KZnF3中Ce^3＋→Eu^2＋的能量传递

研究了ＫＺｎＦ３中Ｃｅ＾２＋和Ｅｕ＾２＋的光谱特性,在共掺Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋的体系中,观察到了Ｃｅ＾３＋对Ｅｕ＾２＋的能量传递过程,计算了能量传递的量子效率,探讨了能量传递机理,研究发现,Ｃｅ＾３＋的存在有利于Ｅｕ＾２＋的ｆ－ｆ跃迁线状发射。     

Eu^2＋和Ce^3＋激活的BaYF5荧光性质

本文讨论了BaYF_5中Eu~(2 )和Ce~(3 )的光谱特征及浓度对光谱的影响。Eu~(2 )和Ce~(3 )均表现为d—f跃迁的特征激发和发射。由于Eu~(2 )—Eu~(2 ),Ce~(3 )—Ce~(3 )能量迁移的存在,两者猝灭浓度偏低,其猝灭机理为偶极-偶极相互作用。根据BaYF_5基质中Eu~(2 )和Ce~(3 )的能级关系,发现Ce~(3 )对Eu~(2 )的发射具有明显的敏化作用。其机理主要为非辐射多极子作用,但也存在辐射传递。     

KZnF3：Eu^3＋单晶生长及光谱特性

利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法在氩气气氛下生长出ＫＺｎＦ３：Ｅｕ＾３＋单晶，测定了晶体的激发光谱、荧光发射光谱和ＥＳＲ谱，讨论了Ｅｕ离子的取代格位。     

在硅磷酸镧中Ce^3＋离子对Tb^3＋离子的敏化

实验表明在La2O3·0.01SiO2·0.95P2O5基质中Ce^3 对Tb^3 有强的敏化作用。254nm紫外光激发下温度对Tb^3 激活的Ce^3 、Tb^3 共激活试样的发射强度的Ce^3 、Tb^3 共激活的试样Tb^3 的^5D4→^7F6:5:4跃迁的发射强度随湿度的变化。计算了Ce^3 到Tb^3 的能量传递效率。初步探讨了Ce对Tb的能量传递机理。     

Ca2B2O5中Ce^3＋,Mn^2＋的发光与能量传递

本文研究了Ca_2B_2O_5中Ce~(3+)、Mn~(2+)光致发光的性质与其含量的关系,并讨论了Ce~(3+)对Mn~(2+)的能量传递机理.     

KMgF3：Eu和KMgF3：Eu—Ce单晶体中Eu^2＋与Ce^3＋的格位取代和能量传递

在77K测定了两个晶体的高分辨发射光谱，讨论了单掺杂Eu^2 和双掺杂Eu^2 及Ce^3 的KMgF3中的格位取代问题。在KMgFE:Eu-Ce中观察到了Eu^2 的^6P5/2能级到Ce^3 的4f5d能级间的间接能量传递，讨论了能量传递机理。     

Sr4-xMgxSi3O8C14：Eu^2＋荧光粉的发光特性和晶格环境研究

利用Van Uitert公式讨论了Sr4Si3O8C14：Eu^2 中Eu^2 的晶格环境，并采用高温固相法合成了Eu^2 激活的氯硅酸镁锶Sr4-xMgxSi3O8C14荧光粉，实现了发射光从蓝绿一蓝紫色的变化。X射线衍射实验和荧光光谱数据表明，MG^2 的掺杂使Sr4-xMgxSi3O8C14基质中的晶格环境发生改变，从而出现两种不同Eu^2 的发光中心。     

ABF4：Eu^2＋和A2SiF6：Eu^2＋中Eu^2＋的光谱结构

合成了Eu~(2+)激活的ABF_4和A_2SiF_6(A=Na、K、Rb、Cs)复合氟化物磷光体,得到了与ASTM一致的结晶学数据,在这些体系中都观察到了Eu~(2+)的f→跃迁锐峰发射,其中NaBF_4:Eu~(2+)和Na_2SiF_6:Eu~(2-)中Eu~(2+)所处基质晶格的配位数较低。     

