Cu2O和Ge的基本反射光谱——两种不同性质的反射带结构

本文在室温下测量了Cu₂O和Ge的基本反射光谱(0.22—1.00μ);研究了区分激子反射带结构和带际跃迁反射带结构的实验方法。光学抛光处理晶体表面对反射光谱中激子结构的影响极大,但对带际跃迁结构的影响不大。确定了Cu₂O紫外反射带的带际跃迁性质。讨论了Cu₂O和Ge的基本反射光谱和能带结构的联系。特别注意了Ge的反射光谱中的一些弱结构和能带结构的联系。工作中也涉及了晶格的有序度和能带结构的联系和吸收气氛影响短波反射带“下塌”的现象。     

Cu_2O室温电调制反射激子光谱

本文用电解液电调制反射谱方法;研究了室温下Cu_2O的青系蓝系激子谱.实验结果用最小二乘法对Aspens的理论进行了曲线拟合.将拟合结果与低温和室温下的反射、吸收谱数据进行比较,得到在电解液电反射谱中,不仅有青系.系n=1的激子效应,而且也包含n=2的激子效应.文中也做了不同抛光表面样品的电反射谱;发现它们有显著不同的光谱特征.     

CdSnAs_2的基本反射光谱

A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。     

GO催化制备Cu_2O纳米立方体及其光谱特性

在碱性环境及60℃水浴条件下,氧化石墨烯(GO)催化葡萄糖还原Fehling试剂生成了氧化氧化亚铜纳米立方体/石墨烯(GO/Cu2ONPs)复合纳米微粒。对GO/Cu2ONPs进行了TEM、EDS表征,表明Cu2ONPs在生长过程中是附着在GO上形成的。共振瑞利散射(RRS)光谱研究显示GO/Cu2ONPs在290,360和525nm处有3个RRS峰。     

纳米Cu_2O薄膜的制备及其表面增强拉曼光谱

采用真空电子束蒸发技术及后续热氧化技术,在玻璃基底上制备了不同厚度的金属铜薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱分别表征了所制备的金属铜薄膜的晶体结构和元素组成。采用紫外-可见-近红外分光光度计及拉曼光谱仪分别分析了所制备的金属铜薄膜的吸收谱和表面增强拉曼光谱(SERS)活性。随着膜厚的增加,退火后的薄膜样品由非晶态转变为(111)面择优生长的多晶态,且其吸收边发生红移。当退火温度为200℃、退火时间为60min时,能够获得单一相的纳米氧化亚铜(Cu_2O)薄膜。薄膜样品SERS活性随纳米Cu_2O薄膜吸光度的增大而增强。     

两种新香豆素分子的热力学和光谱性质

使用密度泛函理论方法在B3LYP /6-31++G**理论水平对两种香豆素a和b分子的几何结构、光谱、热力学性质进行理论计算研究,并基于Tomasi的极化统一场模型(PCM)讨论溶剂效应。结果显示,香豆素a和b分子在气相中的最低能量吸收波长分别为352和355 nm,溶剂及其极性大小对香豆素a最低能量吸收波长影响很小,但在溶剂作用下香豆素b分子的最低能量吸收波长红移7-10 nm,溶剂的极性对该波长影响较小。298 K标准压力下香豆素a和b分子的气态标准摩尔生成焓 分别为-1373.171和-1310.805 kJ.mol-1,标准摩尔生成自由能 分别为-1064.043和-1035.849 kJ.mol-1,标准摩尔熵 分别为763.910和742.150 J.mol-1.K-1.     

两种新香豆素分子的热力学和光谱性质

使用密度泛函理论方法在B3LYP/6-31++G**理论水平对两种香豆素a和b分子的几何结构、光谱、热力学性质进行理论计算研究,并基于Tomasi的极化统一场模型(PCM)讨论溶剂效应.结果显示,香豆素a和b分子在气相中的最低能量吸收波长分别为352和355 nm,溶剂及其极性大小对香豆素a最低能量吸收波长影响很小,但在溶剂作用下香豆素b分子的最低能量吸收波长红移7-10 nm,溶剂的极性对该波长影响较小.298 K标准压力下香豆素a和b分子的气态标准摩尔生成焓Δ_fH_m~Θ分别为-1373.171和-1310.805 k J·mol~(-1),标准摩尔生成自由能Δ_fG_m~Θ分别为-1064.043和-1035.849 kJ·mol~(-1),标准摩尔熵S_m~Θ分别为763.910和742.150 J·mol~(-1)·K~(-1).     

