首次采用。  相似文献   

4.
HL-2A装置边缘等离子体在中平面的特性是通过可移动的探针组、快速扫描气动4探针和LHW天线边缘的固定4探针进行研究的。用于测量主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、径向和极向电场、雷诺协强、径向和极向等离子体流速及其径向分布。偏滤器靶板上的14组嵌入式静电3探针阵列用于测量同一环向截面的内外中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位及其分布。  相似文献   

5.
6.
等离子体水平位移控制是托卡马克等离子体控制中最基本的控制之一。我们所提供的垂直磁场必须随着等离子体电流、极向比压及内自感等参数的变化而变化,才能保证等离子体柱位于真空室的中心。在HL-2A装置第一阶段的实验中,等离子体的电流和位移控制采用PID控制,虽然PID控制能满足HL-2A装置第一阶段的实验要求,但对于今后越来越复杂,  相似文献   

7.
基于密度泛函理论研究了H2S、HCN、PH3 在FeO(100)表面的吸附行为,其吸附位点主要考虑四个:Fe-top(铁顶位)、O-top(氧顶位)、Hollow(空位)、Bridge(桥位)。结果表明H2S吸附在O-top吸附位点的吸附能最小,为-1.02ev,即在该位点的吸附体系最稳定。当HCN吸附在FeO(100)表面时,各吸附位点的稳定顺序为Hollow>Fe-top>Bridge>O-top。PH3 的最稳定的吸附位点与H2S的一致,为O-top吸附位点,其吸附能为-1.11ev。当H2S吸附在O-top吸附位点时,H2S与FeO(100)表面的电荷转移量最多,说明该吸附构型最稳定,而HCN吸附在FeO(100)表面,在Hollow吸附位点的电荷转移量最多,也即该吸附位点属于最稳定吸附位点。PH3与FeO(100)表面之间的电荷转移量最多的吸附位点与H2S的相同。当H2S和PH3吸附在O-top吸附位点时,吸附后的态密度曲线整体向低能级移动,峰值降低,其吸附结构变得更加稳定。而HCN吸附在Hollow位点时,吸附后的HCN态密度曲线向能量更低的区域移动,吸附体系变得更稳定。  相似文献   

8.
本论文分为七章。第一章是绪言部分,介绍了等离子体芯部MHD不稳定性的研究目的和其重要性,以及目前最常用的三种多道数据分析方法:Abel逆变换方法;SVD时空分析方法和层析变换方法的研究现状和研究的必要性。第二章是综合介绍在托卡马克实验中软X射线探测系统能观测到的等离子体芯部的不稳定性的研究成果。分别对锯齿振荡现象及一系列与锯齿活性有关的现象进行了描述。第三章主要介绍在托卡马克实验中软X射线进行观测的探测系统的诊断原理及在HL-IM和HL-2A装置上软X射线探测系统。第四章的主要内容包括层析变换方法的原理,以及对程序的理论模拟检验。  相似文献   

9.
托卡马克装置等离子体边缘和刮离层(SOL)物理的实验和理论研究是目前聚变装置中等离子体的杂质含量、杂质源分布以及SOL和芯部等离子体中各种杂质输运过程研究的重要课题之一。等离子体表面相互作用导致杂质的产生和随后杂质传输以及对芯部等离子体的污染。在孔栏和偏滤器靶板表面上易产生的离子通量的电荷态和能量通过物理贱射是确定杂质释放大小的最重要因素,而化学贱射是取决于表面形成的元素、碰撞的等离子体和表面温度。杂质传输强烈地取决于刮离层等离子体的背景特征,如温度、密度、传输效率和流速。  相似文献   

10.
HL-2A装置上一种测量等离子体位移的新方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
描述了用非对称结构的拾取线圈测量托卡马克装置等离子体位移和极向场不对称因子的方法,介绍了HL-2A装置拾取线圈的布置和位移测量的实验结果。并把用此方法测量的等离子体位移与用其他诊断方法测量的结果进行了比较。  相似文献   

11.
因为等离子体最后的封闭磁面(LCFS)最终决定等离子体的截面形状,并且等离子体位形与许多热点的先进托卡马克(AT)和聚变堆课题相联系,例如电流密度的控制、等离子体平衡、刮离层(SOL)、粒子和能量行为、高能等离子体以及MHD不稳定性抑制等,所以目前的托卡马克仍然需要对边界的相关物理进行研究,例如边界确认、等离子体平衡和极向磁通损失等。从控制AT或者研究放电等离子体物理性质来看。获得相对准确的与边界相联系的等离子体平衡性质也是重要的。  相似文献   