Tb^3＋和Dy^3＋共激活的LaOBr阴极射线发光特性

固体发光材料中,稀土离子间的光学性质和能量传递已作了大量工作。但是,在阴极射线(CR)激发下,稀土离子间相互作用和发光性质的变化,特别是有关能量传递还很少报道。LaOBr:Tb~(3 )和LaOBr:Tm~(3 )是一类高效的阴极射线发光和X射线增感屏用荧光粉,人们曾对LaOBr:Ce~(3 ),Tb~(3 )的发光性质进行了研究,本文则获得了     

镨和镱掺杂Ba2SiO4∶Eu^2＋荧光材料的合成与发光性能

采用高温固相反应法分别合成了变价稀土镨和镱离子掺杂的绿色荧光粉[Ba（2-n-1.5x）REx]SiO4∶nEu^2＋（n=0.03,RE=Pr,Yb;x=0,0.02,0.05,0.10）。结果表明：所有合成荧光粉的激发峰均为250-400 nm的宽峰,与近紫外LED的发射光波长相匹配。发射峰位于450-550 nm之间,是Eu2＋的5d-4f跃迁的典型发射。Pr^3＋和Yb3＋的掺入并未改变Ba2SiO4∶Eu^2＋的相组成,但对荧光强度的影响大,且与掺杂元素、掺杂量和煅烧温度相关。当掺杂Pr^3＋和Yb3＋的量为x=0.02时,经1150℃煅烧所得荧光粉的发光强度分别是未掺杂时的595%和168%。证明三价稀土离子掺杂可以导致基质中的电荷缺陷而敏化Eu^2＋离子的发光,而变价稀土离子的掺杂可以大大提高电荷缺陷,导致荧光强度的进一步提高。     

Eu^2＋，Mn^2＋共激活碱土镁硅酸盐基红色荧光粉的发光性能

制备了以R3MgSi2O8(R＝Ba，Sr，Ca)为基，Eu^2 ，Mn^2 共激活的红色荧光粉并研究了其荧光性质。分别以Ba3MgSi2O8，Sr3MgSi2O8，Ca3MgSi2O8为基质时，由于晶体场环境不同，发光强度、发射峰产生相应变化。研究了以(Ba，Sr)3MgSi2O8为基的荧光粉中Ba，Sr相对量，及Eu^2 ，Mn^2 浓度对发光性质的影响并探讨了Eu^2 ，Mn^2 在基质中所处格位；结果表明，红光是由基质中处于九配位的Eu^2 将能量传递给八面体六配位的Mn^2 ，而由Mn^2 所发射的。     

Ca_8Zn(SiO_4)_4Cl_2中Eu~(2 )的发射光谱和晶体学格位

报道了在77K和298K,Ca_8Zn(SiO_4)_4Cl_2中Eu~(2 )的荧光性质及Eu~(2 )的发射光谱与其占据不等当晶体学格位的关系。研究了不同温度、浓度和激发条件对Eu~(2 )荧光性质的影响。计算了处于不同格位上Eu~(2 )的配位数。在绿色发射带归属于八配位的Eu~(2 )发射,而红色发射带起源于六配位Eu~(2 )中心的发射。     

Eu^2＋在BaF2—xYF3体系中的光谱性质及其对Tb3＋的能量传递

研究了钡钇复合氟化物体系中Ｅｕ＾２＋的光谱性质和变化规律，讨论了影响Ｅｕ＾２＋光谱的因素，特别是氧的存在对Ｅｕ＾２＋激发和发射能量的影响，发现在ＢａＹＦ５基质中Ｅｕ＾２＋对Ｔｂ＾３＋的有效参量传递。     

La2CaB10O19：Eu^3＋的VUV—VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19:Eu^3 红色发光材料的高分辨发射光谱和UV－VUV激发光谱，根据发射光谱和荧光寿命，认为进入晶格的Eu^3 占据了两种格位，一种Eu^3 占据了与O^2-离子十配位的La^3 的格位，另一种Eu^3 则占据了与O^2-离子八配位的Ca^2 的格位，又从激发光谱的分析中，得到Eu^3 的电荷迁移带（CTB）是峰值位于244mm的带，而位于130－170nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu^3 的f-d跃迁的结论。     

