具有透明波导的量子阱半导体激光器及其光集成技术

本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的基本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄渴束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。     

半导体多量子阱激光器的波导模式分析

本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.     

大功率半导体量子阱激光器及其应用

本文综述了量子阱应变层异质结构的大功率半导体激光器的优化特性，阐述了大功率激光器的一些重要应用，比如用８０８ｎｍ波长的大功率激光器可作为泵浦光源代替庞大的氙灯泵浦系统，还可以用作激光核反应的前级大功率激光漂；大功率半导体激光器发射的波长可以精确地控制在９８０ｎｍ，并能高效率地耗合到光纤中去，有很高的泵浦效率，从而半导体激光泵浦的光纤放大器为光通信技术的发展作了突破性贡献，大功率半导体激光器还在军工     

量子阱半导体激光器概述

本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。     

具有GRIN—SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析

本文给出了具有ＧＲＩＮ－ＳＣＨ结构量子阱激光器的光波导模型和详细的数值计算方法,并计算分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓＧＲＩＮ层中Ａｌ浓度和ＧＲＩＮ层厚度对等效折射率的影响,给出了ＧＲＩＮ层厚的最佳值范围;给出了宽接触ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＧＲＩＮ－ＳＣＨ量子阱激光器的近场分布三维图形,并由近场分布通过快速傅里叶变换求出了远场分布。计算得到的近、远场分布图形与实际器件测试得到的结果相符合。     

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。     

半导体量子阱激光器（QWL）及其进展

由于半导体量子阱结构限制电子和空穴到极薄区域的量子尺寸效应,导致了它具有二维台阶状的态密度。因此,用这种结构制备的量子阱激光器(QWL)具有低的阈值电流密度,窄的谱线宽度,宽的波长调谐范围以及高的调制频率响应知易实现大功率、短波长可见光输出等优点。本文在描述了这种结构的台阶状态密度分布的基础上,主要介绍了 QWL 主要优异特性和最近的发展水平。最后对今后的发展方向作了预测。     

折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析

本文提出一种能够精确分析波导层具有任意折射率分布而且收敛性好的分层逼近迭代法,研究了折射率缓变波导层分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)中波导层的折射率分布对近场分布,近场束宽,光限制因子,远场分布,远场角,激射阈值的作用,并与延伸抛物型近似解和折射率突变波导层分别限制单量子阱半导体激光器进行较全面的比较.结果表明:延伸抛物型近似不宜普遍采用;采用适当的缓变波导层可进一步降低阈值(例如采用抛物型或线性分布),或进一步减小远场角(例如采用倒抛物型分布).     

自差型光电反馈半导体激光器的量子AM和FM噪声谱

本文研究了自差型光电反馈(SHOE)半导体激光器(LD)的量子噪声,给出了AM与FM噪声谱的解析表达式,讨论了反馈环路参数的选择对量子噪声的影响。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

High Power InGaAsP/GaAs SCH SQW Lasers

InGaAsP/GaAs SCH SQW laers have been prepared by LPMOCVD.The dependence of threshold current density on cavity length was explained.Laser diodes are characterized by the output power of 1 W 20 W,threshold current density(Jth)of 330A/cm^2 to 450A/cm^2 and external differential quantum efficiency(ηd)of 35% to 75% ,and these characteristics are in good agreement with the designed requirement.     

半导体激光器动态量子AM和FM噪声的理论

本文用小信号分析的方法,研究了当对半导体激光器(LD)进行直接调制时(动态)LD的量子噪声,首次给出了LD的动态AM与FM噪声谱的解析表达式.分析表明,调制强度与调制频率均对LD的量子噪声有极大的影响.     

具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制

在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度为４００～６００Ａ／ｃｍ２，谱线宽度为５ｎｍ。     

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.     

GaAs和量子阱材料倍频效应的初步研究

采用调 Q YAG 激光器研究了半导体材料 GaAs,GaAs:Cr,InGaAs/GaAs 单量子阱(SQW)的倍频效应及其规律。测量了信号大小与晶体对称轴取向及入射、出射光偏振方向的关系。研究表明:材料表层结构的变化对于反射型倍频效应有很大影响。