微波陶瓷凝胶注模成型工艺研究

研究了微波陶瓷凝胶注模成型工艺，包括浆料制备，成型工艺及用微波介质陶瓷制备成介质柱谐振器，观察了介质陶瓷的微观形貌，用Hakki-colernan开式腔圆柱介质谐振法对其性能参数进行测量，并与用干压成翌壬艺制备的样品进行比较分析，得出用凝胶注模法用于制备微波陶瓷（Ba6-3x（Sm1-y Ndy）8＋2x Ti18 O54），与干压法制备的样品有相当的介电常数，而无载品质因数值略高，且样品致密、缺陷少，组分更为均匀。     

陶瓷凝胶注模成型工艺研究进展

介绍了陶瓷凝胶注模成型(gel-casting)工艺的基本原理、流程及影响因素。综述了该工艺的研究进展,指出了陶瓷凝胶注模成型工艺中依然存在的问题,探讨了几种改进型陶瓷凝胶注模成型工艺,最后展望了其发展前景。     

半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究

陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。     

封装基板过孔电特性建模方法

基于电路二端口网络理论,建立了过孔电学特性等效电路模型,给出了模型参数的提取过程。在分析比较物理模型和经验模型两种不同的模型参数提取方法及其优缺点的基础上,给出了过孔高频特性的经验模型及其模型参数。为验证经验模型的有效性,提出了基于仿真的快速验证方法。实验结果表明,该方法避免了实物测试验证所带来的测试误差,同时为降低建模成本提供了新思路。     

陶瓷凝胶注模成型技术

介绍一种新的陶瓷成型技术－－凝胶注模成型,它是在陶瓷浆料中加入有机单体浇铸后,在一定的条件下,有机单体发生原位聚合反应,使陶瓷浆料凝固而形成所铸零件。它可用于单相及复合陶瓷的成型,适用于复杂形状的零件成型,是一种净尺寸成型技术。另外,该技术成型的坯体强度高,可用于机加工,最后,讨论了高固相、低粘度陶瓷浆料的制备原则。     

多层陶瓷基板制造新技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术。应用该技术不仅能彻底除去浆料中的有机粘结剂,而且容易控制各工序中的气氛。制成的Cu多层陶瓷基板性能非常良好,特别适合高速电路等的高密度化应用。制造成本低,有利于批量生产和推广应用。本文概述了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定出了最佳技术条件。该技术的开发成功,极大地促进了各种电子装置的高密度、超小型化。     

凝胶注模成型法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷

介绍了采用高纯超细氧化铝粉料，用凝胶注模成型方法制备高纯细晶粒氧化铝陶瓷的工艺，采用适当的分散剂，制备出了固相体积含量为57％，具有良好流动性的氧化铝浆料。在较低的温度(1480～1510℃)下利用无压烧结工艺，制备了弯曲强度为516MPa，断裂韧性为6．40MPa．m^1/2，微观结构均匀细晶粒的氧化铝陶瓷。     

凝胶注膜成型在高压陶瓷电容器的应用

高压陶瓷电容器传统成型方法存在诸多缺点，新的凝胶注模成型技术是传统陶瓷和高分子化学结合的产物，通过此种方法可以成型出素坯致密度高，密度均匀以及形状复杂近净尺寸的高压陶瓷电容器瓷片，有广阔的应用前景，重点阐述了凝胶注模成型用于制造高压陶瓷电容器的基本原理，目前研究状况及所要解决的问题。     

利用扫描电子显微镜改进GaAs MESFET背面通孔电镀工艺

利用扫描电子显微镜对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ背面通孔形貌及电镀状况进行了分析，并对电镀工艺进行了改进。给出了大量改善前后的电镜照片图形。     

接地金属化孔对交指带通滤波器频响的影响分析

用微带线结构实现有接地端的交指带通滤波器时,接地金属化孔的寄生电感效应将影响带通滤波器的幅频特性。寄生电感的大小可由经验公式近似计算,借助于三维电磁场仿真软件,可以计算出当接地金属化孔的排列方式不同时,由寄生电感引起的带通滤波器中心频率偏移量也不同。接地金属化孔排列引起的寄生电感越小,带通滤波器的中心频率越接近于理论值,因此在设计有接地金属化孔的交指带通滤波器时,需根据所选用的金属化孔排列结构修正滤波器中心频率的偏移。     