BaY2F8：Ce,Eu中Ce^3＋→Eu^2＋的能量传递和Ce^3＋→Eu^3＋的电子转移

采用高温固相反应法制备了BaY2F8:Ce^3 ,BaY2F8:Eu^2 和BaY2F8:Ce,Eu,测定了它们的激发、发射和漫反射光谱,首冼发现并研究了在BaY2F8共掺CeF3和EuF3体系中存在Ce^3 →Eu^2 的能量传递和Ce^3 →Eu^3 的电子转移两种过程及其竞争。根据光谱数据,讨论了Ce^4 的可能取代格位。     

LaBO3—Mg3（BO3）2体系中Ce^2＋和Tb^2＋的发光

在紫外光(UV)和阴极射线(CR)激发下,研究了Ce~(3+)和Tb~(3+)在LaBO_3-Mg_3(BO_3)_2体系中的发光性能及组成对其发射强度的影响。在254nm激发下,Ce~(3+)→Tb~(3+)的能量传递机理为电偶极-电偶极相互作用的共振传递,能量传递效率可接近100％。在378nm激发下,Tb~(3+)在LaBO_3-Mg_3(BO_3)_2体系中的浓度猝灭机理也为电偶极-电偶极相互作用。在阴极射线激发下,Ce~(3+)对Tb~(3+)的发光起猝灭作用。     

KMgF3∶Ce^3＋,Eu^2＋的溶剂热合成与光谱性质

采用溶剂热法合成了Eu^2＋,Ce^3＋单掺和双掺KMgF3。分析了样品的结构与形貌。结果表明,所合成的样品均为单相,颗粒粒度分布集中。测定了它们的激发和发射光谱,结果显示：在单掺Eu^2＋的KMgF3中,没有观察到位于420nm附近由微量氧色心引起的宽带发射,只发现峰值位于360nm附近的锐峰线发射,说明溶剂热合成的KMgF3∶Eu中氧含量极低;在KMgF3双掺体系中由于Eu^2＋和Ce^3＋竞争吸收激发能,Eu^2＋把能量传递给Ce^3＋,存在Eu^2＋→Ce^3＋能量传递过程,观察到Ce^3＋的较强的发射带和Eu^2＋的较弱的线发射,并讨论了能量传递机理。     

Ce3+激活的焦硅酸钆钠荧光粉的VUV-VIS发光特性

高温固相法合成了Na3Gd1-xCexSi2O7系列荧光粉。利用Na3LuSi2O7结构模型,通过Rietveld方法精修了Na3GdSi2O7晶体结构,结果表明,Na3GdSi2O7属于六方晶系,P63/m点群,晶格参数a=b=947.79(1)pm,c=1387.48(3)pm,c/a=1.4639。Na3GdSi2O7体系中存在Gd3+(1)和Gd3+(2)两个格位。Gd3+(1)离子位于Wyck.4f格位,为扭曲八面体结构。Gd3+(2)离子位于Wyck.2a格位,具有正三棱柱构型。进一步考察了Na3Gd1-xCexSi2O7荧光粉的真空紫外-紫外-可见发光光谱,讨论并指认了Ce3+在上述两个格位中的激发带位置及能级重心。发射光谱曲线分别由两个～400 nm和～508 nm宽带发射构成,随着Ce3+浓度增加,短波～400 nm发射逐渐增强。     

Ga2S3：Eu^2＋和SrGa^2＋xS4＋y：Eu^2＋系列荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法合成了Ga2S3：Eu^2 和SrGa2S4：Eu^2 系列荧光粉。发现Ga2S3：Eu^2 的发射峰位于570nm附近，SrGa2S4：Eu^2 的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2 xS4 y：Eu^2 体系中，过量的Ga对发光的影响，通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中；通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4：Eu^2 发射峰的位移，而是增强其在400-520nm处激发峰的强度，从而增强Eu^2 在535nm处的发光强度。