拉曼光谱研究高温高CO_2-H_2O溶液的结构与性质

采用透明管式高压腔技术开展CO2-H2O体系在0~260℃,120 MPa下的原位Raman光谱研究。实验结果表明:(1)200℃以下,CO2对水的O—H伸缩振动带影响微弱;而200℃以上,CO2造成水峰蓝移,且蓝移程度CO2浓度的增加而增大;(2)CO2气体在80℃之上的两个热带明显增强。这些数据解释了高温CO2显著增加溶液的摩尔体积CO2溶解度随着温度的升高而迅速增大的原因。     

晶体剩余反射带短波边弱振动反射光谱结构的异常敏感性

本文运用经典振子理论,并借助于振子的n-k关系图及n-k反射率半圆图的图解方法,解释了位于晶体剩余反射带短波边的弱振动反射光谱结构的异常敏感性及其形状特征。利用这种反射光谱结构的异常敏感性,可用来研究晶体中的多种形式的弱振动。 关键词：     

从基本反射光谱研究金刚石型和闪锌矿型半导体的能带结构

本文利用基本反射光谱资料,导出了二十多种金刚石型和闪锌矿型半导体的导带结构。指出了导带结构上的一些特征及其与元素周期表之间的联系。着重分析了反对称势对能带结构的影响,并找到了闪锌矿型和金刚石型半导体能带结构之间的内在联系,从而更好地说明了各个闪锌矿型半导体能带结构上的特殊性。     

用Origin拟合Cu_2O纳米线时间分辨荧光光谱寿命

基于用Origin软件的指数衰减拟合函数对制备得到的Cu2O纳米线的时间分辨荧光光谱进行拟合,得到了Cu2O纳米线在77-300 K温度范围内的瞬态荧光寿命值。     

C_2O分子2.7μ带谱带模型参数和光谱发射率的计算

本文在简化考虑Fermi共振的基础上。研究了CO_2分子2.7μ组合带谱带模型参数的计算方法,给出了平均吸收系数和谱线密度间隔的系统的数据。在计算中,对低温和高温两种情况分别采用不同的计算方法,为了检验数据的可靠性,使用文中所提供的数据用谱带模型理论计算了2.7μ带在某些光学路径下光谱透过率和发射率,并将它们与实验测量结果相比较,两者符合得很好。     

Bi4Ge3O12晶体及其熔体结构的高温拉曼光谱研究

研究了BGO晶体在不同温度下(在300-1323 K的温度范围)的拉曼光谱及其熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体结构随温度变化的规律及BGO熔体的结构特征.随着温度的升高,BGO晶体的拉曼光谱谱峰都不同程度地向低波数方向移动,也存在不同程度的展宽,同时强度减弱.另外,在BGO熔体中存在[GeO4]和[BiO6]的结构基团;但两种结构之间的联键消失,即在熔体中二者是相互独立的生长基元.     

中子嬗变掺杂前后Ge纳米晶的结构和性质

采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD 产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果. 关键词： Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 第一性原理 空位缺陷     

理论研究V2O6-的结构和电子性质

采用自旋非限制密度泛函(B3LYP)方法研究了V2O6-的结构和电子性质,得到的基态和前人的理论计算结果不同．V2O6-阴离子是具有C2v对称性的双重基态,而以前Vyboishchikov等人得到的结果为D2h对称性双重基态．V2O6中性分了是具有D2h对称性的开壳层单重基态,它的能量和三重态的非常接近,而Vyboishchikov等人和Calatayud等人分别得到D2h对称性的闭壳层单重基态和Cs对称性的三重基态．从该基态结果出发计算出的电子分离能和实验上的PES谱相符,相反前人得到的电子分离能和实验相差较大．     

Ce:Lu2Si2O7闪烁晶体的结构和光谱特性

采用中频感应提拉法生长出Ce:Lu2Si2O7(Ce:LPS)晶体.通过x射线粉末衍射分析,晶体结构属单斜晶系的C2/m空间群.光学显微镜下可观测到晶体的(110)解理.在室温下测试了Ce:LPS晶体的吸收光谱、激发光谱和发射光谱.结果表明,Ce:LPS晶体的吸收峰只有两个,分别位于302和349 nm,且与激发峰的位置一致,归因于Ge3+的4f1→5d1跃迁的特征吸收所致.发射光谱具有Ce3+典型的双峰特征,经Gaussian多峰值拟合,带状谱是由384和407 nm两个发射峰叠加而成,且后者的强度明显高于前者.     

纳米Cu_2O薄膜的制备及其表面增强拉曼光谱EI北大核心CSCD

采用真空电子束蒸发技术及后续热氧化技术,在玻璃基底上制备了不同厚度的金属铜薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱分别表征了所制备的金属铜薄膜的晶体结构和元素组成。采用紫外-可见-近红外分光光度计及拉曼光谱仪分别分析了所制备的金属铜薄膜的吸收谱和表面增强拉曼光谱(SERS)活性。随着膜厚的增加,退火后的薄膜样品由非晶态转变为(111)面择优生长的多晶态,且其吸收边发生红移。当退火温度为200℃、退火时间为60min时,能够获得单一相的纳米氧化亚铜(Cu_2O)薄膜。薄膜样品SERS活性随纳米Cu_2O薄膜吸光度的增大而增强。     

不同结构Cu_2S-Ag复合基底的SERS光谱研究

随着SERS技术的迅猛发展以及科研人员的不断探索,我们已经发现了很多半导体材料都具有较好的SERS活性。为了进一步探讨金属-半导体体系的电荷转移过程并扩展半导体材料在SERS领域的应用,本研究小组制备了具有不同结构的贵金属Ag-半导体Cu_2S复合基底,并在吸附探针分子后对基底的SERS表现进行了分析。这种方法通过控制基底中不同成分的组成,实现对SPR的调控,该方法不仅显著提高了被检测探针分子的信号强度,还克服了长久以来基底对于激发光波长依赖的特性,可以实现多种激发波长下的拉曼增强,有望广泛应用于拉曼分析检测中。