12.
1引言 我们已经用固定电流丝模型和有限电流元模型编写的CF编码研究了HL-2A装置在孔栏位形和偏滤器位形等离子体边界的重建问题。与其它等离子体边界重建的方法相比,这种方法能够快速和准确地确定等离子体边界。但是对于实时控制等离子体位置来说,这需要采用快速的计算机硬件或采用DSP数字信号处理器。在2005年的试验中,我们修改了CF编码不再计算等离子体边界,通过计算4点磁通来计算等离子体的位置,这样可以明显减少计算时间,实时确定等离子体的位置。  相似文献   

13.
本实验利用主真空率和偏滤器靶板上的静电探针阵列直接测量边缘和偏滤器室的等离子体参数,即边缘温度Tea,密度nea,悬浮电位Фf,径向电场Er及其梯度dEr/dr,极向电场Ep,径向流速vr,极向流速vp.  相似文献   

14.
HL-2A装置的主要物理目标是开展偏滤器物理研究及在大功率辅助加热和先进的加料条件下,研究等离子体的约束、输运及不稳定性。为了实现这个物理目标,必须发展更多的新的诊断,提高等离子体参数测量的空间和时间分辨。目前,已有近30种诊断从HL-1M装置上移到HL-2A装置上并投入了实验。此外,有10项诊断正在进行研制。本文将介绍近两年发展的几种新诊断。  相似文献   

15.
在托卡马克装置中,等离子体控制是一项重要的基础性工作,是托卡马克装置等离子体能够平衡、正常放电运行重要而基本的条件。这项工作包括等离子体电流、位置、形状、密度、电流分布、q值的控制和等离子体破裂控制等。其中电流、位置和密度的控制是圆截面等离子体的基础性工作;对于非圆截面装置,除了电流、位置和密度的控制之外,形状的识别和控制又是必不可少的基础性工作。这其中等离子体形状的识别和位置控制又是最复杂和最困难的。本论文给出了HL-2A装置等离子体电流和水平位移控制的理论模型和MATLAB仿真结果,并具体介绍了目前HL-2A装置等离子体控制系统的软、硬件组成。  相似文献   

16.
描述了HL-2A等离子体实时平衡重建的GPU并行化算法,主要包括G-S方程的并行化处理、三对角方程求解、网格边界磁通计算以及一系列矩阵相乘的并行加速。并行后,在129×129的网格下完成一次迭代计算需要约575μs。  相似文献   

17.
基于门控循环单元(GRU)的神经网络,构建预测模型的网络拓扑结构,训练和测试了HL-2A装置等离子体水平位移系统响应模型。测试结果显示了该模型对43%的样本数据的拟合度超过80%。把该网络模型作为被控对象,使用基于径向基函数(RBF)神经网络的模型参考自适应控制(MRAC)算法,设计了一个HL-2A等离子体水平位移的MRAC系统。仿真结果显示,该控制系统的输出响应能快速地跟踪各种输入参考信号,控制器能够较好地控制等离子体的水平位移并具有强的抗扰动能力。  相似文献   

18.
对边界层等离子体中常见的物理问题,从两点模型到二维流体描述。从原子分子物理过程到杂质的输运和辐射等进行了系统的归纳和总结,特别是对等离子体不同参数运行区如鞘层限制参数区、传导限制参数区以及脱靶参数区等的一维流体描述,在参阅相关文献的基础上使用一定的假设条件进行了简单推导。分别阐述了它们的特点。  相似文献   

19.
即将在HL-2A装置上使用的LHCD实验的天线是原来在HL-1M装置上使用并经过改进的天线。我们对多节发射天线阵各子波导间的相位、各主波导的反射系数和驻波比等参数进行了测量。本文介绍了对多节发射天线阵的各子波导间相差,主波导电压驻波比等参数的测量,及用这些值与理论值计算波谱的结果进行了比较,从而对天线系统有一个正确的认识和评价。这些测量无疑对将来的天线设计和在HL-2A装置上进行LHCD实验分析都是十分有益的。  相似文献   

20.
 采用Langmuir探针、扫描电源和微机数据采集系统相结合,实时获得了等离子体的伏安特性曲线及参数计算结果。本数据采集系统是一个虚拟仪器系统,包括数据采集、分析测试和结果显示三部分,用来采集Langmuir探针的电流电压信号,并加以分析处理。整个测试过程非常快,可以在ms级的时间内完成,相对于手动测试,基于数据采集系统的Langmuir探针诊断实验得到的数据更为精确,电压测试范围更大,并能去除因为等离子体电位漂移而产生的曲线失真。根据所得的伏安曲线,讨论了等离子体的电子温度,离子密度等参数的计算方法。进一步研究发现电子温度随真空室气压增大而变小,离子密度随气压增大而变大。  相似文献   

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