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二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相沉积与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
开发了一种全新的等离子增强化学汽相沉积氧化硅和氧化硅薄膜制作并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。 相似文献
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成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。 相似文献
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在(100)硅单晶衬底上,750℃外延生长了立方晶系晶向的SiC薄膜,该生长温度是目前所报道的最低生长温度。采用一种简单的硅碳比为1:1的甲基硅烷源材料和H2,,用低压化学汽相沉积工艺生长了SiC薄膜。 相似文献
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查健江 《光纤与电缆及其应用技术》2004,1(4):14-19
人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年,但实际生产过程中,很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验,研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素,如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。 相似文献
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随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展,能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积(PECVD)工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求,而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的PECVD装置系统。 相似文献
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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
用激光诱导化学汽相沉积(LICVD)法制备纳米硅,发现:激光强度存在低限阈值,SiH4的流速存在着高限阈值,二者正相关,以维持SiH4裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀,应加大激光强度,并相应加快SiH4的流速,以提高纳米硅粒的成核率,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H,纳米硅的红外吸收光谱发生变化:4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火,并且开始退火的温度低于300℃。 相似文献
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