冰洲石晶体色散方程解析研究及折射率温度系数表达式

冰洲石晶体的主轴折射率随波长变化而变化。本文通过对Sellmeier方程严格求解．得出其系数表达式。经验证，折射率的计算值与实验值十分吻合。通过线性插值的方法求解出不同波长的温度系数表达式．从而得出不同温度不同波长的冰洲石晶体的主轴折射率，得到Sellmeier方程常数在各温度下的常数值。     

1310nm波段石英晶体旋光性的温度效应测试研究

为了测试温度对1310nm波段石英晶体旋光性的影响,采用高低温试验箱作为温控器,设计了双光路检测系统对石英晶体在1310nm波段旋光性的温度效应进行测试研究。实验结果表明,在-10～20℃温度范围内,对于确定波长的光,随温度的升高,石英晶体的旋光率增大;在25～50℃温度范围内,随温度的升高旋光率减小;对于同一温度,波长越长旋光率越小。根据测试结果求解Sellmeier方程得出了Sellmeier方程的常数与温度的关系式,从而可以得出任意温度下不同波长对应的石英晶体的旋光率。     

测量晶体最大双折射率温度系数的偏光干涉法

介绍了测量晶体的最大双折射率温度系数的偏光干涉法. 利用分光光度计测量出不同温度下晶体波片的偏光干涉谱. 通过对不同温度下谱线极值点所对应波长的精确判断,准确计算出相应的最大双折射率,并由曲线拟合得到最大双折射率温度系数的表达式. 测量的双折射率精度可达到10-5.     

改性KTP晶体主折射率及主折射率温度系数的测量

报道了用自准直法在０．５３９８μｍ、１．０７９５μｍ和１．３４１４μｍ激光波长上测量了摩尔比为０．０７５的Ｎｂ：ＫＴｉＯＰＯ４晶体的主折射率及其温度系数,得到了该晶体的塞耳迈耶尔方程,用此结果计算了该晶体对１．０７９５μｍＮｓｄ：ＹＡｌＯ３激光倍频的Ⅱ类最佳相位匹配角,计算结果与累进发符合。     

石英晶体旋光性的温度效应测试研究

为了测试温度对石英晶体旋光性的影响,采用陶瓷平板型半导体制冷器件作为温控器,设计、建立了石英晶体旋光性温度效应的测试系统,对石英晶体旋光特性的温度效应进行了测试研究：在-10～60℃的温度范围内,从实验上测试了石英晶体的旋光角随温度的变化。实验结果表明：对于确定的单色光,随着温度的升高石英晶体的旋光率增大。根据测试结果,通过求解塞耳迈耶尔方程和四次拟合的方法,得出了塞耳迈耶尔方程的常数与温度的关系式,从而可以得出任意温度下不同波长对应的石英晶体的旋光率。     

Nd^3＋：YAlO3晶体折射率温度系数的表示式

建立了Nd~(3+):YAlO_3(Nd:YAP)晶体折射率温度系数的表示式,该式得到的结果与测量值间具有较好的一致性。利用这个式子可以计算0.5398μm～1.0795μm波长范围311K～455K温度范围内Nd:YAP晶体的折射率温度系数。     

高掺镁LiNbO3晶体折射率温度系数的表示式

推导了掺５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体折射率温度系数的表示式。利用这些表示式可以计算２９３～４２８Ｋ温度和０．５３９８μｍ～１．３４１４μｍ波长范围内的折射率温度系度，结果表明：计算值和实验值的最大相对偏差是１２％，用具有最大相对偏差的折射率温度系数的计算值，计算１．０７９５μｍ波长的非临界相位匹配温度，其值为３８２．４Ｋ，它与实验值仅差６Ｋ。因此，本文得到的表示式，对于采用这种晶体，设计在上     

KIO3晶体折射率和倍频系数的测量

首次测量了无孪无畴的KIO_3晶体的主折射率和倍频系数.     

大尺寸磷酸二氢钾晶体的折射率均一性研究

采用德国Trioptics公司生产的新一代全自动高精度折射率测量仪,测量了磷酸二氢钾(KDP)晶体不同部位的样品位于近紫外到近红外波段(0.253—1.530μm)内12个不同波长处的折射率,测量精度达到10-6量级.结果表明,大尺寸KDP晶体不同部位样品的折射率存在不均一性,靠近晶体恢复区的样品折射率小于晶体锥头区的样品折射率,偏差在10-5—10-4量级.研究发现,这种折射率不均一性与晶体不同部位的结晶质量存在差异有关.另外,将测量数据与其他文献中的数据进行对比.结果显示,所测试的样品数、波段宽度、测量点数量以及数据的精度均超过其他文献,结合测试条件分析了不同文献数据存在差异的原因.最后,使用最小二乘法拟合得到了KDP晶体较为可靠的Sellmeier方程.     

BiB3O6晶体主轴折射率及其温度系数

利用自准直法，在30℃到170℃温度范围内分别测量0.4880 μm、0.6328 μm、1.0640 μm、1.3414 μm等波长下BiB₃O₆(BIBO)晶体的主轴折射率.得到不同温度下的Sellmeier方程及各主轴折射率的温度系数.计算了1.0795 μm下BIBO晶体的的主轴折射率.与实验测量的结果进行比较，两者的差异不大于2×10－4.     

泄漏波导法精确测量薄膜参数的理论和实验研究

对泄漏波导法测量薄膜折射率和厚度的实验方法做了介绍,基于四层介质结构的理论模型,通过严格的电磁场理论推导出了测量方法依据的本征色散方程,并使用了Newton-Raphson方法求解复传播常数,保证了测量的精确与快捷.以等离子增强化学气相沉积法生长的SiO2薄膜为例,对其折射率和厚度进行了测定.实验证明,本文方法与传统方法相比,不仅具有更高的测量精度,而且数据处理更加快捷,完成一片样品测试,仅花费机时60 ms.     

折射率对金属-电介质-金属光子晶体强透射特性的影响

通过改变一个薄电介质层的折射率来研究其对金属-电介质-金属光子晶体(M-D-MPhC)强透射特性的影响。采用与CMOS工艺兼容技术制作了由折射率分别为[nd(SU-8)=1.6,nd(SiO2.1N0.3)=1.6和nd(SiO0.6N1)=1.8]组成的三个正方形晶格圆孔阵列M-D-MPhC结构,利用傅里叶变换红外光谱仪测量其透射光谱。实验结果发现,金-SiO2.1N0.3-金结构能够获得较强的光透射增强效果和较窄的透射峰,证明了M-D-MPhC强透射特性既与中间电介质折射率大小有关,又与其材料制作工艺差异有关。采用时域有限差分(FDTD)法模拟了在相同条件下折射率分别为1.6和1.8组成的M-D-MPhC透射光谱和电场强度密度分布,模拟结果较好地符合了实验发现。     

单轴晶体包层抛物型渐变光纤中基模功率分析

研究了以单轴晶体为包层,纤芯为各向同性非均匀材料光纤的功率传输特性.在纤芯满足弱渐变条件的假定下,按矢量场法进行了分析.针对基模讨论了包层的轴向与横向的介电常量比τ对光纤截面上功率分布的影响.结果表明,τ对低频情况影响显著,而对高频情况则影响很小.当此种结构的光纤用做单模光纤时,选用τ较大的包层材料有利于提高传输效率.