选择性激光烧结/冷等静压复合制造高密度Al2O3异形陶瓷件的研究

为了获得高密度复杂形状氧化铝陶瓷件,提出采用覆膜和混合相结合的方式制备出含有机粘接剂w(PVA)=1.5%和w(ER06)=8.0%的Al2O3复合粉体,对复合粉体进行选择性激光烧结(selective laser sintering,SLS)/冷等静压(cold isostatic pressing,CIP)成形、再经脱脂、高温烧结获得最终陶瓷零部件的制造方法。研究了激光烧结的4个工艺参数,得出在激光功率为21 W、扫描速度为1 600 mm/s、扫描间距为100μm、单层层厚为150μm时,获得的SLS陶瓷坯体密度和强度较好,较高强度的SLS坯体有利于后续其它工艺的进行。研究了具有随形包套的SLS陶瓷件的CIP工艺,得出随着压力的增大,陶瓷坯体的孔隙得到更大程度的消除,粉体颗粒重排压实,密度和强度显著提高,而当CIP压力大于200 MPa时,致密化速率减小。基于环氧树脂粘接剂的热重(TG)曲线分析,对SLS/CIP试样进行合理的脱脂、高温烧结处理,所得Al2O3陶瓷件相对密度大于92.26%。为制造高性能复杂形状的陶瓷件提供了一种新的方法,并拓展了SLS技术的应用范围。     

薄膜基板中填充孔工艺的研究

在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势.利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶或焊料过多的现象,提高了组装工艺效率.对薄膜基板上填充孔的制作工艺进行了深入研究,并对其电参数、散热性能和可靠性进行了测试和评估.最后,将采用填充孔工艺的薄膜基板应用于限幅低噪放和锁相源产品中,测试结果表明产品性能和散热效果均有明显提高.     

激光微孔加工技术在刚挠性基材中的研究

刚挠结合印制板向高密度互联方向发展,要求线路更细,导通孔直径更小。适合刚挠结合印制板的微导通孔加工工艺在刚挠结合印制板制造工艺中起着关键作用,微孔加工工艺中普遍采用激光技术。文章分析了激光微孔加工中的各影响因素,用正交试验法作对比试验,优化各因素参数,讨论了各因素与基板材料的关系,并拟合出方程定量描述此种关系。根据优化方程选取激光微孔参数,在挠性与刚性基板材料上取得理想效果。     

激光冲击处理对紧固孔疲劳寿命的影响

在激光冲击工艺参数优选的基础上．对航空紧固孔进行了激光冲击处理．并进行了疲劳试验，研究了激光冲击处理对紧固孔疲劳寿命的影响。疲劳试验结果表明：激光冲击处理在优选工艺参数条件下．能显著地提高紧固孔疲劳寿命，可望在航空结构延寿中得到应用。     

Evolution of Threading Dislocation Density and Stress in GaN Films Grown on (111) Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

We have studied the evolution of threading dislocations (TDs), stress, and cracking of GaN films grown on (111) Si substrates using a variety of buffer layers including thin AlN, compositionally graded Al _x Ga_1-x N (0 ≤ x ≤ 1), and AlN/Al _y Ga_1-y N/Al _x Ga_1-x N (0 ≤ x ≤ 1, y = 0 and 0.25) multilayer buffers. We find a reduction in TD density in GaN films grown on graded Al _x Ga_1-x N buffer layers, in comparison with those grown directly on a thin AlN buffer layer. Threading dislocation bending and annihilation occurs in the region in the graded Al _x Ga_1-x N grown under a compressive stress, which leads to a decrease of TD density in the overgrown GaN films. In addition, growing a thin AlN/Al _y Ga_1-y N bilayer prior to growing the compositionally graded Al _x Ga_1-x N buffer layer significantly reduces the initial TD density in the Al _x Ga_1-x N buffer layer, which subsequently further reduces the TD density in the overgrown GaN film. In-situ stress measurements reveal a delayed compressive-to-tensile stress transition for GaN films grown on graded Al _x Ga_1-x N buffer layers or multilayer buffers, in comparison to the film grown on a thin AlN buffer layer, which subsequently reduces the crack densities in the films.     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器

报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得到稳定的重复频率为1.05MHz的自锁模脉冲,平均输出功率为6mW;当注入抽运功率增加到480mW时,最大平均输出功率为20mW,相应的最高单脉冲能量为19nJ,激光脉冲宽度约为520ps。     

一种新型薄型非金属材料群孔加工系统的研究

介绍一种新型的薄型非金属材料群孔的加工系统。这种加工系统实现了群孔的孔径可调 ,孔距可调以及孔的布局排列可调 ,可进行在线动态制孔。该系统采用CO2 激光器和高速振镜作为系统的核心器件。为了实现宽幅面 ,高速制孔 ,采用了高速振镜制孔的光路形式。制孔单元由激光器、光学扩束、振镜和聚焦系统构成。制孔方式方面采用以精密测速单元为核心的位移跟随技术 ,实现在线动态制孔。主控制的硬件系统由工控机及脉冲、数据、D/A转换等接口单元组成 ,并采用配套的控制软件进行制孔控制及校正。同时配备有恒温、水冷系统、排烟系统和安全保障措施等一系列的辅助设计。