A-Si∶H磷掺杂固相效率

证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限、悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定     

a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

非晶硅磷掺杂效率分析的新方法

介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值。     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

硅磷酸铝类化合物固相模板合成研究

在较低温度下，用模板固相方法合成了硅磷酸铝，对合成的化合物进行了XRD、IR和ICPS的表征，并用溶液吸附法测定了化合物的比表面。     

多施主掺杂一次固相合成CPTC热敏电阻的研究

用BaTiO3 粉体,采用多施主Y3 、Nb5 等掺杂对受主杂质进行补偿的方式,控制造粒和成型工艺,一次法固相合成具有低室温电阻率、高升阻比及更大PTC效应特性的CPTC热敏电阻.     

硼对a—Si：H薄膜中氢含量的影响

应用核反应分析法（ＮＲＡ）测量了反应溅射法制备的ａ－ＳｉＨ（Ｂ）薄膜中Ｂ和Ｈ的含量．结果表明：当掺杂比率Ｙｇ（＝［Ｂ２Ｈ２］／（［Ａｒ］＋［Ｈ２］））由１０－６增大到１．４×１０－２时，样品中的硼含量ｃＢ由１．０×１０１８线性增大到１．４×１０２２ａｔｃｍ－３；而氢含量的变化分为三个区域：在微掺硼情况（Ｙｇ＝１０－６），样品中氢含量较未掺硼时高出１０％；当Ｙｇ＝１０－６到１０－３变化时，Ｈ含量ｃＨ由２８％线性减少到１７％；在Ｙｇ＝１０－３时，Ｈ含量达极小值，此后，Ｙｇ增大，Ｈ含量随之增大．     

非晶硅的二步快速退火固相晶化

我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的应用潜力。     

钼钨磷混配杂多酸铵纳米微粒的固相合成与表征

采用室温固相反应法合成了钼钨磷混配杂多酸铵(NH4)3PW6Mo6O40·8H2O产物,用元素分析确定了分子组成,其结构、性质、颗粒大小、表面形状分别用红外光谱、X-射线粉末衍射、透射电镜、热分析和比表面积测试等手段进行了研究.结果表明:产物为Keggin结构的纳米粒子,平均粒径为12nm,比表面积为134.2m2·g-1,形成纳米微粒后,杂多阴离子的热稳定性有所下降.     

磷掺杂类石墨相氮化碳的制备及其在甲基汞检测中的应用

甲基汞在环境中对生物危害极大,因此迫切需要一种快速高灵敏的检测方法.本文通过将磷掺杂到类石墨相氮化碳(g-C3 N4)中,减小了其禁带宽度,提高了其催化活性.采用磷掺杂类石墨相氮化碳(PCN)修饰金电极构建了电化学传感器用于甲基汞(CH3 Hg+)的测定.在最佳实验条件下,CH3 Hg+展示出良好的差分脉冲伏安响应信号...     

硅磷酸铝类化合物固相模板合成研究

在较低温度下,用模板固相方法合成了硅磷酸铝,对合成的化合物进行了XRD、IR和ICPS的表征,并用溶液吸附法测定了化合物的比表面.     

离心式固液两相流泵动量积分解

借助于第一形状因子，通过变换动量积分方程，得出了与布拉休斯(H.Blasius)的准确解相近的离心式固液两相流泵叶片边界层动量积分方程的解，使得固液两相流泵的边界层分析成为可能。并通过实例验证了所给方程的解是唯一的，稳定的，收敛的。该解答对于离心式固液两相流泵叶片形状的设计具有一定的指导意义。     

a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜

利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700～800℃)，采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结果表明：晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加；并且退火后薄膜暗电导率提高了2～4个数量级。     

室温固相化学法制备ZnO压敏电阻用纳米粉体及其压敏特性的研究

采用室温固相化学法,并通过对反应物摩尔配比、球磨时间、前驱物洗涤方式等因素的控制,合成了掺杂ZnO纳米粉体.借助XRD,TEM,粒度分布测试等手段,对粉体的组成、形貌和粒度进行了表征,探讨了反应条件对粉体性能的影响.结果表明,在反应物配比为1.10,球磨时间为30min,采用含量为3%的PEG-2000作为表面改性剂的条件下,制备了粒径为20nm左右、形状为球状的掺杂ZnO粉体.将制备的粉体通过成型,在1080℃制备了电位梯度为791.64V/mm、非线性系数为24.36、漏电流为43μA的压敏电阻.借助XRD,SEM,电性能测试等手段,对ZnO压敏陶瓷的组成、结构及压敏电阻的性能进行了表征,探讨了工艺参数对压敏电阻性能的影响及其机理.     

固相合成W掺杂LiFePO_4/C及其电化学性能

采用一步固相法合成碳包覆W掺杂Li1-xWxFePO4/C.结果表明：合成产物具有完整的橄榄石型LiFePO4晶体结构,颗粒尺寸为2~5μm;当W的掺入量为0.02摩尔分数时具有最好的倍率放电性能和循环性;在0.1 C倍率充放电时具有153.8 mA.h/g的放电比容量;在1 C倍率充放电时,具有135.7 mA.h/g的放电比容量.     

固相萃取填料对有机磷农残萃取效率

以花椰菜中杀扑磷和马拉硫磷为研究对象,比较C18、Florisil和HLB柱的萃取效率.样品经过固相萃取柱富集后,使用高效液相色谱分析.通过比较不同固相填料的萃取回收率,选择最佳的萃取条件及萃取小柱.结果表明,3种固相填料中,Florisil柱的萃取回收率最高.经过对实际样品的加标实验后,两种有机磷农药的回收率在79%~112%之间,适合花椰菜中痕量有机磷农药残留测定的分析要求.